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公开(公告)号：CN101865730A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010157719.8
申请日：2010-04-27
Applicant: 清华大学
IPC: G01K7/01
Abstract: 一种双PN结线形温度传感器，包括温度传感器，温度传感器的衬底上配置有第一PN结和第二PN结，第一PN结和第二PN结线路连接后再和温度传感器的电压输出端相连，PN结有电流通过时，其正向电压降和通过PN结的电流密度以及环境温度有关，当通过同样电流时，第一PN结和第二PN结的电流密度与面积成反比，第一PN结和第二PN结的正向压降之差只与绝对温度成正比，温度传感器的输出电压为第一PN结和第二PN结的正向电压降之差，第一PN结和第二PN结正向压降之差与绝对温度成线性关系，即传感器的输出电压与绝对温度成线形关系，本发明具有一致性和重复性良好、线性度高的优点。
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公开(公告)号：CN100439887C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200710064141.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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公开(公告)号：CN101241030A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810101600.1
申请日：2008-03-10
Applicant: 清华大学
Abstract: MOS力敏传感器属于压力传感器技术领域，其特征在于，含有结构芯片和密封盖板，在结构芯片上形成真空的硅杯，四周是原厚度硅片，中间是硅薄膜，硅膜片的边缘构成应力灵敏集中区，在该区用MOS晶体管和压敏电阻构成差分对管，当外力作用于硅膜片时应力会引起MOS晶体管沟道迁移率和压敏电阻电阻条迁移率的变化，当结构芯片和密封盖板上下键合连接时，在恒压源作用下，该差分对管输出的电压差与压力成线性关系。本发明具有制作工艺简单、稳定性和线性度好、灵敏度高、功耗低、参数可调的优点。
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公开(公告)号：CN1405566A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN02146782.X
申请日：2002-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01P15/10
Abstract: 环振式数字加速度传感器属于加速度传感器制造领域，它是一种由做在硅梁或者硅膜上的存在由应力引起频率差别的两个环行振荡器形成的加速度敏感元件、混频器和滤波器依次连接而成的数字加速度传感器；所述的两个环行振荡器分布在硅梁或者硅膜的应力敏感集中区，一个沿着主应力方向，一个和主应力方向垂直；或者一个环行振荡器分布在硅梁或者硅膜的应力敏感集中区，而另一个环行振荡器分布在非应力敏感区；混频器的输入端分别和上述两个环行振荡器的输出端相连，而且混频器和滤波器都是做在非应力敏感的厚体硅上的。该传感器由滤波器输出的频率信号和加速度值直接相关。它具有制作简单、数字化程度高、运行可靠、可充分利用压敏效应的优点。
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公开(公告)号：CN109991468A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910218154.0
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 清华大学 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明公开了一种测试特高压变电站二次系统骚扰电压的方法及装置，属于电力系统变电站电磁兼容领域。本发明方法包括：电流注入点连接冲击电流发生器的正端，电流回流点连接冲击电流发生器的负端；冲击电流发生器经调波电阻、电感后向电流注入点注入电流，测量冲击电流波形；控制终端控制GPS卫星信号接收机与采集卡触发通道相连，对各个测试点的同步触发并采集测试信息；确定一次测量的测试回流点的位置为最优回流点；使用高压探头测量二次电缆分断处骚扰电压；高压探头测量的骚扰电压经采集卡及光电转换装置通过光纤传输至控制终端，所述控制终端读取骚扰电压。本发明减少了测试时布置引线的工作量，并且能够提高冲击发生器的输出幅值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100593700C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200810116799.5
