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公开(公告)号：CN115623798A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211298999.3
申请日：2022-10-24
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
IPC: H10K30/50 , H10K30/81 , H10K71/12 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0687 , H01L31/0725
Abstract: 本发明涉及太阳电池领域，具体公开了一种绒面平滑处理的钙钛矿/硅叠层太阳电池及其制备方法。该叠层太阳电池自下至上分别为具有平滑绒面结构的硅底电池、载流子复合层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、透明导电层、金属电极层、减反射膜。本发明的绒面平滑处理可使金字塔的顶部和底部变得圆滑，同时降低金字塔绒面的表面粗糙度，从而有利于均匀连续、保形的钙钛矿薄膜沉积，降低了高质量钙钛矿层的制备难度。该平滑处理的方法与异质结(HJT)电池产线兼容，便于钙钛矿/硅叠层太阳电池的制备与推广。
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公开(公告)号：CN120035305A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510172286.X
申请日：2025-02-17
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于太阳能电池领域，具体公开了一种基于场效应钝化的钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该结构包括透明导电玻璃、空穴传输层、有机分子钝化层、场效应钝化层、钙钛矿吸收层、电子传输层和金属电极。所述的场效应钝化层制备方法为将Al2O3纳米颗粒于溶剂中分散，通过旋涂退火的方法获得Al2O3薄膜。在有机分子钝化的基础上，在空穴传输层/钙钛矿界面处引入Al2O3界面钝化层，通过场效应钝化提升电池性能。该钝化方法适用于所有类型的钙钛矿单结电池以及钙钛矿叠层电池，并且成本低、操作简单，有望得到商业化推广。
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公开(公告)号：CN115802768A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211563297.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115768142A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211504938.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有不同光响应增强特性的神经形态器件及其制备方法，神经形态器件由源漏电极、载流子注入层、有机半导体层、空穴捕获层、栅绝缘层、栅极构成。制备方法包括：将硅片Si/二氧化硅SiO2作为器件的栅极与栅绝缘层，进行超声清洗处理并放入干燥箱中烘干；将步骤一处理好的硅片放入真空镀膜系统，真空腔内气压抽至低于5×10‑4pa之后，开始依次蒸镀50nm的alq3、30nm的Pentacene、10nm的MoO3和50nm的铜或金电极。镀膜结束后，使用半导体参数分析仪进行电学测试和光响应测试。本发明制备的神经形态器件具有常开特性，在低栅压区即有很高的输出电流，且具有优异的光分辨能力，尤其是对于红光和蓝光的区分。
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