公开(公告)号：CN1254567C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200310117188.X

申请日：2003-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  白玉琦 ,  陈必贤 ,  黄文韬 ,  陈长春

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/00

Abstract: 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。

公开(公告)号：CN100346938C

公开(公告)日：2007-11-07

申请号：CN200510086475.8

申请日：2005-09-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  梁聚宝 ,  林惠旺 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  陈长春 ,  张伟

IPC: B25J3/00 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。

公开(公告)号：CN1067446C

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN98111717.1

申请日：1998-12-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  韩勇 ,  金晓军 ,  罗广礼 ,  陈培毅 ,  陈必贤 ,  白玉琦

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域，包括外延生长室及其加热装置，预处理装片室，磁传动传送片机构，气路系统，热电偶与光测高温计，加热电源，高真空机组抽气系统，尾气处理装置以及计算机自动控制系统；加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外发射板组成。本发明具有加热温度均匀，可外延大面积厚度均匀半导体片，且低成本、高效率，易于工业实用化批量生产等特点。

公开(公告)号：CN1739923A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510086475.8

申请日：2005-09-23

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  梁聚宝 ,  林惠旺 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  陈长春 ,  张伟

IPC: B25J3/00 ,  C23C16/00

Abstract: 本发明属于集成电路半导体薄膜外延生长技术及超晶格薄膜材料生长技术领域；其特征在于含有：磁传动轴、止推弹簧、止推挡板、档头、双定位转芯、两个内套筒、外套筒、换向轴、换向弹簧以及基于四连杆机构的张合式机械手夹臂；磁传动轴前进过程中，固定在外套筒一端的档头被外延生长反应腔真空阀门第一次挡住后，磁传动轴继续向前位移，使机械手夹臂张开实现放片功能；而在磁传动轴前进过程中，档头被阀门第二次挡住时，磁传动轴继续向前位移，却使机械手夹臂闭合实现取片功能，并依次循环往复。本发明具有硅片的存取准确可靠，重复稳定性好的优点，大大提高了单片三腔红外加热超高真空化学气相淀积外延系统的生产效率。

公开(公告)号：CN1546743A

公开(公告)日：2004-11-17

申请号：CN200310117188.X

申请日：2003-12-05

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  刘志弘 ,  白玉琦 ,  陈必贤 ,  黄文韬 ,  陈长春

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  C23C16/00

Abstract: 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；用于取放样片的预装片腔，该腔的前端经一个高真空阀门与装片腔隔离，在该腔后端有一个磁传动样片片架，以便在该高真空阀门打开时把样片片架上所预装的样片从预装片腔传送到装片腔，该预装片腔上端是一个具有高真空密封圈密封的翻盖门；装片腔：它含有气缸驱动的样片升降台，取放样片机械手以及与之相连的磁传动杆。本发明具有样片外延薄膜均匀性好、质量高和外延生产效率高的优点。

公开(公告)号：CN1224085A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN98111717.1

申请日：1998-12-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 钱佩信 ,  林惠旺 ,  梁聚宝 ,  刘荣华 ,  韩勇 ,  金晓军 ,  罗广礼 ,  陈培毅 ,  陈必贤 ,  白玉琦

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明属于生长超大规模集成电路薄膜材料技术领域,包括外延生长室及其加热装置,预处理装片室,磁传动传送片机构,气路系统,热电偶与光测高温计,加热电源,高真空机组抽气系统,尾气处理装置以及计算机自动控制系统;加热装置由固定在该外延生长室外侧的石墨板电阻加热器、安装在石墨板加热器外的红外反射板组成。本发明具有加热温度均匀,可外延大面积厚度均匀半导体片,且低成本、高效率,易于工业实用化批量生产等特点。