公开(公告)号：CN113748502A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202080030507.5

申请日：2020-04-17

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 中原史博 ,  青野良太 ,  矢野清治

IPC: H01L23/13 ,  H05K1/02

Abstract: 本发明的陶瓷电路基板具备：氮化硅基板；铜散热板，其设置于氮化硅基板的一面；和铜电路板，其设置于氮化硅基板的另一面，其中，所述陶瓷电路基板具备银镀层，其设置于铜电路板的另一面的至少一部分，银镀层形成于设置在铜电路板的另一面上的凹部内。

公开(公告)号：CN106537580A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580039392.5

申请日：2015-07-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 青野良太 ,  汤浅晃正 ,  宫川健志

IPC: H01L23/13 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/38

CPC classification number: H05K1/0271 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/3006 ,  C04B37/02 ,  C04B37/026 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/366 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/74 ,  C09K5/14 ,  H01L23/3735 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/0306 ,  H05K1/053 ,  H05K3/022 ,  H05K3/061 ,  H05K3/067 ,  H05K3/4611 ,  H05K2201/068 ,  H05K2203/0285 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于获得对超声波接合具有优异的耐裂纹性的陶瓷电路基板。本发明通过下述陶瓷电路基板解决上述课题，所述陶瓷电路基板的特征在于，在陶瓷基板的一面接合有金属电路板、在另一面接合有金属散热板，金属电路板的结晶粒径为20μm以上且70μm以下。该陶瓷电路基板可以如下制造：分别在陶瓷基板的一面配置金属电路板、在另一面配置金属散热板，以真空度为1×10-3Pa以下、接合温度为780℃以上且850℃以下、保持时间为10分钟以上且60分钟以下进行接合，从而制造。