公开(公告)号：CN117677209A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311648306.3

申请日：2023-12-04

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  宋万科 ,  周洁 ,  陈希明

IPC: H10K10/46 ,  H10K19/10 ,  H10K71/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供了一种权重更新快速置零的神经形态器件阵列，所述神经形态器件阵列由若干个单一神经形态器件结构组成，所述单一神经形态器件结构由下至上依次分为底栅电极、栅绝缘层、自组装单分子层、半导体传输层，所述单一神经形态器件结构还包括源极、漏极，所述源极、漏极并列位于半导体传输层上，所有所述单一神经形态器件的底栅电极始终共地或悬空。本发明采用漏极接入读写电压脉冲的存储方式，通过底栅极悬空不接地的方法，在读写过程中，栅极在漏极电压的作用下诱导出等效电压，从而改变栅极和漏极之间的电场强度，实现权重更新快速置零的操作，进而保证了神经形态器件阵列权重更新的即时有效性。

公开(公告)号：CN117677210A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311669815.4

申请日：2023-12-04

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  陈希明 ,  周洁 ,  宋万科

IPC: H10K10/46 ,  H10K19/10 ,  H10K71/00 ,  G06N3/04

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种1T1T双共栅界面修饰神经形态器件及其制备方法，底栅；介电层，位于底栅的正上方；界面修饰层，位于于介电层的正上方；电荷捕获层，位于界面修饰层左边的正上方；沟道层，分别位于电荷捕获层的正上方和界面修饰层右边的正上方；源电极、漏电极，分别位于两个沟道层的正上方；左面器件的漏电极和右面器件的源电极相连。本发明利用门控器件的开关特性，极大的保证工作器件的稳定性，确保了工作器件电学性能稳定性并提高了器件的耐受性；采用底栅共接地方式，使工作器件和开关器件的电场方向都保持竖直方向，保证器件能独立运行工作，有利于底栅顶接触式的晶体管设计实现阵列化制备。

公开(公告)号：CN117677208A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202311645289.8

申请日：2023-12-04

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  周洁 ,  宋万科 ,  陈希明

IPC: H10K10/46 ,  H10K71/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明提供了一种基于芳香基自组装界面修饰材料的人工突触器件及其制备方法，所述人工突触器件由下至上依次包括底栅、栅绝缘层、界面修饰层、传输层、源极、漏极，所述源极、漏极共平面，所述界面修饰层为自组装小分子制备而成充当电荷捕获和界面修饰作用，所述自组装分子包含芳香功能团、烷基链、键合基团。本发明与现有技术相比，人工突触器件结构简单，电学性能好，界面修饰层具有纳米级别的厚度且突触性能可由芳香功能团定制化调控等优点，是制备大规模人工突触芯片的备选技术。

公开(公告)号：CN117641945A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311596684.1

申请日：2023-11-27

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 郑朝月 ,  陈希明 ,  宋万科 ,  周洁

IPC: H10K19/10 ,  G06N3/063 ,  H10K10/46 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种共栅型神经形态器件阵列及其制备方法，由多个器件组成阵列，这些器件均共栅且共接地，调控器件电导通过漏极施加电压注入。器件结构由下至上依次为栅电极，介电层，电荷捕获层，半导体传输层，源极，漏极。本发明通过阵列共栅极接地，漏极注入电荷，使每个器件的电场方向始终保持在竖直方向，所以阵列上每个器件的电场都不会对相邻器件造成干扰，保证了每个器件的写入信息的相对独立性，进而保证了整个神经形态阵列测试的真实有效性，大大简化了神经形态阵列的设计复杂性。本发明提供的制备方法，工艺相对简单，操作便利，与目前的CMOS半导体制备工艺相兼容。

公开(公告)号：CN117073839A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202311103779.5

申请日：2023-08-29

Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 黄文 ,  周洁 ,  郭俊雄 ,  龚天巡 ,  何宇豪 ,  汤俊 ,  王毅 ,  林媛 ,  张晓升

IPC: G01J3/28

Abstract: 本发明属于光电技术领域，公开了一种基于图案化黑磷结构的可调谐微型红外光谱仪，基于图案化黑磷结构的可调谐微型红外光谱仪的光电探测器模块的光吸收层使用图案化黑磷、衬底使用Si衬底、金镜层使用PEC板；图案化黑磷、Si衬底、PEC板从上至下依次设置。本发明利用图案化黑磷结构实现了在中远红外波段内可调谐的光电探测器，利用可调谐特性实现小型化的光谱仪的设计，结构简单，解决了传统红外光谱仪体积大的问题，为红外光谱仪的小型化提供了一种可行的设计方法。

公开(公告)号：CN118851133A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202411108215.5

申请日：2024-08-13

Applicant: 国网山东省电力公司信息通信公司 ,  浙江南都电源动力股份有限公司 ,  电子科技大学长三角研究院(湖州)

Inventor： 于秋生 ,  李丽 ,  张璞 ,  张彦 ,  马良 ,  江颖洁 ,  相佳媛 ,  屠芳芳 ,  张永起 ,  夏新辉 ,  周洁 ,  亓晓燕

IPC: C01B25/45 ,  H01M10/54

Abstract: 本发明公开了一种基于二氧化碳超临界反应修复磷酸铁锂材料的方法，包括以下步骤：将待修复磷酸铁锂材料进行分析，计算获得待修复磷酸铁锂材料中缺失元素的比例；将待修复磷酸铁锂材料和需要补充的锂源、铁源和磷源混合均匀；将混合均匀的混合物置于反应釜，并在反应釜中加入碳氢基有机物；密封反应釜，充入二氧化碳，获得二氧化碳超临界流体；将混合物加热，恒温反应，至反应完全；冷却反应釜，降压回收二氧化碳，获得修复后的磷酸铁锂材料。本发明公开的磷酸铁锂材料的修复方法，采用二氧化碳超临界还原修复法重新合成磷酸铁锂材料，在二氧化碳超临界流体高压媒介下的热效应，促进了还原修复反应的发生。