公开(公告)号：CN116515237A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310085287.1

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 贝沼玲菜

IPC: C08L63/00 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56 ,  C08L63/04 ,  C08L67/00 ,  C08L29/14 ,  C08L33/00 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  C08K9/04 ,  C08K7/18

Abstract: 本发明提供一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，其中，上述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂伸长率为85％以下。

公开(公告)号：CN118743014A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380018739.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 贝沼玲菜

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面形成作为保护膜的固化树脂膜，所述固化性树脂膜满足下述要件(1)。·要件(1)：在130℃、0.5MPa下以240分钟的条件进行了热固化处理之后的940nm的近红外线透射率小于13％。

公开(公告)号：CN118591876A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202380018727.X

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 贝沼玲菜

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/301 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明的固化性树脂膜用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面形成固化树脂膜，其中，依据JIS K 7244‑4:1999，按照温度为‑50～300℃、升温速度为10℃/min、频率为11Hz、测定模式为拉伸的测定条件测得的上述固化性树脂膜在固化后的tanδ为0.43以上。

公开(公告)号：CN118613909A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380018732.0

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 森下友尧 ,  四宫圭亮 ,  贝沼玲菜

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/301

Abstract: 本发明涉及用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜、且在给定条件下测定的凹部深度为5μm以上的热固性树脂膜、具备该热固性树脂膜的复合片、具有使用该热固性树脂膜形成的保护膜的半导体芯片、以及该半导体芯片的制造方法。

公开(公告)号：CN116515238A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310102532.5

申请日：2023-01-19

Applicant: 琳得科株式会社

Inventor： 贝沼玲菜

IPC: C08L63/00 ,  H01L21/56 ,  H01L23/29 ,  C08L63/04 ,  C08L67/00 ,  C08L29/14 ,  C08L33/00 ,  C08L83/04 ,  C08J5/18 ,  C08K9/04 ,  C08K7/18

Abstract: 本发明提供一种固化性树脂膜，其用于在具有具备凸块的凸块形成面的半导体芯片的上述凸块形成面及侧面这两者形成作为保护膜的固化树脂膜，其中，上述固化性树脂膜在固化后于70℃下的断裂能为10.0MJ/m3以下。