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公开(公告)号：CN118312289A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410422531.3
申请日：2024-04-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06F9/48 , G06F9/50 , G06F16/901
Abstract: 本发明公开了一种异构多处理器通用并行任务调度方法，针对于作为任务依赖关系的有向无环图DAG；所述方法包括DAG线程创建步骤和位于所述DAG线程创建步骤之后的DAG线程调度步骤；所述DAG线程创建步骤包括：遍历有向无环图DAG的节点队列，采用一节点一线程的方式创建DAG线程。本发明引入了节点和边的数据结构，确保了任务之间的正确依赖关系；在DAG任务调度的同步机制方面，采用了通知信号量作为任务通知机制，实现了非占用式的信号量请求和线程唤醒。通过创建通用DAG线程模型，确保了前后节点的正确同步和按序执行；最终，通过线程创建和调度流程，支持不同调度算法和任务需求，为实时任务提供了高效的调度和执行框架。
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公开(公告)号：CN118196549A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410136132.0
申请日：2024-01-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06V10/774 , G06V10/82 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 本发明公开了一种基于生成对抗网络的自适应噪声模型训练方法；首先进行数据集构建，数据集由干净/有噪声图像对组成；然后构建GANs网络，GANs网络包括噪声生成器和鉴别器：最后通过构建的数据集对构建的噪声生成器和鉴别器进行训练。本发明能够自动学习适合不同任务和数据集的参数，消除了传统手动调整和优化方法的主观性和低效性。通过自我更新和反馈机制，本发明方法能够提供更高效且鲁棒的噪声模型，为计算机视觉、语音处理等领域的应用提供了更好的解决方案。
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公开(公告)号：CN118037615A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410223016.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06T5/94 , G06T5/50 , G06T5/60 , G06T7/00 , G06T7/11 , G06N3/0455 , G06N3/0464 , G06N3/048 , G06N3/08
Abstract: 一种肿瘤分割引导的磁共振图像翻译方法、系统、设备及介质，其方法为，获取磁共振图像数据样本并进行数据预处理；通过构建包括生成器网络G和判别器网络D的肿瘤分割引导的磁共振图像翻译模型；加载训练数据集并对于构建好的肿瘤分割引导的磁共振图像翻译模型进行迭代训练；预测阶段生成器网络G输入源模态数据，将其翻译为目标模态的形态输出；其系统、设备及介质能够基于所述肿瘤分割引导的磁共振图像翻译方法，进行多模态磁共振图像生成；本发明获取了更高的相似度指标的同时，病例区域的视觉效果也更加真实纹理更收敛。
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公开(公告)号：CN117673298A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311644730.0
申请日：2023-12-04
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明公开了一种核壳结构的碳基储能材料及其制备方法，涉及碳基储能材料领域。该核壳结构的碳基储能材料及其制备方法，包括前处理、湿法球磨、包覆材料制备、混合处理、固相包覆和表征测试六个步骤。该核壳结构的碳基储能材料及其制备方法，核壳结构的设计有效地结合了储能活性材料和碳材料，提供了更优异的电导率。这有助于提高电池的性能，减小电阻，提高电池的能量密度和功率密度；外部碳壳层不仅为储能活性材料提供机械支撑，还有效地防止了活性材料的溶解和团聚。这种包覆层的设计有助于维持电池的长周期循环性能，延长电池的寿命；制备方法的可控性使得可以调节碳壳层的厚度和结构。
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公开(公告)号：CN117671506A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311851552.9
申请日：2023-12-28
Applicant: 国网陕西省电力有限公司建设分公司 , 西安电子科技大学 , 国网(西安)环保技术中心有限公司
IPC: G06V20/10 , G06V10/30 , G06V10/34 , G06V10/50 , G06V10/764 , G06V10/774
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘计算的施工环境图像识别方法和系统，属于施工环境图像识别领域，包括图像采集模块、图像预处理模块、特征提取模块、图像识别模块、边缘计算模块和结果展示模块；本发明通过边缘计算模块直接在施工现场进行图像识别和处理，减少了数据传输的延迟，提高了识别结果的实时性，能够及时发现施工现场的问题和异常情况，可以在施工现场快速处理大量的图像数据，提高了系统的效率和响应速度，减少了施工管理人员的工作量，能够提高施工管理的效率和质量，保障施工安全。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114285381B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202111558651.9
