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公开(公告)号：CN105826325B
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN201610053633.8
申请日：2016-01-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L29/423
Abstract: 本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。改进了具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性。非易失性存储器的存储器单元是分离栅极型，并且在半导体衬底中具有第一n型半导体区域和第二n型半导体区域、经由第一绝缘膜形成在半导体区域之间的衬底之上的控制电极、和经由具有电荷累积部分的第二绝缘膜形成在第一n型半导体区域和第二n型半导体区域之间的衬底之上的存储器栅极电极。SSI方法用于向存储器单元写入。在存储器单元的读出操作期间，第一半导体区域和第二半导体区域分别用作源极区域和漏极区域。形成为与存储器栅极电极的侧表面相邻的第一侧壁间隔件的第一宽度，大于形成为与控制栅极电极的侧表面相邻的第二侧壁间隔件的第二宽度。
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公开(公告)号：CN108807415A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810367957.8
申请日：2018-04-23
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L23/64 , H01L29/423
Abstract: 为了减小在半导体衬底上包括非易失性存储器和电容元件的半导体设备的尺寸，本公开提供了一种半导体设备。在半导体衬底的主面的电容元件区域中，从主面突出的鳍沿着Y方向布置同时沿着X方向延伸。在半导体衬底的主面的电容元件区域中，电容元件的电容器电极沿着X方向交替布置同时与鳍相交。鳍形成在布置在半导体衬底的非易失性存储器的存储器单元阵列中布置的其他鳍的形成步骤中。在非易失性存储器的控制栅电极的形成步骤中形成一个电容器电极。在非易失性存储器的存储栅电极的形成步骤中形成另一电容器电极。
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公开(公告)号：CN107564911A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710419201.9
申请日：2017-06-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 绪方完
IPC: H01L27/115 , H01L27/11568
Abstract: 在具有非易失性存储器的半导体器件的性能方面实现了改进。第一存储单元包括在半导体衬底之上形成为彼此相邻的第一控制栅极电极和第一存储栅极电极。第二存储单元包括在半导体衬底之上形成为彼此相邻的第二控制栅极电极和第二存储栅极电极。形成在第二存储栅极电极的与第二存储栅极电极的其中第二存储栅极电极与第二控制栅极电极相邻的侧相对的侧上的侧壁间隔件的宽度小于形成在第一存储栅极电极的与第一存储栅极电极的其中第一存储栅极电极与第一控制栅极电极相邻的侧相对的侧上的另侧面壁间隔件的宽度。包括处于中性状态下的第一存储器栅极电极的第一存储晶体管的阈值电压不同于包括处于中性状态下的第二存储栅极电极的第二存储晶体管的阈值电压。
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公开(公告)号：CN106024791A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610147916.9
申请日：2016-03-15
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Inventor： 绪方完
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 本发明公开了一种性能改进的半导体器件。在该半导体器件中，形成于存储器单元中的偏移间隔件由硅氧化物膜和硅氮化物膜的层压膜形成，并且硅氧化物膜特别地形成为与存储器栅极电极的侧壁以及电荷储存膜的侧端部分直接接触；另一方面，形成于MISFET中的偏移间隔件由硅氮化物膜形成。特别地在MISFET中，硅氮化物膜与栅极电极的侧壁以及高介电常数膜的侧端部分直接接触。
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