公开(公告)号：CN114981928A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202180010325.6

申请日：2021-01-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  古野健太 ,  古贺遥

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  C09J7/38

Abstract: 本发明涉及被粘附物的剥离方法、包括实施所述剥离方法的工序的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述剥离方法的工序的半导体装置的制造方法，所述被粘附物的剥离方法包括：工序(S1)：将多个被粘附物贴合于粘合剂层(X1)的工序；以及，工序(S2)：使贴合有所述多个被粘附物中的一部分被粘附物的区域的所述粘合剂层(X1)的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分被粘附物与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。

公开(公告)号：CN108155142B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201810059237.5

申请日：2012-09-27

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  古馆正启 ,  高野健

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  C09J7/40

Abstract: 本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。

公开(公告)号：CN104685609B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201380051745.4

申请日：2013-10-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高山佳 ,  篠田智则 ,  佐伯尚哉 ,  高野健

IPC: H01L21/683 ,  C09J133/02 ,  C09J7/40

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J133/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/005 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。

公开(公告)号：CN114930503A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202080090569.5

申请日：2020-12-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  B32B27/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  C08J5/18 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供能够使半导体芯片的强度提高、同时能够抑制保护膜的剥落的包含固化性树脂膜的套件。作为解决该课题的套件，提供包含第一固化性树脂膜(x1)和第二固化性树脂膜(x2)的套件，所述第一固化性树脂膜(x1)用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的所述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的第一固化树脂膜(r1)，所述第二固化性树脂膜(x2)用于在所述半导体芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面形成作为保护膜的第二固化树脂膜(r2)。

公开(公告)号：CN114902377A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080090603.9

申请日：2020-12-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。

公开(公告)号：CN103903980B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410156191.0

申请日：2011-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  若山洋司

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/78 ,  C09J133/08 ,  C09D163/02 ,  C09D163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/78 ,  C09J7/22 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/26 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/564 ,  H01L24/32 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种芯片用树脂膜形成用片材及半导体芯片的制造方法，其课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分（A）、固化性成分（B）和吸杂剂C）。

公开(公告)号：CN104838491A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201380063150.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高野健 ,  篠田智则 ,  吾妻佑一郎

IPC: H01L23/29 ,  B32B27/30 ,  C08J5/18 ,  C08L63/00 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31

CPC classification number: C08L63/00 ,  B32B27/308 ,  C08G59/4021 ,  C08G59/4261 ,  C08K3/36 ,  C08K5/5435 ,  C08L33/068 ,  C08L33/10 ,  C08L83/04 ,  C09D133/10 ,  H01L23/293 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  C08L33/06 ,  C08F220/14 ,  C08F220/20 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/1825

Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用膜，其用于形成保护半导体芯片的保护膜，所述保护膜形成用膜含有(A)丙烯酸类聚合物、(B)环氧类固化性成分及(C)填充材料，构成(A)丙烯酸类聚合物的单体以全部单体的8质量％以下的比例包含含有环氧基团的单体，并且(A)丙烯酸类聚合物的玻璃化转变温度为-3℃以上，所述保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的至少一面按照JIS Z8741测定的光泽值为20以上。

公开(公告)号：CN104685609A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201380051745.4

申请日：2013-10-04

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 高山佳 ,  篠田智则 ,  佐伯尚哉 ,  高野健

IPC: H01L21/301 ,  C09J7/02 ,  C09J133/00

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/40 ,  C09J133/02 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/005 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68336

Abstract: 本发明提供一种带有保护膜形成层的切片，其具备经过预切割的固化性的保护膜形成层，即使在其制造时通过冲刀进行脱模加工，保护膜形成层也不变形。本发明的带有保护膜形成层的切片(10)的特征在于，将固化性的保护膜形成层(4)可剥离地临时粘接于外周部具有粘合部的支撑体(3)的内周部上，且该保护膜形成层在固化前于23℃下的储能模量为0.6～2.5GPa。

公开(公告)号：CN102834903A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180017214.4

申请日：2011-03-30

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  若山洋司

IPC: H01L21/322 ,  C09J7/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  C09J7/22 ,  C09J2203/326 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/26 ,  H01L23/293 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/564 ,  H01L24/32 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题在于在对半导体晶片、芯片不进行特别处理的情况下，赋予所得到的半导体装置以吸杂功能。该课题是通过提供本发明的芯片用树脂膜形成用片材而得以解决的，所述芯片用树脂膜形成用片材的特征在于：具有剥离片材和在所述剥离片材的剥离面上形成的树脂膜形成层，且所述树脂膜形成层含有粘合剂聚合物成分(A)、固化性成分(B)和吸杂剂(C)。

公开(公告)号：CN117561588A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280045281.5

申请日：2022-06-17

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尭 ,  四宫圭亮 ,  中石康喜

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明为一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：在减压环境下，将具备支撑片(11)与设置在支撑片(11)的一个面(11a)上的固化性树脂膜(12)的保护膜形成用片(1)中的固化性树脂膜(12)贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的工序；通过使贴附后的固化性树脂膜(12)固化，从而在上述晶圆的所述面上形成保护膜的工序；及通过将形成所述保护膜后的晶圆分割并切断所述保护膜，从而得到具备芯片与设置在所述芯片上的切断后的所述保护膜的带保护膜的芯片的工序，在晶圆的所述面上形成有成为晶圆的分割位置的沟槽。