公开(公告)号：CN114611412B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202210436539.6

申请日：2022-04-25

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘杰 ,  谭紫凌 ,  赵卓影 ,  廖天骄 ,  莫平辉 ,  赵丹 ,  王潇男

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F113/18 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及人工智能和集成电路设计领域，公开了一种基于神经网络的分子动力学计算芯片设计方法及系统。本发明首先生成训练深度神经网络所需的体系特征数据集；接着训练一个深度神经网络模型来精确拟合原子间受力；将训练好的模型部署到非冯诺依曼架构的芯片中，既能保证预测原子受力的精度又加速了分子动力学计算；然后搭建一个分子动力学计算系统；进行分子动力学计算并保存每一步的原子轨迹，利用原子轨迹信息计算体系的其他宏观性质，具有计算精度高、计算速度快等特点。

公开(公告)号：CN114629333A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210419111.0

申请日：2022-04-21

Applicant: 湖南大学

Inventor： 陶明 ,  王潇男 ,  周骞

IPC: H02M1/088 ,  H03K17/74

Abstract: 本发明属于电力电子器件的驱动技术领域，具体涉及一种抑制高频GaN功率器件dv/dt串扰的多电平驱动电路，所述驱动电路包括驱动信号选通电路、负压产生电路和比较器控制电路。所述驱动信号选通电路用于选通正负方波，以驱动GaN功率器件，所述负压产生电路用于产生负电压，以防止GaN功率器件关断期间的误导通，所述比较器控制电路用于实现中间电平钳位，以防止GaN功率器件开通瞬间的反向击穿。本发明中间电平箝位响应速度更快，使得GaN功率器件可安全工作在5MHz及以上开关频率，充分发挥GaN功率器件高频应用的优势；负压产生电路结构简单且具有更宽的工作频率范围，使其可驱动的开关管包括但不限于高频GaN功率器件；同时具有降低驱动电路损耗的优势。

公开(公告)号：CN114611412A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210436539.6

申请日：2022-04-25

Applicant: 湖南大学

Inventor： 刘杰 ,  谭紫凌 ,  赵卓影 ,  廖天骄 ,  莫平辉 ,  赵丹 ,  王潇男

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F113/18 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明涉及人工智能和集成电路设计领域，公开了一种基于神经网络的分子动力学计算芯片设计方法及系统。本发明首先生成训练深度神经网络所需的体系特征数据集；接着训练一个深度神经网络模型来精确拟合原子间受力；将训练好的模型部署到非冯诺依曼架构的芯片中，既能保证预测原子受力的精度又加速了分子动力学计算；然后搭建一个分子动力学计算系统；进行分子动力学计算并保存每一步的原子轨迹，利用原子轨迹信息计算体系的其他宏观性质，具有计算精度高、计算速度快等特点。