公开(公告)号：CN102246096B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN200880132341.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金锺涉

IPC: G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。

公开(公告)号：CN101490621B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200780025924.5

申请日：2007-11-21

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金美英 ,  金相均 ,  林相学 ,  高尚兰 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G77/50 ,  C08L83/14 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3122

Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3Si-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6-C30官能团，而R1是C1-C6烷基；[R2O]3Si-R3(2)，其中R2是C1-C6烷基，而R3是C1-C12烷基；以及[R4O]3Si-Y-Si[OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。

公开(公告)号：CN102246096A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200880132341.7

申请日：2008-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 高尚兰 ,  金相均 ,  林相学 ,  金美英 ,  尹熙灿 ,  金到贤 ,  鱼东善 ,  金锺涉

IPC: G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C08G77/18 ,  C08L83/04 ,  C09D183/04 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供了一种用于形成蚀刻剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(A)有机硅烷聚合物以及(B)至少一种稳定剂。该硬掩模组合物在储存期间非常稳定，并且由于其优良的硬掩模特性，可以允许将良好的图案转移至材料层。

公开(公告)号：CN1991581B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200610150443.4

申请日：2006-10-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  尹熙灿 ,  李镇国 ,  伊丽娜·南 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/00 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明提供了一种抗蚀底膜硬掩模层组合物，其中在某些实施方式中，硬掩模层组合物含有(a)由式1的化合物与式2的化合物反应制得的第一聚合物，其中n为3-20的数，R为一价有机基团，m为0、1或2；(b)包括式3-6所示结构中的至少一种结构的第二聚合物；(c)酸性或碱性催化剂；以及(d)有机溶剂。本发明还提供了利用本发明实施方式的硬掩模层组合物制造半导体集成电路装置的方法。另外，本发明还提供了按照本发明方法实施方式制造的半导体集成电路装置。

公开(公告)号：CN101238413A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101185030A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200680018573.0

申请日：2006-03-07

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 鱼东善 ,  吴昌一 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南艾丽娜

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/095

Abstract: 提供了用于平版印刷工艺中的具有抗反射性能的硬掩模组合物，使用该组合物的方法，和通过该方法制造的半导体装置。本发明的抗反射硬掩模组合物包含：a)聚合物组分，其包含第一单体单元和第二单体单元，其中所述第一单体单元和所述第二单体单元均包含芳基，且其中所述第一单体单元和所述第二单体单元中的至少一种包含酚基；b)交联组分；和c)酸性催化剂。