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公开(公告)号：CN117677208A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311645289.8
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明提供了一种基于芳香基自组装界面修饰材料的人工突触器件及其制备方法，所述人工突触器件由下至上依次包括底栅、栅绝缘层、界面修饰层、传输层、源极、漏极，所述源极、漏极共平面，所述界面修饰层为自组装小分子制备而成充当电荷捕获和界面修饰作用，所述自组装分子包含芳香功能团、烷基链、键合基团。本发明与现有技术相比，人工突触器件结构简单，电学性能好，界面修饰层具有纳米级别的厚度且突触性能可由芳香功能团定制化调控等优点，是制备大规模人工突触芯片的备选技术。
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公开(公告)号：CN117641945A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311596684.1
申请日：2023-11-27
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种共栅型神经形态器件阵列及其制备方法，由多个器件组成阵列，这些器件均共栅且共接地，调控器件电导通过漏极施加电压注入。器件结构由下至上依次为栅电极，介电层，电荷捕获层，半导体传输层，源极，漏极。本发明通过阵列共栅极接地，漏极注入电荷，使每个器件的电场方向始终保持在竖直方向，所以阵列上每个器件的电场都不会对相邻器件造成干扰，保证了每个器件的写入信息的相对独立性，进而保证了整个神经形态阵列测试的真实有效性，大大简化了神经形态阵列的设计复杂性。本发明提供的制备方法，工艺相对简单，操作便利，与目前的CMOS半导体制备工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN115802768A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211563297.3
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种双极性双栅调控电解质神经形态器件及其制备方法，该双极性双栅调控神经形态器件由下至上依次为衬底，电解质层，有机界面修饰层，有机半导体层，栅极，源极、漏极。有机半导体层包括p型半导体层和n型半导体层，有机半导体层分别分隔为两部分形成于有机界面修饰层的正上方，位于源漏电极下方的半导体层作为沟道层，栅极下方的半导体层作为浮栅层，且p型和n型半导体层各自留有间隙；源极和漏极以桥梁的结构连接，栅极与源、漏极位于同一平面。本发明神经形态器件能实现双极性调控沟道电流，且基于双平面栅结构的调控方式，可以极大丰富器件的功能，因此，这种基于双极性双栅调控的电解质神经形态器件有望在神经形态芯片得到广泛的应用。
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公开(公告)号：CN115768142A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211504938.8
申请日：2022-11-28
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有不同光响应增强特性的神经形态器件及其制备方法，神经形态器件由源漏电极、载流子注入层、有机半导体层、空穴捕获层、栅绝缘层、栅极构成。制备方法包括：将硅片Si/二氧化硅SiO2作为器件的栅极与栅绝缘层，进行超声清洗处理并放入干燥箱中烘干；将步骤一处理好的硅片放入真空镀膜系统，真空腔内气压抽至低于5×10‑4pa之后，开始依次蒸镀50nm的alq3、30nm的Pentacene、10nm的MoO3和50nm的铜或金电极。镀膜结束后，使用半导体参数分析仪进行电学测试和光响应测试。本发明制备的神经形态器件具有常开特性，在低栅压区即有很高的输出电流，且具有优异的光分辨能力，尤其是对于红光和蓝光的区分。
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