公开(公告)号：CN101783168B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201010003179.8

申请日：2010-01-14

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 小松成亘 ,  山冈雅直 ,  前田德章 ,  森本薰夫 ,  岛崎靖久

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C7/08 ,  G11C7/22 ,  G11C7/227

Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路器件，其包括多条字线(wl[0]～)、多条位线(bt[0]、bb[0]～)、多个常规存储单元(MEMCELL)、存取控制电路(WD、CTRL)、多个读出放大器(SA)、第一和第二复制位线(rplbt[0]、[1])、第一和第二复制存储单元(RPLCELL)、第一和第二逻辑电路(INV0、1)。分别在第一和第二复制位线上连接第一和第二复制存储单元，在第一和第二复制位线(rplbt[0]、[1])上分别连接第一和第二逻辑电路(INV0、1)的输入，从第二逻辑电路的输出生成读出放大器使能信号(sae)，该信号(sae)被提供给多个读出放大器(SA)。即使使用了复制位线的存储器的存储容量大容量化，也能减少读出放大器使能信号的生成定时的变化。

公开(公告)号：CN101866686A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010166777.7

申请日：2005-06-24

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前田德章 ,  篠崎义弘 ,  山冈雅直 ,  岛崎靖久 ,  礒田正典 ,  新居浩二

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/412 ,  G11C5/063 ,  G11C5/14 ,  G11C11/419 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明提供一种设有SRAM的半导体集成电路器件，它以低供给电压满足SNM和写余量的需求。该半导体集成电路器件包括：对应多个字线和多个互补位线设置的多个静态存储单元；多个存储单元电源线，每个存储单元电源线向连接到多个互补位线的每个的多个存储单元的每个供给工作电压；由电阻单元构成的多个电源电路，每个电源电路向每个存储单元电源线供给电源电压；和向互补位线供给对应电源电压的预充电电压的预充电电路，其中存储单元电源线构成为具有耦合电容，由此在相应互补位线上传输写信号。