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公开(公告)号：CN100394588C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200510062739.6
申请日：2005-03-29
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/01 , G01K7/42 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体集成电路器件，其中在P型硅基片顶部表面和多级布线层处设置逻辑电路区。所述器件还设有温度传感器区，其中在多级布线层的上方设有由氧化钒构成的第一温度监视元件。在多级布线层的最底下层处设有由Ti构成的第二温度监视元件。第一和第二温度监视元件串联连接在地电位布线和电源电位布线之间，具有一个连接到所述二元件接点上输出端。第一温度监视元件的电阻率的温度系数是负的，而第二温度监视元件的是正的。
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公开(公告)号：CN100385666C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200510055997.1
申请日：2005-03-24
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/16 , H01L23/522 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件中，提供了由氧化钒制成的片状温度监控器元件，其一端与一个通路相连，而另一端与另一个通路相连。由铝制成的片状导热层位于温度监控器元件之下。在平面图中，等于或大于整个温度监控器元件的一半的区域覆盖了导热层。
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公开(公告)号：CN1655356A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510007923.0
申请日：2005-02-05
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01C7/1013 , H01L27/16 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分中，形成多层布线结构的最上布线层的布线。在布线的两个之间以覆盖两个布线的方式提供氧化钒的片状温度监视元件。因此，温度监视元件通过最上布线层的两个过孔和两个布线连接在多层布线结构的下面的布线层的两个布线之间。
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公开(公告)号：CN1645613A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510004377.5
申请日：2005-01-17
Applicant: 恩益禧电子股份有限公司 , 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L23/34 , G01K7/015 , H01L23/522 , H01L27/0248 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体集成电路器件的温度传感器部分，由钨制成的第一通路形成在多层布线层的最顶层，而由钛制成的衬垫设置在覆盖该通路的多层布线层的区域上。绝缘层以覆盖多层布线层和衬垫的方式设置，第二通路设置成到达该衬垫。通过反应喷溅把氧化钒隐藏在第二通路中，而氧化钒温度监视部件以与第二通路彼此连接的方式设置。于是温度监视部件被连接在两条布线之间。
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公开(公告)号：CN1222029A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98122331.1
申请日：1998-11-11
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 中柴康隆
IPC: H04N5/225
Abstract: 一种图像传感器,具有多个导电材料制成的遮光片,各遮光片上开有各自的孔口。在一个半导体上形成单元元件矩阵阵列。各单元元件有光敏区、浮动扩散区和传输门。光敏区供接收通过相应遮光片的孔口照射到图像的光以产生光产生的电子。传输门将光产生的电子从光敏区传感到浮动扩散区。此外还配备了一个放大晶体管,其控制端接浮动扩散区,供放大浮动扩散区中产生的电压其另一个控制端接相应的遮光片,给各遮光片加上随浮动扩散区的电位而变化的偏压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181698A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202410611439.1
申请日：2024-05-16
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/66 , H01F27/28 , H01F27/08 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/528
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。提供可以抑制变压器中的产热的半导体器件。半导体器件包括第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、引线，以及绝缘层。引线被形成在与第一线圈和第二线圈相同的层上。第一线圈和第二线圈在平面图中通过引线彼此相邻并且通过引线串联电连接。绝缘层覆盖第一线圈和第二线圈，以及引线。第三线圈被形成在第一线圈上从而穿过绝缘层面向第一线圈。第四线圈被形成在第二线圈上从而穿过绝缘层面向第二线圈。第三线圈和第四线圈在平面图彼此相邻并且彼此电连接。
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公开(公告)号：CN110634864B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN201910527843.X
申请日：2019-06-18
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L23/522 , H01L23/66 , H01L21/8238
Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，半导体衬底包括块体层、设置在块体层上的至少一部分区域中的掩埋氧化物层、以及掩埋氧化物层上的表面单晶层。电感器设置在半导体衬底的主表面侧上方，表面单晶层布置在半导体衬底的主表面侧。为了增大电感器的Q值，接地屏蔽是在电感器下方和掩埋氧化物层下方的块体层中形成的杂质区域。
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公开(公告)号：CN116545213A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310024285.1
申请日：2023-01-09
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，第一半导体芯片具有n型第一MOSFET和第一寄生二极管，第二半导体芯片具有n型第二MOSFET和第二寄生二极管。第一源极电极和第一栅极布线形成在第一半导体芯片的第一前表面上，并且第一漏极电极形成在第一半导体芯片的第一后表面上。第二源极电极和第二栅极布线形成在第二半导体芯片的第二前表面上，并且第二漏极电极形成在第二半导体芯片的第二后表面上。第一后表面和第二后表面彼此面对，使得第一漏极电极和第二漏极电极经由导电带彼此接触。
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公开(公告)号：CN116454087A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202211597332.3
申请日：2022-12-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L21/8222 , H01L29/06
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件及其制造方法。确保了半导体器件的可靠性，并且提高了器件的性能。包括区域1A和区域2A的半导体器件包括具有前表面BS1、BS2和背表面SUB的n型半导体衬底TS、形成在区域1A中的半导体衬底上的IGBT和形成在区域2A中的半导体衬底SUB上的二极管。而且区域1A中的半导体衬底SUB的厚度T1小于区域2A中的半导体衬底的厚度T2。
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公开(公告)号：CN116053242A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211138784.5
申请日：2022-09-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/18 , H01L25/04
Abstract: 本公开涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。提高了半导体器件的可靠性。该半导体器件包括夹持件，该夹持件经由第一银膏电气连接到主晶体管源极焊盘并且经由第二银膏连接到引线。夹持件具有第一银膏与其接触的“第一部分”、第二银膏与其接触的“第二部分”、以及位于“第一部分”与“第二部分”之间的“第三部分”。主晶体管源极焊盘的表面上形成有突出构件，并且“第一部分”与突出构件接触。
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