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    带保护膜的半导体芯片的剥离方法
    12.
    发明公开
    带保护膜的半导体芯片的剥离方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN115023801A

    公开(公告)日：2022-09-06

    申请号：CN202180010299.7

    申请日：2021-01-20

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 根本拓 ,  田村樱子 ,  古野健太 ,  古贺遥

    IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L21/67 ,  H01L21/301

    Abstract: 本发明涉及带保护膜的半导体芯片的剥离方法、包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的带保护膜的半导体芯片的制造方法、以及包括实施所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法的工序的包含带保护膜的半导体芯片的半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的剥离方法包括：工序(S1)：将多个带保护膜的半导体芯片以所述保护膜侧为贴合面贴合于粘合剂层(X1)的工序；工序(S2)：使所述多个带保护膜的半导体芯片中的一部分带保护膜的半导体芯片的所述保护膜的至少一部分升华而产生气体，使所述一部分带保护膜的半导体芯片与所述粘合剂层(X1)的粘接力降低的工序。

    片材粘贴方法
    15.
    发明授权
    片材粘贴方法 有权

    公开(公告)号：CN112655082B

    公开(公告)日：2024-05-24

    申请号：CN201980058925.2

    申请日：2019-09-19

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 根本拓

    IPC: H01L21/683 ,  B65C1/04 ,  B65C9/26

    Abstract: 本发明提供片材粘贴方法，即使采用通过赋予规定的能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态的片材作为第一片材，形成经由第一片材和第二片材将被粘合体支撑于框架部件而成的一体物，并为了使该第一片材变化成规定的状态而赋予了规定的能量，也不会在第二片材上形成褶皱。该片材粘贴方法实施以下工序：第一片材准备工序，准备第一片材(AS1)，该第一片材(AS1)通过被赋予规定的能量而变化成规定的状态；第二片材准备工序，准备第二片材(AS2)；第一粘贴工序，在被粘合体(WK)的一个面(WK1)上粘贴第一片材(AS1)；第二粘贴工序，在粘贴于被粘合体(WK)的第一片材(AS1)和框架部件(RF)上粘贴第二片材(AS2)，形成经由第一片材(AS1)和第二片材(AS2)将被粘合体(WK)支撑于框架部件(RF)而成的一体物(UP)；以及能量赋予工序，对一体物(UP)赋予能量，使第一片材(AS1)变化成规定的状态，第一片材(AS1)通过被赋予能量从而伴随规定的变形而变化成规定的状态，在第一片材准备工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，准备具有不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的形状的第一片材(AS1)，在第一粘贴工序中，考虑到第一片材(AS1)在能量赋予工序中被赋予能量而引起规定的变形，以不从被粘合体(WK)的一个面(WK1)伸出的方式，在该被粘合体(WK)上粘贴该第一片材(AS1)。

    半导体芯片的制造方法
    18.
    发明公开
    半导体芯片的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114902377A

    公开(公告)日：2022-08-12

    申请号：CN202080090603.9

    申请日：2020-12-25

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

    IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    Abstract: 一种半导体芯片的制造方法，其依次包含下述工序(S1)～(S4)，·工序(S1)：准备半导体芯片制作用晶圆的工序，在该半导体芯片制作用晶圆中，在具有带凸块的凸块形成面的半导体晶圆的所述凸块形成面，以未达到背面的方式形成有作为分割预定线的槽部；·工序(S2)：将第一固化性树脂(x1)按压并贴付于所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面，利用第一固化性树脂(x1)覆盖所述半导体芯片制作用晶圆的所述凸块形成面的同时，将所述第一固化性树脂(x1)嵌入在所述半导体芯片制作用晶圆形成的所述槽部的工序；·工序(S3)：使所述第一固化性树脂(x1)固化，得到带有第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆的工序；·工序(S4)：将带有所述第一固化树脂膜(r1)的半导体芯片制作用晶圆沿着所述分割预定线单片化，得到至少所述凸块形成面以及侧面被所述第一固化树脂膜(r1)覆盖的半导体芯片的工序；在所述工序(S2)之后且所述工序(S3)之前、在所述工序(S3)之后且所述工序(S4)之前、或者在所述工序(S4)中，还包含下述工序(S‑BG)，·工序(S‑BG)：研磨所述半导体芯片制作用晶圆的所述背面的工序。

    片材粘贴方法以及片材粘贴装置
    19.
    发明公开
    片材粘贴方法以及片材粘贴装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN113921407A

    公开(公告)日：2022-01-11

    申请号：CN202110771360.1

    申请日：2021-07-08

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 根本拓 ,  田村和幸

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683

    Abstract: 片材粘贴方法是将粘接片材(AS)粘贴在具有电路区域(WK3)的被粘接体(WK)上的片材粘贴方法，其实施如下工序：开口部形成工序，其在粘接片材(AS)上形成开口部(AS1)；粘贴工序，其使开口部(AS1)与电路区域(WK3)对应，以粘接片材(AS)不粘贴在电路区域(WK3)上的方式将该粘接片材(AS)粘贴在被粘接体(WK)上；在开口部形成工序中，对粘接片材(AS)赋予规定的能量，与电路区域(WK3)的形状一致地形成开口部(AS1)。

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