公开(公告)号：CN106992209A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201611094345.3

申请日：2016-12-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 中山知士 ,  川口宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/7788 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/7787

Abstract: 本申请涉及半导体器件及其制造方法。在使用氮化物半导体的半导体器件中，防止MISFET具有降低的可控性，这在构成MISFET的栅极电极的钨膜具有拉伸应力时会发生。通过具有相对小的晶粒尺寸并且不具有拉伸应力的晶粒的钨膜，形成具有AlGN/GaN异质结的MISFET的栅极电极。钨膜的晶粒的晶粒尺寸小于构成栅极电极并形成在钨膜下方的势垒金属膜的晶粒的晶粒尺寸。

公开(公告)号：CN105390539A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510524932.0

申请日：2015-08-25

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 川口宏

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/408 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/423 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件。半导体器件包括：每个均形成在衬底上方的沟道层、阻挡层、第一绝缘膜和第二绝缘膜；穿透第二绝缘膜、第一绝缘膜和阻挡层到达沟道层的中间的沟槽；和经由栅绝缘膜布置在沟槽中和第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜的带隙小于第一绝缘膜的带隙，且第二绝缘膜的带隙小于栅绝缘膜GI的带隙。因此，能够在第二(上)绝缘膜中积累电荷(电子)，从而能够增强在沟槽的角部处的电场强度。结果，甚至在沟槽的角部处也完全形成沟道，从而能够减小导通电阻，并增加导通电流。