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公开(公告)号：CN110970375A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201811149961.3
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制备方法，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN107612226A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711050892.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 梁赛嫦
IPC: H02K11/00 , H02K11/215
Abstract: 本发明公开了一种表面贴装结构、表面贴装方法、电机及表面贴装芯片，以减小印刷电路板的厚度，降低其生产成本，简化其制作工艺，并延长其使用寿命。表面贴装结构包括：印刷电路板，具有挖孔，印刷电路板的第一面设置有线路层；传感器芯片，包括封装有传感器元件的芯片本体，以及从芯片本体引出的引脚，芯片本体位于挖孔内，传感器元件朝向印刷电路板的第二面，引脚与线路层连接。
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公开(公告)号：CN114388385B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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公开(公告)号：CN107612226B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201711050892.6
申请日：2017-10-31
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 梁赛嫦
IPC: H02K11/00 , H02K11/215
Abstract: 本发明公开了一种表面贴装结构、表面贴装方法、电机及表面贴装芯片，以减小印刷电路板的厚度，降低其生产成本，简化其制作工艺，并延长其使用寿命。表面贴装结构包括：印刷电路板，具有挖孔，印刷电路板的第一面设置有线路层；传感器芯片，包括封装有传感器元件的芯片本体，以及从芯片本体引出的引脚，芯片本体位于挖孔内，传感器元件朝向印刷电路板的第二面，引脚与线路层连接。
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公开(公告)号：CN114388385A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011120582.9
申请日：2020-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
Abstract: 本申请提供的一种半导体器件塑封料选取方法、装置、终端设备及存储介质，该方法包括根据所述钝化层的材料信息和所述封装形式，选取与所述钝化层的材料信息和所述封装形式均匹配的目标塑封料；其中，所述目标塑封料能够使得通过所述目标塑封料封装之后的所述待封装半导体器件在高温反偏试验中的漏电流小于第一预设阈值且该待封装半导体器件在高温反偏试验中于预设时间范围内的漏电流变化值小于第二预设阈值。该方法从封装层面出发，根据器件的钝化层材料和封装形式，选择与之均匹配的塑封料进行封装，达到降低半导体器件漏电的目的，提高其可靠性及稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113740693A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110988238.X
申请日：2021-08-26
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN110828388A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810910248.X
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造封装方法，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本发明将浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN209344058U
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201821601781.X
申请日：2018-09-29
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
Abstract: 本实用新型提供了一种封装结构，该封装结构包括一个芯片以及包裹在所述芯片上的封装层，为了提高芯片的散热效果，该封装结构还包括一个散热结构，并且在设置该散热结构时，该散热结构镶嵌在封装层中并与所述芯片导热连。从而将芯片散发出的热量导出来，提高芯片的散热效果。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208835051U
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201821699872.1
申请日：2018-10-19
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
Abstract: 本实用新型公开了一种低应力半导体芯片固定结构、半导体器件，包括芯片、引线框架、导电结合件、陶瓷基板，所述引线框架包括芯片座，芯片座用于承载固定陶瓷基板，陶瓷基板用于固定芯片，包括陶瓷层和金属层，所述陶瓷层面通过导电结合件固定在芯片座上，所述金属层面通过导电结合件与芯片连接。本实用新型在引线框架上设置陶瓷基板，陶瓷基板包括陶瓷层和金属层，陶瓷层面与引线框架芯片座接触、通过导电结合件将陶瓷基板固定在芯片座上，并将金属层面与芯片连接，利用陶瓷的高机械强度、低热膨胀系数缓冲芯片应力，芯片不易出现翘曲、损坏，提高半导体器件封装良率及可靠性，提高了半导体器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208478320U
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201821288481.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/56
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体器件，包括芯片、引线框架和封装体，引线框架包括芯片座和引脚，还包括导流引线，导流引线分别与芯片和引脚连接、且导流引线中段向芯片外凸出，封装体注塑成型包覆于芯片、引线框架外且引脚部分伸出封装体，该封装体上设置有浇注口，浇注口设置于靠近导流引线的一侧。本实用新型将封装体浇注口设置在靠近导流引线的一侧，使得封装体注塑时能够顺着导流引线的方向流动，有效消除了导流引线下方的气孔及熔接线；将导流引线的中段向芯片外凸出，使导流引线与芯片、导流引线与引线框架之间的间隙扩大，方便封装体顺利填充进去；有效防止芯片脱层、封装体胶体开裂、水汽入侵、离子污染等问题，提高了半导体器件的使用寿命。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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