公开(公告)号：CN1224085A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98111717.1

申请日：1998-12-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  韩勇 ,  金晓军 ,  罗广礼 ,  陈培毅 ,  陈必贤 ,  白玉琦

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外反射板组成。本发明具有加热温度均匀,可外延大面积厚度均匀半导体片,且低成本、高效率,易于工业实用化批量生产等特点。

公开(公告)号：CN1067446C

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN98111717.1

申请日：1998-12-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  韩勇 ,  金晓军 ,  罗广礼 ,  陈培毅 ,  陈必贤 ,  白玉琦

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外发射板组成。本发明具有加热温度均匀，可外延大面积厚度均匀半导体片，且低成本、高效率，易于工业实用化批量生产等特点。