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公开(公告)号：CN119997519A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202411574425.3
申请日：2024-11-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及半导体器件。半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一线圈、第二线圈、第三线圈、第四线圈、第一保护环和第二保护环。第一线圈和第二线圈被形成在半导体衬底上。第三线圈通过绝缘膜面向第一线圈。第四线圈通过绝缘膜面向第二线圈。第一保护环被形成为在平面视图中围绕第三线圈。第二保护环被形成为在平面视图中围绕第四线圈。第一保护环和第二保护环彼此相邻，同时在平面视图中彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN119314982A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410923471.3
申请日：2024-07-10
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括半导体衬底、第一线圈、第二线圈、第三线圈和第四线圈、绝缘层和第一屏蔽件。该半导体衬底具有器件区域和周边区域。在平面图中，该周边区域存在于该器件区域周围。该第一线圈和该第二线圈被布置在该器件区域上并且被布置在平面图中的第一方向上。该第三线圈和该第四线圈经由该绝缘层分别与该第一线圈和该第二线圈相对。该第一屏蔽件布置在该半导体衬底与该第一线圈和该第二线圈之间并且在平面图中与该第一线圈和该第二线圈重叠。该第一屏蔽件在与该第一方向正交的第二方向上的宽度大于该第一线圈在该第二方向上的宽度和该第二线圈在该第二方向上的宽度。该第一屏蔽件被电连接到参考电位。
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公开(公告)号：CN118055692A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311407909.4
申请日：2023-10-27
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H10N97/00 , H01L25/18 , H01L23/522 , H01F19/00 , H01G4/002 , H01G4/005 , H02M7/00 , H02M7/5387 , H02M1/088 , H02P27/06
Abstract: 本公开的各实施例涉及电子设备。作为第二变压器的组件的第二下部电感器与第二上部电感器之间的第二距离比作为第一变压器的组件的第一下部电感器与第一上部电感器之间的第一距离小。
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公开(公告)号：CN117790478A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311145382.2
申请日：2023-09-06
Applicant: 瑞萨电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置，其中半导体芯片包括在不同电位之间执行无接触通信的变压器。半导体芯片包括半导体衬底、在半导体衬底的上表面中形成的半导体区域以及在半导体衬底之上形成的变压器。这里，变压器包括下电感器、电连接到下电感器的引线布线部分以及磁耦合到下电感器的上电感器100，并且引线布线部分具有面向半导体区域的布线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117352534A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310756652.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件，具有半导体衬底、半导体衬底上的BOX膜、BOX膜上的半导体层、穿透半导体层并且到达第一绝缘膜的第一沟槽，第一绝缘膜覆盖第一沟槽的侧表面并在第一沟槽的底部与BOX膜的上表面接触，在第一沟槽的底部形成的第二沟槽，以使第二沟槽穿过第一绝缘膜并且到达BOX膜中，第二绝缘膜填充在第一沟槽和第二沟槽中。第二沟槽的底表面被定位在低于半导体层与BOX膜之间的界面的BOX膜中，并且空隙位于第二绝缘膜中与界面相同的高度处。
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公开(公告)号：CN105051886B
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201380075051.4
申请日：2013-03-25
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/04
CPC classification number: H01L21/3205 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/49575 , H01L23/5227 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/06 , H01L27/0617 , H01L27/0688 , H01L28/10 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/45099 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48465 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01015
Abstract: 在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
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公开(公告)号：CN117747589A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310951346.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L23/522
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置。半导体芯片包括下布线层、形成在下布线层上的多层布线层，以及形成在多层布线层上的上布线层。这里，下布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度，并且上布线层中所设置的布线的厚度大于多层布线层中所设置的多个布线中的每个布线的厚度。作为变压器的组件的下电感器被设置在下布线层中，并且作为变压器的组件的上电感器被设置在上布线层中。
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