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公开(公告)号：CN109473343A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811088560.1
申请日：2018-09-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/263 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种改善AlGaN/GaN HEMT器件电学性能的方法，包括在预设的辐照温度、质子注量和质子能量的条件下，对AlGaN/GaN HEMT器件进行质子辐照。本发明实施例采用一定注量和能量的质子对AlGaN/GaN HEMT器件进行辐照，入射的质子会填充器件中存在的固有点缺陷，从而减小缺陷密度，降低缺陷对载流子的捕获，增加电荷密度，减少了栅泄露电流，提高了器件的最大饱和电流和跨导，进而改善了器件的电学性能。
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公开(公告)号：CN107240604A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710461678.3
申请日：2017-06-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/0684 , H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种氟注入增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件及其制作方法，主要解决现有同类器件在高场情况下可靠性差的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(5)、AlGaN势垒层(6)、GaN盖帽层(7)和源、栅、漏电极，这三个电极之间设有SiN钝化层(8)，其中GaN缓冲层中设有氟离子注入区域(4)，该区域位于栅电极下的对应位置，且注有浓度为1×1011cm‑3～1×1014cm‑3、深度为5～200nm的氟离子，用以耗尽器件导电沟道内的二维电子气。本发明器件大幅减小了氟离子发生退化的几率，提高了器件的可靠性，可用于微波电路。
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公开(公告)号：CN105470399A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510991523.1
申请日：2015-12-25
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/44 , H01L51/0003 , H01L51/005 , H01L51/0052 , H01L51/42
Abstract: 本发明公开了一种基于无掺杂有机空穴传输层的钙钛矿太阳能电池及制备方法，本发明利用化合物2TPATPE作为钙钛矿太阳能电池的空穴传输层，该材料具有高透光率和较好的成膜性，其螺旋桨状的分子构型可以有效抑制光活性层与空穴传输层间的紧密接触，降低界面处电荷复合的发生几率，从而提高钙钛矿太阳能电池的开路电压、电路电流密度和填充因子，最终实现钙钛矿太阳能电池的高能量转换效率，此外，该化合物较高的迁移率使我们可以不用通过掺杂离子添加剂就能获得具有高空穴迁移率的空穴传输层，在保证材料空穴传输性能的同时避免了由离子添加剂的亲水性引起的器件寿命问题，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN104051625A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410263435.5
申请日：2014-06-13
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/0003 , H01L51/424 , H01L51/442 , H01L2251/305
Abstract: 本发明公开了一种基于AZO/ZnO阴极的聚合物太阳能电池及其制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：(1)清洗衬底基片；(2)淀积ZnO电子传输层；(3)淀积P3HT:PCBM有机光活性层；(4)前退火；(5)淀积MoO3空穴传输层；(6)淀积Ag金属阳极。本发明特别采用低温水溶液法制备了ZnO电子传输层，该层降低了AZO电极的功函数，实现了AZO和P3HT:PCBM之间的能级匹配，改善了界面特性，降低了能量损失，有效提高了反转结构聚合物太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN103441971A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310381345.1
申请日：2013-08-28
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02D70/00
Abstract: 本发明公开了一种基于能效优先的三小区盲干扰抑制方法，三个小区的每个基站采用不同的数据发送方案，在其中两个基站采用部分天线进行切换发送，根据相同天线利用慢变信道中相邻发送时刻的信号具有高度相关的传输特点，在接收端通过相应接收处理，可在发送端未知任何干扰用户的MIMO信道矩阵信息和干扰用户的数据信息情况下，将干扰删除。本发明针对三个相邻小区，在保证传输误码在可接受范围的情况下，通过去除反馈链路，节约反馈链路的电路能耗，提高系统能效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116013958A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211698317.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明涉及一种增强型氮化镓器件结构及其制备方法，结构包括：衬底层；GaN缓冲层，位于衬底层之上；AlGaN势垒层，位于GaN缓冲层之上，AlGaN势垒层的凹槽结构包括相通的第一凹槽和第二凹槽；第一P型氮化镓栅帽层、第二P型氮化镓栅帽层设置在凹槽结构中；栅电极位于P型氮化镓栅帽层之上；源电极和漏电极位于AlGaN势垒层上表面的两端；钝化层位于AlGaN势垒层之上；栅场板位于钝化层之上。本发明的增强型氮化镓器件结构避免了削弱器件栅控能力的问题，兼顾了器件的优秀输出特性与较高的阈值电压，较好地保留了氮化镓器件高温稳定性好、载流子迁移率高的特点。
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公开(公告)号：CN114551358A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210090222.1
申请日：2022-01-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/8258 , H01L23/373 , H01L27/088
Abstract: 本发明公开了一种顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT单片异质集成结构及其制备方法，该方法包括：提供外延产品，在AlGaN势垒层远离衬底一侧的表面依次生长SiN介质层和p型金刚石层；刻蚀去除部分p型金刚石层后，在SiN介质层刻蚀源电极槽和漏电极槽，并制作HMET器件的第一源、漏电极；在p型金刚石层的表面上制作MOSFET器件的第二源、漏电极；在p型金刚石层表面沉积Al2O3，形成栅介质层；在栅介质层表面制作第二栅电极，形成顶层p型金刚石MOSFET与GaN HEMT的单片异质集成结构。本发明有利于减小器件体积，提高器件集成度；同时也调制了GaN HEMTs的热产生分布，提升器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN111092156B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201911294407.9
申请日：2019-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Λ‑型有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。
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公开(公告)号：CN111092156A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911294407.9
申请日：2019-12-16
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，包括：(a)选取衬底基片并进行预处理；其中，所述衬底基片设有阴极电极；(b)在所述衬底基片上生长电子传输层；(c)在所述电子传输层上制备钙钛矿吸光层；(d)在所述钙钛矿吸光层上淀积Λ-型有机空穴传输材料以形成空穴传输层；(e)在所述空穴传输层上制作阳极以完成所述钙钛矿太阳能电池的制备。本发明公开的太阳能电池工艺简单，成本较低；同时，制备的太阳能电池具有较高的转化率和稳定性。
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公开(公告)号：CN106684515B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201611185444.2
申请日：2016-12-20
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种硅基倒置微带线结构及其制作方法，主要解决标准微带线和传统倒置微带线在传输毫米波亚毫米波是损耗大以及加工精度低的问题。该硅基倒置微带线结构包括微带线，悬置层，硅基片，腔体，金属接地层，其中硅基片层包括上硅基片和下硅基片；倒置层位于上硅基片的上表面；微带线包括下金属层和上金属层，上金属层固定在倒置层中，下金属层制备在上金属层的下表面，并暴露在腔体中；腔体刻蚀在上硅基片之内，位于微带线正下方，并将微带线悬空；金属接地层位于腔体的下方，并嵌入在上硅基片和下硅基片之间。本发明制作方法的加工精度高，实现了一种低损耗，加工简单的毫米波传输线结构。
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