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公开(公告)号：CN118330622A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410387173.7
申请日：2024-04-01
Applicant: 湖南大学 , 湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
IPC: G01S7/539 , G01S15/88 , G01S3/802 , G06F18/2415 , G06F18/2136
Abstract: 本发明公开了一种目标方位估计优化方法及系统，对接收信号样本的协方差矩阵进行处理，移除向量化后的样本协方差矩阵中的噪声项，对空域角度离散化，得到无噪声下的稀疏信号表示目标方位估计模型，由导向矢量扩展后得到的稀疏信号表示模型增加线性阵列的自由度，采用基于稀疏贝叶斯学习的方位估计方法，对信号方差参数采用期望最大化算法进行迭代估计，根据潜在的目标网格点左右相邻的角度区间大小，插入新的角度网格点，更新对应新插入角度网格下的参数值，并参与下一次参数迭代过程，估计的方差参数收敛，则停止迭代，根据最终估计出的模型中输入信号的方差大小，得到对应的网格角度值，进而估计出目标的方位。本发明提高了目标方位估计的精度。
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公开(公告)号：CN117878832A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410036992.7
申请日：2024-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于功率电源IC的过温保护电路，属于集成电路设计领域，包括：基准电流源模块、PTAT电流源模块、温度判决模块、温度感测模块以及迟滞比较器模块。该电路采用分温段触发模式和迟滞比较技术，在保证宽工作温度范围的同时，不仅能够显著降低传统过温保护在全温段下无差别工作产生的高功耗，而且可以有效避免在过温保护点附近因工艺波动或噪声等引发的误触发故障，并且还能解决因外部扰动导致功率管反复开关的问题，从而适合应用于需要集成过温保护功能的功率芯片中。本发明所述的过温保护电路拥有结构简单，生产成本低，面积小的优点，兼具低功耗与高可靠性的突出特点，可以提升功率电源IC的寿命与稳定性。
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公开(公告)号：CN114629333A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210419111.0
申请日：2022-04-21
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体涉及一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路，所述驱动电路包括驱动信号选通电路、负压产生电路和比较器控制电路。所述驱动信号选通电路用于选通正负方波，以驱动GaN功率器件，所述负压产生电路用于产生负电压，以防止GaN功率器件关断期间的误导通，所述比较器控制电路用于实现中间电平钳位，以防止GaN功率器件开通瞬间的反向击穿。本发明中间电平箝位响应速度更快，使得GaN功率器件可安全工作在5MHz及以上开关频率，充分发挥GaN功率器件高频应用的优势；负压产生电路结构简单且具有更宽的工作频率范围，使其可驱动的开关管包括但不限于高频GaN功率器件；同时具有降低驱动电路损耗的优势。
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公开(公告)号：CN112198925B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202011143537.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于多电压输出低噪声LDO的电流网络修调电路。本发明包括：误差放大器和缓冲电路，用于生成环路控制电压；多输出电流控制型反馈网络，用于修调反馈电压；控制电流产生电路，用于产生电流阵列；功率电路，用于驱动负载。本发明有以下两种优点。第一，电流网络修调电路位于反馈电压节点与地中间，不干净的电源电压的噪声会被环路带宽抑制，从而不会影响输出的PSRR指标；第二，控制电流电路产生线性电流既简单又便捷，可避免传统反馈修调电阻串因为除法非线性而难以设计的问题。
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公开(公告)号：CN112286279A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202011151945.5
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
IPC: G05F1/575
