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公开(公告)号:CN119581389A
公开(公告)日:2025-03-07
申请号:CN202411748268.3
申请日:2024-11-29
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 一种键合装置,涉及半导体技术领域。本申请提供一种键合装置,包括吸附组件、键合组件和基台;吸附组件的吸嘴用于吸附芯片,基台具有用于承载晶圆的键合工位;键合组件包括转盘以及设置于转盘上的多个键合头,转盘受驱转动以带动多个键合头依次与吸嘴的位置相对,且在键合头与吸嘴位置相对时,键合头吸取吸嘴上的芯片;转盘受驱继续转动以带动吸附有芯片的键合头依次与基台的键合工位位置相对,且在吸附有芯片的键合头与键合工位位置相对时,键合头带动芯片与键合工位内的晶圆键合。上述键合装置能够通过多个吸嘴和键合头的交替旋转配合,提高键合速度、键合精准度以及生产效率。
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公开(公告)号:CN119528080A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202411587658.7
申请日:2024-11-07
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本公开提供了一种半导体键合结构及其形成方法,半导体键合结构包括沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构、第二半导体结构和凸块键合结构;凸块键合结构包括:与第一半导体结构连接的第一凸块,包括沿第一方向依次堆叠排布的第一导电层、第二导电层和第三导电层;第一导电层包括沿垂直于第一方向的方向相对于第二导电层突出的第一突出部;第三导电层包括沿垂直于第一方向的方向相对于第二导电层突出的第二突出部;与第二半导体结构连接的第二凸块,包括环绕第一凸块的第一部分和与第一部分相连并与第二半导体结构接触的第二部分;位于第一凸块与第二凸块之间的接合层,包括在第一方向上位于第一突出部与第二突出部之间的部分。
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公开(公告)号:CN119008562B
公开(公告)日:2024-12-27
申请号:CN202411489113.2
申请日:2024-10-23
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统;其中,半导体器件包括:沿第一方向依次层叠设置的第一介质层、第二介质层和半导体结构层;第一导电结构,沿第一方向贯穿所述第一介质层;接触结构,沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至半导体结构层中;接触结构与第一导电结构连接;第二导电结构,沿第一方向贯穿所述第一介质层且延伸至第二介质层中;第二导电结构与第一导电结构彼此电隔离;第三导电结构,沿第一方向贯穿半导体结构层且延伸至第二介质层中;第三导电结构与第二导电结构连接;第三导电结构与接触结构彼此电隔离。如此,可以减少刻蚀时间,降低刻蚀的工艺难度,提高制造速率,降低制造成本,提高半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号:CN221643244U
公开(公告)日:2024-09-03
申请号:CN202323614622.7
申请日:2023-12-28
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种光罩的储存装置及运输装置,涉及半导体储存运输技术领域,该储存装置包括本体,本体包围形成容纳腔,光罩位于容纳腔内,本体还具有与容纳腔连通的充气口和排气孔;充气口与充气装置连通,利用充气装置对容纳腔内填充惰性气体;其中,排气孔的数量为多个,且至少存在两个排气孔朝向两个不同的方向进行排气。通过在采用容纳腔和填充惰性气体的设计可以避免静电的产生和灰尘的吸附,避免光罩损伤,减少经济成本。
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公开(公告)号:CN222030111U
公开(公告)日:2024-11-19
申请号:CN202420129956.0
申请日:2024-01-18
Applicant: 湖北星辰技术有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种离子风机,涉及静电消除设备领域,该离子风机包括:壳体,壳体内具有容纳腔,壳体还具有与容纳腔连通且在第一方向上相对设置的气流输入孔和气流输出孔;风扇,位于容纳腔内并与壳体可旋转地连接,且在第一方向上,风扇位于气流输入孔和气流输出孔之间;放电组件,放电组件与壳体可拆卸地连接,放电组件包括插设板且插设板具有放电架,在放电组件与壳体处于装配的状态下,放电架位于容纳腔内,且在第一方向上,放电架位于风扇和气流输出孔之间;其中,壳体具有供插设板穿过的安装孔,安装孔与容纳腔连通,且在第二方向上位于壳体的一侧,第二方向与第一方向垂直。这种离子风机的放电架的清理和维修更加方便。
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