申请日：2021-12-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 拓宽了带宽，具有插入损耗低、应用带宽较宽、线本发明属于微波毫米波电路技术领域，具体 性化改善显著的优点。提供一种基于共源结构的双路式宽带线性化器，用以解决现有模拟预失真器可调性差、带宽窄且工作状态不可调的问题。本发明采用共源接法的三极管构成预失真信号产生器，并通过线性化电路控制模块调节三极管的栅压，使得三极管工作在夹断区；当输入为小信号时，预失真信号产生器处于未工作状态，输入信号仅通过衰减器与移相器的线性支路；当输入信号为大信号时，三极管导通，预失真信号产生器处于工作状态、产生(56)对比文件秦志飞.毫米波模拟线性化器设计研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》.2020,I136-466.
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公开(公告)号：CN116806117B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202310971397.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法，实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值，并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层，能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例，在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下，避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷，一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容，同时能够提升CMOS集成电路的性能。
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公开(公告)号：CN117394796A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311319742.6
申请日：2023-10-12
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
IPC: H03B19/14
Abstract: 本发明属于毫米波技术领域，具体涉及一种W波段单管二倍频器，包括：基波输入标准矩形波导、二次谐波输出标准矩形波导、基片、微带线传输电路以及金属屏蔽腔；微带线传输电路包括：输入探针、低通滤波器、二极管、短路匹配枝节以及输出探针；输入探针用于将输入信号传输到低通滤波器；低通滤波器对输入信号进行滤波，得到基波信号；二极管用于对基波信号进行筛选，产生各次谐波；短路匹配枝节用于对二极管散热和对次谐波进行信号提取，得到二次谐波信号；所述输出探针用于输出二次谐波信号；本发明的W波段二倍频器采用是肖特基变阻二极管，减少了直流偏置结构的设计，简化了电路。
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公开(公告)号：CN117080742A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311034659.4
申请日：2023-08-16
Applicant: 重庆邮电大学 , 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院
Abstract: 本发明属于MIMO天线技术领域，具体涉及一种宽带高隔离度的MIMO天线；该天线包括：两个单元辐射贴片、介质层和金属地板层；所述两个单元辐射贴片分别印刷在介质层上表面且两个单元辐射贴片关于对称轴对称；金属地板层设置在介质层下方；每个单元辐射贴片均由L形寄生结构和类六边形辐射贴片组成；所述金属地板层上刻蚀有缺陷地DGS结构和改良型T形隔离枝节；本发明实现了带宽、小型化和高度隔离的统一，阻抗带宽为3.8‑13.2GHz，隔离度整体大于21dB，回波损耗大于12dB，均优于基本要求和现有技术中的指标，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116806117A
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310971397.8
申请日：2023-08-03
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种基于直流偏压调控的氧化物忆阻器的制备方法，实现步骤为：生成底电极；基于物理气相沉积和直流偏压在底电极上沉积氧化物功能层；获取制备结果。本发明通过设置放置衬底的载物台所加载的直流偏压的压值，并采用物理气相沉积在底电极上形成氧化物功能层，能够提高底电极表面金属氧化物中金属元素与氧元素的比例，在保证功能层内具有较高的氧空位缺陷浓度的前提下，避免了现有技术功能层的金属氧化物中包含的掺杂成分在高温处理过程中所存在的扩散问题而使忆阻器特性退化的缺陷，一方面能够实现与CMOS集成电路制造工序中的后端高温处理工艺较好的兼容，同时能够提升CMOS集成电路的性能。
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