公开(公告)号：CN101802980A

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200880107324.8

申请日：2008-09-17

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 朱利安·G·布雷克 ,  由里·艾洛克海 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/20 ,  H01J2237/0815 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31703 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6831

Abstract: 本发明揭示了一种离子植入机。一个这样的离子植入机包括离子束源和分析器磁体，此离子束源用于产生氧、氮、氦或氢离子为具有特定剂量范围的离子束，此分析器磁体用于自离子束移除不想要的物质。此离子植入机包括一种具有背面气体热耦合的静电夹盘，此静电夹盘用于固持单个工件来通过离子束进行硅绝缘体的植入且用于将此工件冷却至大约300℃至600℃的温度范围。

公开(公告)号：CN101681820A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880015242.0

申请日：2008-04-04

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 爱德温·A·阿雷瓦洛 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  安东尼·雷诺 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01J2237/2001 ,  H01J2237/31701 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26593

Abstract: 本发明揭示形成浅接合的技术。在一个特定示范性实施例中，技术可被实现为形成浅接合的方法。此方法可包括生成包括分子离子的离子束，分子离子基于由下列各物所构成的群族中选出的一种或多种物质：二锗烷(Ge 2 H 6 )、氮化锗(Ge 3 N 4 )、锗-氟化合物(GF n ，其中n＝1、2或3)，以及其它含锗化合物。此方法亦可包括使离子束冲击半导体晶片。

公开(公告)号：CN101584018A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200780049119.6

申请日：2007-11-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  克里斯多夫·R·汉特曼 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  约瑟·C·欧尔森

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01J27/02

CPC classification number: Y02E60/324

Abstract: 本发明揭示一种用于产生原子或分子离子束的具有双抽吸模式的离子植入装置及其方法。在一个特定示范性实施例中，提供一种离子植入设备，其用于控制对应于所产生的离子束种类的离子束源外壳内的压力。离子植入设备可包含离子束源外壳，其包括用于离子束产生的多个种类。还可包含抽吸区段，用于从离子束源外壳排放气体。可进一步包含控制器，用于根据对应于用于离子束产生的多个种类中的一种类的抽吸参数来控制抽吸区段。

公开(公告)号：CN101578680A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200780049272.9

申请日：2007-11-08

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 克里斯多夫·R·汉特曼 ,  杰·汤玛斯·舒尔 ,  拉塞尔·J·罗 ,  摩根·D·艾文斯 ,  乔纳森·吉罗德·英格兰

IPC: H01J7/18 ,  H01J27/02 ,  H01J37/317 ,  C01B3/00

CPC classification number: Y02E60/324

Abstract: 一种从离子注入机移除分子裂片的技术。在一实施例中，此技术可以是用于从离子注入机移除分子裂片的装置。该装置包括供应机构，其配置为耦接离子源室并向该离子源室供应进料材质。该装置还包括一种或多种氢吸收材质，其放置在进料材质的引流路径内，用以防止进料材质中的至少一部分含氢分子裂片进入离子源室。

公开(公告)号：CN101563751A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780043672.9

申请日：2007-11-19

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 乔纳森·吉罗德·英格兰 ,  理查·S·默卡 ,  D·杰弗里·里斯查尔

IPC: H01J37/317 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/67005

Abstract: 本发明公开了一种低温离子植入技术。在一特殊实施例中，此技术可体现为低温离子植入装置。此低温离子植入装置可包括晶圆支撑机构，晶圆支撑机构在离子植入过程中支撑着晶圆且帮助晶圆在至少一维空间里移动。此低温离子植入装置也可包括冷却机构，其耦接到晶圆支撑机构。此冷却机构可包括：制冷单元；闭环刚性管，让至少一种冷却剂从制冷单元循环流动到晶圆支撑机构；以及一个或多个旋转式轴承，耦接刚性管，以帮助晶圆在至少一维空间里移动。