公开(公告)号：CN110210681A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201910502056.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王琨 ,  刘微 ,  叶俊 ,  冯珮 ,  牛瑞丽 ,  王潇翔 ,  穆超 ,  龙政强 ,  王灿

IPC: G06Q10/04 ,  G06N20/10 ,  G01N15/06

Abstract: 本发明涉及PM2.5预测技术领域，公开了一种基于距离的监测站点PM2.5值的预测方法，包括以下步骤：根据待预测PM2.5监测站点与周围其它PM2.5监测站点之间的距离，计算待预测PM2.5监测站点的PM2.5值与周围其它PM2.5监测站点的PM2.5值之间的权重；根据待预测PM2.5监测站点过去一段时间PM2.5的值，以及周围其它PM2.5监测站点过去一段时间及当前时刻的PM2.5值，以及待预测PM2.5监测站点的PM2.5值与周围其它PM2.5监测站点的PM2.5值之间的权重，通过线性回归模型或支持向量机模型对待预测PM2.5监测站点当前时刻的PM2.5值进行预测，这种PM2.5值的预测方法，大大提升了PM2.5值预测的准确率。

公开(公告)号：CN102097441B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010594793.6

申请日：2010-12-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  罗波 ,  胡曦 ,  叶俊 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV-PNP器件；其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处。本发明在n型SOI层与埋氧层界面处，设置n型SOI层内的n+掺杂区，并且n+掺杂区的掺杂浓度大于n型SOI层的掺杂浓度，使得空穴反型层和电离N+区的正电荷作用增强了埋氧层电场，削弱了SOI层中的电场，使得器件发生击穿时，单位厚度的埋氧层可承担更高的纵向耐压，打破常规SOI高压器件纵向耐压限制。

公开(公告)号：CN109919723B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201910157645.9

申请日：2019-03-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王琨 ,  王灿 ,  刘微 ,  卫涛 ,  胡有兵 ,  金鑫 ,  王潇翔 ,  叶俊 ,  冯佩 ,  穆超 ,  牛瑞丽 ,  龙政强 ,  李春雨 ,  段金龙 ,  卢济 ,  孙艳东 ,  田俞珍 ,  王凯 ,  郑建 ,  周昱航 ,  蔡九鸣 ,  丁璇 ,  刘贺 ,  宋杰 ,  王浩健 ,  王经纬

IPC: G06Q30/0601 ,  G06Q30/0251 ,  G06F16/9535 ,  G06N5/04

Abstract: 本发明公开了一种基于用户和物品的个性化推荐方法。该方法包括：获取不同流行度的物品数据集和用户数据集；建立超参数平衡扩散模型；根据超参数平衡扩散模型，通过遍历所述超参数平衡扩散模型中的参数β和δ，获得基于用户和物品的个性化推荐列表。本发明提出利用超参数抑制质量扩散的过程，从而在不损害准确性的情况下，尽可能的提升多样性，通过遍历该参数以实现最佳的推荐结果，通过对流行的用户和物品同时进行调整来抑制人群和物品之间的过度扩散；并且通过两个真实的数据集对算法进行评估，证明了本发明的方法在准确性、多样性和新颖性上都优于其他算法，即本发明的模型可以带来很好的性能提升。

公开(公告)号：CN113224148A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110477496.1

申请日：2021-04-29

Applicant: 电子科技大学 ,  无锡华润华晶微电子有限公司

Inventor： 李泽宏 ,  莫家宁 ,  王彤阳 ,  叶俊 ,  肖璇

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有氮化硅阻挡层的SGT器件及制备方法，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底、N‑漂移区和金属化源极；N‑漂移区中具有沟槽栅结构、P型掺杂区、P+重掺杂区和N+重掺杂区；沟槽栅结构包括氧化层、控制栅电极、氮化硅阻挡层和屏蔽栅电极；当器件正向导通时，控制栅电极接正电位，金属化漏极接正电位，金属化源极接零电位；当器件反向阻断时，控制栅电极和金属化源极短接且接零电位，金属化漏极接正电位；本发明具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻等特性，并且有效解决了SGT击穿电压不稳定的可靠性问题。

公开(公告)号：CN101771084B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010028145.4

申请日：2010-01-20

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  胡曦 ,  罗波 ,  叶俊 ,  蒋苓利 ,  傅达平 ,  段双亮 ,  张波

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 一种横向功率器件版图结构，属于半导体功率器件技术领域。所述横向功率器件在横向截面上形成元胞化排列结构；每个元胞具有相同的结构，由内向外依次是漏电极、轻掺杂漂移区、栅电极和源电极，且漏电极被轻掺杂漂移区所包围，轻掺杂漂移区被栅电极所包围，栅电极被源电极所包围；每个元胞的源电极、栅电极、轻掺杂漂移区和漏电极以及整个元胞的横截面形状相同，为圆形或正n边形，其中n≥3。本发明布局紧凑，无需额外的曲率终端设计，具有比导通电阻低、寄生电容小、开关速度快和电流能力强等优点，可应用于LDMOS、LIGBT等横向功率器件版图结构中。

公开(公告)号：CN102097441A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010594793.6

申请日：2010-12-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  罗波 ,  胡曦 ,  叶俊 ,  张波 ,  李肇基

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  G09G3/28

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/7317 ,  H01L29/7394

Abstract: 本发明实施例公开了一种用于等离子显示屏驱动芯片的SOI器件，自下而上依次包括：衬底、埋氧层、n型SOI层，所述SOI层中集成HV-NMOS、HV-PMOS、Field-PMOS、LIGBT、CMOS、NPN、PNP和HV-PNP器件；其中，所述SOI层内具有n+掺杂区，位于n型SOI层与埋氧层界面处。本发明在n型SOI层与埋氧层界面处，设置n型SOI层内的n+掺杂区，并且n+掺杂区的掺杂浓度大于n型SOI层的掺杂浓度，使得空穴反型层和电离N+区的正电荷作用增强了埋氧层电场，削弱了SOI层中的电场，使得器件发生击穿时，单位厚度的埋氧层可承担更高的纵向耐压，打破常规SOI高压器件纵向耐压限制。