半导体器件的制造方法
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104465339A

    公开(公告)日:2015-03-25

    申请号:CN201310757104.2

    申请日:2013-12-27

    Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法,包括:在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p-型外延层、以及n+区域;在n+区域形成缓冲层;在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案;利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案,缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分;在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层;去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分;利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽,其中沟槽穿过n+区域和p-型外延层,形成在n-型外延层上。

    半导体器件以及用于制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN107958936B

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN201710119656.9

    申请日:2017-03-02

    Abstract: 本发明涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。一种半导体器件包括n+型碳化硅基板、n‑型层、n型层、多个沟槽、p型区域、n+型区域、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、漏电极和沟道。多个沟槽被布置为平面矩阵形状。n+型区域被布置为具有开口的平面网格类型、围绕沟槽中的每一个、并且在平面对角线方向上彼此相邻的沟槽之间与源电极接触。p型区域被布置在平面网格类型的n+型区域的开口中。

    半导体器件
    17.
    发明公开
    半导体器件 审中-实审

    公开(公告)号:CN113871452A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202111138971.9

    申请日:2016-11-22

    Abstract: 本发明公开了半导体器件。一种半导体器件,包含:n‑型层,布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上;第一沟槽和第二沟槽,形成在n‑型层中并且彼此分离;n+型区,布置在第一沟槽的侧面与第二沟槽的侧面之间并且布置在n‑型层上;栅极绝缘层,布置在第一沟槽内;源极绝缘层,布置在第二沟槽内;栅极,布置在栅极绝缘层上;氧化层,布置在栅极上;源极,布置在氧化层、n+型区、及源极绝缘层上;以及漏极,布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上。

    燃料电池系统用空气阀装置

    公开(公告)号:CN107093754B

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN201610180377.9

    申请日:2016-03-25

    Abstract: 本发明涉及燃料电池系统用空气阀装置,包括:阀体,形成有与燃料电池堆的阴极连接的空气通路;以及阀瓣,为了开闭上述空气通路,以能够旋转的方式设置在阀体上,在上述阀体中,阀轴以能够轴旋转的方式设置在空气通路的外侧位置,上述阀瓣结合于从阀轴的旋转中心向一侧偏离的位置。在所述燃料电池系统用空气阀装置中,使用蝴蝶阀并且能够在燃料电池系统停止时使空气通路(11)完全密封,从而能够大幅提高燃料电池系统的耐久性。

    一种燃料电池系统的空气切断阀装置

    公开(公告)号:CN111396603A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN201910347802.2

    申请日:2019-04-26

    Abstract: 提供了一种燃料电池系统的空气切断阀装置。所述装置包括阀体,所述阀体具有供给气流经的入口侧空气通道和排放气流经的出口侧空气通道。阀瓣,所述阀瓣安装在阀体内,用于打开或关闭入口侧空气通道和出口侧空气通道。入口侧止回阀,所述入口侧止回阀在供给气的压力大于或者等于预定压力时打开,即使阀瓣关闭时,也能引导供给气通过入口侧空气通道进入燃料电池堆。出口侧止回阀,所述出口侧止回阀在排放气的压力大于或者等于预定压力时打开,即使阀瓣关闭时,也能引导从燃料电池堆释放的排放气流经出口侧空气通道。

Patent Agency Ranking