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公开(公告)号：CN102203955B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200980144167.2
申请日：2009-10-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L31/042 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L31/18
Abstract: 一种制造太阳能电池的技术。在一特定的例示性实施例中，所述技术可以包括在太阳能电池的上方设置罩幕，所述罩幕包括多个条状物，其中所述多个条状物彼此相间隔以定义出至少一狭缝；将所需物种的带状离子束导向所述太阳能电池，以离子植入所述太阳能电池的一部分，其中所述太阳能电池的所述部分由所述罩幕的所述至少一狭缝所定义；以及定向所述带状离子束，使所述带状离子束的较长剖面尺寸在一平面上与所述狭缝垂直。
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公开(公告)号：CN102428541A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080019578.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/045 , H01J2237/31711 , H01L31/18 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
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公开(公告)号：CN104285273B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380023331.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01L21/265 , C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/022 , H01J2237/0825
Abstract: 本发明的处理基板的方法可由离子植入系统来实现，此离子植入系统包括具有离子源腔室的离子源。离子源腔室具有定义离子产生区及萃取孔的壁，经由萃取孔萃取离子产生区中产生的离子。萃取系统位于靠近萃取孔的离子源下游。材料源包括包含第一材料的第一源、包含第二材料的第二源、及第一导管与第二导管，第一导管可与第一源及离子源腔室连通，以提供来自第一源的第一材料至离子源腔室，且第二导管与第二源连通。离子源腔室外侧的第一区提供来自第二源的第二材料至第一区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102428541B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201080019578.1
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/266 , H01L31/18
CPC classification number: H01L21/266 , H01J37/3171 , H01J2237/024 , H01J2237/045 , H01J2237/31711 , H01L31/18 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可使用用于处理基板的遮罩而达成。所述遮罩可并入至诸如离子植入系统的基板处理系统中。所述遮罩可包括：第一基座；以及多个指状物，其彼此间隔开以界定一或多个间隙。
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公开(公告)号：CN102428543B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201080021681.X
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L31/068 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本文中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可作为用于处理基板的方法而实现。所述方法可包括：沿离子束路径将包括多个离子的离子束自离子源引导至基板；在所述离子源与所述基板之间在所述离子束路径中安置遮罩的至少一部分；以及使所述基板及所述遮罩中的一者相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。
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公开(公告)号：CN103229288A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201180056752.4
申请日：2011-09-23
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/677 , H01J37/317 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/677 , H01J37/3171 , H01J2237/31711 , H01L21/68735 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明揭示了改良的、低成本的制作基板的方法以创造太阳能电池。此外，还揭示了改良的基板载具。一般用以运载基板的载具被改良，以便来当作图案化植入的遮蔽罩幕。在一些实施例中，各种图案能够利用载具产生而出，使得可藉由改变载具或载具的位置来执行在基板上不同的制程步骤。另外，因为基板对载具的对准是重要的，所以载具可包括对准特征来确保基板能够在载具上适当地定位好。在一些实施例中，重力会被用来支撑在载具上的基板，且因此离子被引导离子以便使离子束向上朝向载具的底侧行进。
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公开(公告)号：CN102971825A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201080051532.8
申请日：2010-11-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 安东尼·雷诺 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒 , 约瑟·C·欧尔森 , 维克拉姆·辛 , 詹姆士·布诺德诺 , 迪帕克·瑞曼帕 , 拉塞尔·J·罗 , 阿塔尔·古普塔 , 凯文·M·丹尼尔斯
IPC: H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/265 , H01L21/266 , C23C14/48
CPC classification number: B01J19/081 , H01J37/3171 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01J2237/0453 , H01J2237/1205 , H01L21/2236 , H01L31/022425 , H01L31/068 , H01L31/08 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种等离子体处理装置包括等离子体源，所述等离子体源经组态以在等离子体腔室中产生等离子体，以使得所述等离子体含有用于植入至工件中的离子。所述装置亦包含具有孔隙配置的聚焦板配置，所述聚焦板配置经组态以修改接近所述聚焦板的所述等离子体的等离子体外鞘的形状，以使得离开所述孔隙配置的孔隙的离子界定聚焦离子。所述装置还包含与所述聚焦板隔开的含有工件的处理腔室，以使得在所述工件处的所述聚焦离子的固定植入区域实质上比所述孔隙窄。所述装置经组态以藉由在离子植入期间扫描所述工件而在所述工件中形成多个图案化区。
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公开(公告)号：CN102428543A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201080021681.X
申请日：2010-04-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L31/068 , H01J2237/31711 , H01L21/266 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本文中揭示一种用于处理基板的改良技术。在一特定例示性实施例中，所述技术可作为用于处理基板的方法而实现。所述方法可包括：沿离子束路径将包括多个离子的离子束自离子源引导至基板；在所述离子源与所述基板之间在所述离子束路径中安置遮罩的至少一部分；以及使所述基板及所述遮罩中的一者相对于所述基板及所述遮罩中的另一者平移。
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