公开(公告)号：CN114929650A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202180008663.6

申请日：2021-03-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  江嶋善幸 ,  小桥圣治 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  H05K3/38

Abstract: 本发明提供电路基板，其为陶瓷基板与金属电路板隔着包含银的钎料层接合的电路基板，其中，通过EBSP法求出的上述钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。本发明提供接合体，其为陶瓷基板与金属板隔着包含银的钎料层接合的接合体，其中，通过EBSP法求出的钎料层中的银部的KAM值的平均值为0.55°以下。

公开(公告)号：CN110691762B

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN201880036114.8

申请日：2018-05-29

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  原田祐作 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/19 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K3/20

Abstract: 提供一种耐热循环特性优异的陶瓷电路基板。一种陶瓷电路基板，其特征在于，在陶瓷基板的至少一个主面介由接合钎料接合有金属板，以金属成分计，相对于Ag93.0～99.4质量份、Cu0.1～5.0质量份、Sn0.5～2.0质量份的合计100质量份，上述接合钎料含有0.5～4.0质量份的选自钛、锆、铪、铌中的至少1种活性金属，陶瓷基板与金属板之间的接合钎料层组织中的富Cu相的平均尺寸为3.5μm以下，个数密度为0.015个/μm2以上。一种陶瓷电路基板的制造方法，其包含：在接合温度855～900℃、保持时间10～60分钟的条件下进行接合。

公开(公告)号：CN113165986A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980075826.5

申请日：2019-11-22

Applicant: 电化株式会社

Inventor： 汤浅晃正 ,  中村贵裕 ,  森田周平 ,  西村浩二

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/14 ,  H01L23/15 ,  H05K3/38

Abstract: 平板状陶瓷‑铜复合体，其具备陶瓷层、铜层、和存在于陶瓷层与铜层之间的钎料层。其中，将该陶瓷‑铜复合体沿着垂直于其主面的面切断且将此时的切断面中的长边方向的长度为1700μm的区域设为区域P时，至少一部分存在于区域P1中的铜晶体的平均晶体粒径D1为30μm以上100μm以下，所述区域P1为区域P中的、从陶瓷层与钎料层的界面起在铜层侧的50μm以内的区域。