公开(公告)号：CN112839767A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202080005527.7

申请日：2020-02-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 野末乔城 ,  四宫圭亮

IPC: B23K26/53 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种带有第一保护膜的工件加工物的制造方法，所述带有第一保护膜的工件加工物具备工件加工物和形成在所述工件加工物的凸状电极形成面上的第一保护膜，所述带有第一保护膜的工件加工物的制造方法具有：在工件的凸状电极形成面上贴附热固性树脂膜的工序；使贴附后的所述热固性树脂膜进行热固化，形成第一保护膜的工序；通过从所述工件的具备所述第一保护膜的一侧隔着所述第一保护膜对所述工件照射激光，从而在所述工件的内部形成改质层的工序；及通过将形成所述改质层后的所述工件在平行于其电路面的方向上与所述第一保护膜一同进行扩展，从而在所述改质层的部位分割所述工件，得到工件加工物的工序。

公开(公告)号：CN111357088A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880072999.7

申请日：2018-11-16

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮 ,  佐藤明德

IPC: H01L21/60 ,  G01N23/2209 ,  H01L21/304

Abstract: 本实施方式的带第一保护膜的半导体芯片具备半导体芯片、与形成于所述半导体芯片的具有凸块的面上的第一保护膜，在通过能量色散X射线光谱法对所述凸块的头顶部进行分析，测定碳的检测信号的强度S(C)与锡的检测信号的强度S(Sn)时，S(C)/S(Sn)的值为0.32以下。

公开(公告)号：CN114729142B

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202180006480.0

申请日：2021-02-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮 ,  森下友尭

IPC: B32B27/00 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供一种树脂膜，其为固化性的树脂膜，将厚度为0.5mm、宽度为4.5mm的所述树脂膜的固化物用作第一试验片，对第一试验片进行热机械分析，测定第一试验片的温度从‑75℃开始到成为与玻璃化转变温度相同的温度为止的所述第一试验片的线膨胀率α1时，所述α1为65ppm/K以下，所述热机械分析中，以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热，由此使第一试验片的温度从常温上升至100℃，接着以5℃/分钟的降温速度对第一试验片进行冷却，由此使第一试验片的温度下降至‑75℃，接着以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热，由此使第一试验片的温度上升至260℃。

公开(公告)号：CN118613909A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018732.0

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尧 ,  四宫圭亮 ,  贝沼玲菜

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且在给定条件下测定的凹部深度为5μm以上的热固性树脂膜、具备该热固性树脂膜的复合片、具有使用该热固性树脂膜形成的保护膜的半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN118451542A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202280088451.8

申请日：2022-12-20

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尭 ,  四宫圭亮

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/304 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/301 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明提供一种第一保护膜形成用片，其为用于至少在半导体晶圆的具有凸点的面形成第一保护膜的第一保护膜形成用片，所述第一保护膜形成用片通过将第一基材、缓冲层、中间剥离层及第一保护膜形成膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成，所述中间剥离层含有乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物。

公开(公告)号：CN117561588A

公开(公告)日：2024-02-13

申请号：CN202280045281.5

申请日：2022-06-17

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 篠田智则 ,  根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尭 ,  四宫圭亮 ,  中石康喜

IPC: H01L21/301

Abstract: 本发明为一种带保护膜的芯片的制造方法，其具有：在减压环境下，将具备支撑片(11)与设置在支撑片(11)的一个面(11a)上的固化性树脂膜(12)的保护膜形成用片(1)中的固化性树脂膜(12)贴附于具有凸状电极的晶圆的具有凸状电极的面的工序；通过使贴附后的固化性树脂膜(12)固化，从而在上述晶圆的所述面上形成保护膜的工序；及通过将形成所述保护膜后的晶圆分割并切断所述保护膜，从而得到具备芯片与设置在所述芯片上的切断后的所述保护膜的带保护膜的芯片的工序，在晶圆的所述面上形成有成为晶圆的分割位置的沟槽。

公开(公告)号：CN113165118B

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN201980077442.7

申请日：2019-11-05

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮

IPC: B23K26/36 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，该方法包括：在形成有多个凸块(22)的带凸块构件(2)的凸块形成面(2A)形成树脂层(13)的工序；对树脂层(13)照射激光(LB)来除去覆盖了凸块(22)表面的树脂层(13)的工序。

公开(公告)号：CN113169082A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202080006593.6

申请日：2020-03-10

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明为一种热固性树脂膜，其为通过贴附于工件的具有凸状电极的面上并使其热固化从而用于在所述面上形成第一保护膜的热固性树脂膜，将所述热固性树脂膜贴附在厚度为35μm、直径为8英寸的圆形铜箔上，在平坦的状态下使所述铜箔朝下，使所述热固性树脂膜热固化并自然冷却后的、整个圆周的最大翘曲量为20mm以下。

公开(公告)号：CN115244654A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180020576.2

申请日：2021-03-11

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 根本拓 ,  田村樱子 ,  森下友尧 ,  四宫圭亮

IPC: H01L21/301 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明的课题在于提供能够抑制经窄间距化了的凸块彼此的短路的保护膜形成用片。其中，该课题通过形成下述的保护膜形成用片而得到了解决：所述保护膜形成用片具有固化性树脂膜(x)与支撑片(Y)的层叠结构，其用于在具有多个凸块、且满足表示具有经窄间距化了的凸块的特定要件的半导体晶片的凸块形成面形成保护膜(X)，所述保护膜形成用片满足以拉伸模量E’限定的特定要件。

公开(公告)号：CN114729142A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202180006480.0

申请日：2021-02-25

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 四宫圭亮 ,  森下友尭

IPC: C08J5/18

Abstract: 本发明提供一种树脂膜，其为固化性的树脂膜，将厚度为0.5mm、宽度为4.5mm的所述树脂膜的固化物用作第一试验片，对第一试验片进行热机械分析，测定第一试验片的温度从‑75℃开始到成为与玻璃化转变温度相同的温度为止的所述第一试验片的线膨胀率α1时，所述α1为65ppm/K以下，所述热机械分析中，以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热，由此使第一试验片的温度从常温上升至100℃，接着以5℃/分钟的降温速度对第一试验片进行冷却，由此使第一试验片的温度下降至‑75℃，接着以5℃/分钟的升温速度对第一试验片进行加热，由此使第一试验片的温度上升至260℃。