Abstract: 本发明公开了应用于极低功耗LDO在负载快速切换时的防振荡电路，涉及集成电路设计领域。本发明包括：误差放大器电路，用于放大基准信号与反馈信号的差值；缓冲电路，用于驱动输出端的功率管；反馈及功率电路，用于反馈输出电压和驱动负载；负载电流追踪电路，用于追踪负载电流；防振荡电路，用于防止当负载快速切换时的振荡现象。本发明技术的优点如下，传统LDO电路为了降低功耗，需要减小各支路电流，这会导致LDO瞬态响应变差，追踪负载电流来改变缓冲电路的偏置电流可改善瞬态响应，然而它面临着容易振荡的风险。本发明的技术额外加入了一个RC延时电路，其时间常数动态可调，可解决LDO缓冲电路电流切换所带来的振荡问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112148054A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011143686.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于极低电压输入多电压输出LDO的反馈网络电路。本发明包括：误差放大器和缓冲电路，用于生成反馈控制信号和驱动功率管；多输出电阻反馈网络，用于在极低电压下输出多路电压；控制电路，用于产生MOS管的控制信号来控制LDO输出。本发明技术优点如下：第一，在极低电压和多电压输出要求下，LDO电压输出的PSRR(电源抑制比)指标依旧可控，带噪声的电源电压不会直接影响输出电压，而是受环路带宽控制；第二，在极低电压与低成本情况下，这种结构可以使开关MOS管获得足够的电压裕度，从而防止出现MOS无法完全导通的情况。
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公开(公告)号：CN111554355A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010375103.1
申请日：2020-05-05
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于人工智能领域，公开了一种基于非冯诺依曼架构的分子动力学计算方法。本发明首先选定一个原子作为参考原子，并根据其初始位置构建局部坐标环境；将参考原子截断半径内每个原子的全局坐标转换为局部坐标环境下的局部坐标并求得其输入特征，作为参考原子的所有特征参数；将所有特征参数输入到一个全连接多层感知机神经网络框架，拟合得到参考原子的受力；并行求得所有原子的受力后，根据每个原子的初始位置，速度以及受力，求得所有原子新的位置；重复执行上述步骤，并记录每一次的位置结果，最终整合得到分子动力学计算的结果。本发明在确保高精度计算分子动力学的基础上，对计算效率有极大的提升，具有高精度、高效率的特点。
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公开(公告)号：CN118465682A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410555936.4
申请日：2024-05-07
Applicant: 湖南大学
IPC: G01S3/14 , G06F18/27 , G06F18/243 , G06F17/10
Abstract: 本发明公开了一种波达方向估计方法及系统，对M1个阵元的均匀线阵的原始接收信号进行特征提取；对所述特征进行虚拟协方差矩阵重构，获取M2个虚拟阵元的输出信号，M2＝M1+N，N为预测的虚拟阵元扩展数目；将所述M2个虚拟阵元的输出信号作为高分辨估计网络的输入，对波达输入方向进行估计，获取方位角度。本发明突破了传统虚拟扩展方法扩展的阵列孔径不足的问题，可以获取任意的虚拟阵元数目扩展以及阵列自由度。本发明解决了传统算法精度不够，鲁棒性不强，计算度复杂的问题。
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公开(公告)号：CN114371441A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202210052422.8
申请日：2022-01-18
Applicant: 湖南大学
IPC: G01S3/14
Abstract: 本发明公开了一种虚拟阵列波达方向估计方法、装置、产品及存储介质，利用匹配滤波滤除带外噪声，提高M元实阵列接收信号的信噪比；基于滤波后接收信号的一阶统计特性，利用线性预测思想实现N元前向与后向的虚拟位置阵元信号的有效估计；在一阶线性预测虚拟阵元信号的基础上，对其二阶协方差矩阵求拓普利兹平均，根据阵元间相位差与波程差一一对应的关系，进一步拓展虚拟阵列孔径；使用波束扫描方法对空间非相干源信号进行方位估计。本发明无需增加额外的物理阵元即可实现阵列孔径在虚拟意义上的拓展，提高了目标分辨能力；本发明具有很强的干扰抑制能力，能够应用在低信噪比与低快拍数等非理想工作环境，具有很强的实用性和广泛应用的适应性。
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公开(公告)号：CN110581694B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201910929454.X
申请日：2019-09-27
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明属于集成电路设计领域，公开了应用于高电压隔离驱动芯片的高共态瞬模抗扰度滤波器。由发射端和接收端构成，其中接收端由差分式通道、四级高通RC滤波电路、差分射频放大器电路组成；其中差分式通道设计，可用于增强信号抗干扰性；四级高通RC滤波电路，信号在送入射频放大器之前，会经过四级高通RC滤波电路；差分射频放大器电路，输出单端信号用于接收端的解调电路。本发明解决了射频放大器节点电压过高的问题，实现了载波信号在干扰信号发生的情况下避免衰减过大的技术创新，同时由于四级高通滤波器会滤除因为周期性干扰产生的低频干扰，避免接收端解调电路误判的输出，从而实现很高的共态瞬模抗扰度指标。
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