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公开(公告)号：CN1635608A
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200310112926.1
申请日：2003-12-26
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/324
Abstract: 带竖立式热处理腔的半导体快速热处理设备属于超大规模集成电路(ULSI)工艺技术领域，其特征在于，它主要包含有：竖立安装的热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构；还包含片盒到片盒取送片机械手子系统、微机控制子系统、测控温子系统、气路装置、加热电源。热处理腔主要由竖立式圆筒石英(碳化硅)加热腔，在腔内(或腔外)的上端平板石墨加热器，侧面圆筒石墨加热器等组成。将热处理腔、装片腔、半导体晶片升降机构等竖立安装，充分利用高度空间，缩小设备平面占地面积。竖立式热处理腔内从上到下的不同水平面可获得温度从高到低逐渐下降的等温区，控制半导体晶片上升下降的速度可得到晶片不同的升降温速率。
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公开(公告)号：CN1067446C
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN98111717.1
申请日：1998-12-25
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外发射板组成。本发明具有加热温度均匀，可外延大面积厚度均匀半导体片，且低成本、高效率，易于工业实用化批量生产等特点。
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公开(公告)号：CN101865730A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010157719.8
申请日：2010-04-27
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/01
Abstract: 一种双PN结线形温度传感器，包括温度传感器，温度传感器的衬底上配置有第一PN结和第二PN结，第一PN结和第二PN结线路连接后再和温度传感器的电压输出端相连，PN结有电流通过时，其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关，当通过同样电流时，第一PN结和第二PN结的电流密度与面积成反比，第一PN结和第二PN结的正向压降之差只与绝对温度成正比，温度传感器的输出电压为第一PN结和第二PN结的正向电压降之差，第一PN结和第二PN结正向压降之差与绝对温度成线性关系，即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系，本发明具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。
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公开(公告)号：CN100552082C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810103811.9
申请日：2008-04-11
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 控制MOCVD淀积PZT的先驱体溶液配制方法属于PZT薄膜制备技术领域，具体特征在于，以溶质摩尔浓度为0.14mol/L，四氢呋喃30ml，四-乙二醇二甲醚4ml，Pb为27%，Zr为55%，Ti为18%，制成总溶剂体积为0.034L的特定组分PZT的先驱体溶液。用此溶液制备的Pb0.5(Zr0.4Ti0.6)0.5O3组分PZT薄膜，衬底为1～8英寸，均匀性大于95%，厚度为1500埃。
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公开(公告)号：CN101409228A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810227378.X
申请日：2008-11-28
Applicant: 中电华清微电子工程中心有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明涉及具有可移动热挡板半导体片红外快速热处理腔，属于极大规模集成电路和半导体制造的工艺设备技术领域，该热处理腔包括：由扁平矩形双层石英腔，固定在石英内、外腔之间的红外加热腔和红外反射板，该石英内腔的前端伸入石英外腔中，该石英内、外腔的前端面设置有密封腔盖及其密封阀门，还包括固定有石英片托的机械手及驱动机构；在双层石英腔外还设置有可移动热挡板，该热挡板能沿该双层石英腔轴线方向从双层石英腔后端伸入到石英内腔外壁与扁平矩形红外加热腔内壁之间的缝隙内。本发明可使半导体片迅速升降温，实现真正的尖峰退火。该热处理腔加热半导体片温度均匀、范围宽，加热半导体片升温速率和降温速率快，半导体片尺寸任意大小，生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100439887C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710064141.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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公开(公告)号：CN101241030A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810101600.1
申请日：2008-03-10
Applicant: 清华大学
Abstract: MOS力敏传感器属于压力传感器技术领域，其特征在于，含有结构芯片和密封盖板，在结构芯片上形成真空的硅杯，四周是原厚度硅片，中间是硅薄膜，硅膜片的边缘构成应力灵敏集中区，在该区用MOS晶体管和压敏电阻构成差分对管，当外力作用于硅膜片时应力会引起MOS晶体管沟道迁移率和压敏电阻电阻条迁移率的变化，当结构芯片和密封盖板上下键合连接时，在恒压源作用下，该差分对管输出的电压差与压力成线性关系。本发明具有制作工艺简单、稳定性和线性度好、灵敏度高、功耗低、参数可调的优点。
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公开(公告)号：CN100346938C
公开(公告)日：2007-11-07
申请号：CN200510086475.8
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。
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公开(公告)号：CN1740384A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510086476.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 清华大学
IPC: C23C16/00
Abstract: 单片三腔衬片旋转式超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)外延系统属于集成电路半导体薄膜外延生长技术和超晶格薄膜材料生长技术领域。其特征在于：在外延生长室的石英反应腔内有一个衬片旋转机构，该机构水平放置在上述反应腔内。该机构含有：提供旋转动力源的马达(自带或附加减速器)、与该马达相连接的密封磁扭力传输组件，带有螺纹的石英玻璃杆、与该杆实行外螺纹啮合的石英环、石英环上固定有多个用于托起外延生长衬片的石英柱、支撑石英环的装有滚珠的石英档块、固定石英档块的石英玻璃平板。由于增加了本机构，因此本发明可大大提高外延衬片的薄膜内组分以及厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN85100131B
公开(公告)日：1987-02-25
申请号：CN85100131
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/324
Abstract: 本发明为离子注入半导体瞬时退火设备，属于集成电路和半导体器件制造技术的工艺设备。本发明的特征是采用高频加热石墨板和石英退火腔以及充保护气。本发明升温快、设备简单、操作方便和生产效率高（每小时六十片以上）。退火后电激活率高，注入离子再扩散小。本发明既适合于制作１μｍ短沟超大规模集成电路和浅ＰＮ结（结深为０．２μｍ）器件，又适合于离子注入化合物半导体退火。本发明还能用于绝缘层上多晶硅再结晶、磷硅玻璃回流、难熔金属硅化物形成和浅ＰＮ结的欧姆结制作。
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