公开(公告)号：CN115602700A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210645131.X

申请日：2022-06-09

Applicant: 现代摩比斯株式会社(KR)

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金台烨 ,  崔东桓 ,  金信儿

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开提供了一种功率半导体器件。功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型。本公开的功率半导体器件可以减轻电场集中到栅极层的角部，减小沟道电阻和增大沟道密度。

公开(公告)号：CN113725298A

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN202110580877.2

申请日：2021-05-26

Applicant: 现代摩比斯株式会社

Inventor： 河定穆 ,  禹赫 ,  金信儿 ,  金台烨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种功率半导体器件，包括：碳化硅(SiC)的半导体层；在一个方向上延伸的至少一个沟槽；在所述至少一个沟槽的至少内壁上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的至少一个栅极电极层；在所述至少一个栅极电极层的至少一侧的半导体层中形成的漂移区；在所述半导体层中形成得比所述至少一个栅极电极层深的阱区；在所述阱区中形成的源极区；以及在所述漂移区与所述源极区之间、所述至少一个栅极电极层的一侧的半导体层中形成的至少一个沟道区。根据本申请的功率半导体器件可以提供改善的高耐压特性和改善的操作可靠性。

公开(公告)号：CN107546268A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201611077777.3

申请日：2016-11-30

Applicant: 现代自动车株式会社 ,  现代奥特劳恩株式会社

Inventor： 千大焕 ,  郑永均 ,  李钟锡 ,  金英俊 ,  金台曅 ,  禹赫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，包括：n-型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在n-型层中形成；p型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在n-型层和p型区域上；栅极绝缘层，其设置在第一沟槽内侧；栅电极，其设置在栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在栅电极上；源电极，其设置在氧化物层和n+区域上；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在第一沟槽的两个侧表面中，并且第一沟道和第二沟道被设置成在n+型碳化硅衬底的第一表面的水平方向上相邻。