申请日：2008-07-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种SAW压力传感器，其特征在于：它包括传感器和无线读出电路两个部分，传感器包括一采用硅材料制成的衬底，将衬底的背面中间减薄成膜结构，膜结构为衬底的高形变区，其余部分为衬底的固定端；衬底的正面覆盖有压电材料薄膜，在压电材料薄膜上对称设置有两组SAW元件，SAW元件包括一射频换能器，一反射器和一消声器，每组SAW元件分别相应一个频率；射频换能器位于衬底的固定端，反射器位于衬底的高形变区，消声器位于射频换能器和反射器连线的延长线上；无线读出电路包括射频系统和处理系统，用于无线读出传感器的压力。本发明利用SAW元件，实现了无源无线的压力测量，并且具有制作简单，适应温度范围广，抗电磁干扰能力强的特点。
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公开(公告)号：CN101419109A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810116799.5
申请日：2008-07-17
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种SAW压力传感器，其特征在于：它包括传感器和无线读出电路两个部分，传感器包括一采用硅材料制成的衬底，将衬底的背面中间减薄成膜结构，膜结构为衬底的高形变区，其余部分为衬底的固定端；衬底的正面覆盖有压电材料薄膜，在压电材料薄膜上对称设置有两组SAW元件，SAW元件包括一射频换能器，一反射器和一消声器，每组SAW元件分别相应一个频率；射频换能器位于衬底的固定端，反射器位于衬底的高形变区，消声器位于射频换能器和反射器连线的延长线上；无线读出电路包括射频系统和处理系统，用于无线读出传感器的压力。本发明利用SAW元件，实现了无源无线的压力测量，并且具有制作简单，适应温度范围广，抗电磁干扰能力强的特点。
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公开(公告)号：CN101034021A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710064141.X
申请日：2007-03-02
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明属于半导体压力传感器技术领域，其特征在于：所述传感器包括应力区展宽了的感压膜和其周围的支撑部分，压敏电阻制作在跨越感压膜边界的大应力区内，组成惠斯通电桥，把压力变化转换成电信号输出；所述压敏电阻其垂直于感压膜边界的折数要大于平行于边界的压敏电阻的折数，以符合高应力区的形状；在电阻转折处的电阻条宽大于正常的电阻条宽，同时进行高浓度离子注入，以减小转折处的电阻值；所述感压膜的厚宽比尽可能大，以满足对边界外高应力区宽度的要求。本发明在芯片面积缩小、不缩小线条的条件下，利用膜外高应力区，增大应力区面积，以达到提高传感器的灵敏度和降低废品率的目的。
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公开(公告)号：CN1226630C
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN02146782.X
申请日：2002-11-08
Applicant: 清华大学
IPC: G01P15/097
Abstract: 环振式数字加速度传感器属于加速度传感器制造领域，它是一种由做在硅梁或者硅膜上的存在由应力引起频率差别的两个环行振荡器形成的加速度敏感元件、混频器和滤波器依次连接而成的数字加速度传感器；所述的两个环行振荡器一个分布在硅梁或者硅膜的应力敏感集中区，而另一个环行振荡器分布在非应力敏感区；混频器的输入端分别和上述两个环行振荡器的输出端相连，而且混频器和滤波器都是做在非应力敏感的厚体硅上的。该传感器由滤波器输出的频率信号和加速度值直接相关。它具有制作简单、数字化程度高、运行可靠、可充分利用压敏效应的优点。
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公开(公告)号：CN109991468B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201910218154.0
申请日：2019-03-21
Applicant: 中国电力科学研究院有限公司 , 清华大学 , 国网陕西省电力公司电力科学研究院
IPC: G01R19/165
Abstract: 本发明公开了一种测试特高压变电站二次系统骚扰电压的方法及装置，属于电力系统变电站电磁兼容领域。本发明方法包括：电流注入点连接冲击电流发生器的正端，电流回流点连接冲击电流发生器的负端；冲击电流发生器经调波电阻、电感后向电流注入点注入电流，测量冲击电流波形；控制终端控制GPS卫星信号接收机与采集卡触发通道相连，对各个测试点的同步触发并采集测试信息；确定一次测量的测试回流点的位置为最优回流点；使用高压探头测量二次电缆分断处骚扰电压；高压探头测量的骚扰电压经采集卡及光电转换装置通过光纤传输至控制终端，所述控制终端读取骚扰电压。本发明减少了测试时布置引线的工作量，并且能够提高冲击发生器的输出幅值。
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