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公开(公告)号：CN1246253C
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200410037963.5
申请日：2004-05-17
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/584 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了属无机非金属材料制备技术领域的一种氮化硅陶瓷制造方法。是以稀土化合物为烧结助剂；采用放电等离子烧结工艺在真空中烧结成氮化硅陶瓷，再在氮气气氛中在高温条件下对氮化硅陶瓷进行加热处理，制造出同时具有高热导率和高强度的氮化硅陶瓷。本方法具有升温速度快、烧结时间短、烧结组织均匀细小的特点，并且可以净化氮化硅晶粒，提高热导率。
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公开(公告)号：CN1228241C
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200310113248.0
申请日：2003-11-11
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了属于电绝缘材料制备技术范围的采用自蔓延燃烧合成的一种梯度分布燃烧合成氮化铝粉体方法。将不同配比的铝粉、稀释剂和添加剂在滚动球磨机上球磨，干燥后以梯度分布的方法将粉料布在石墨反应舟内，再放入燃烧合成反应装置，在低真空下充入氮气，经点火使原始铝粉燃烧合成氮化铝粉体。本方法合成的氮化铝粉体颜色均匀，无分层，无夹心，后处理工艺简单，生产效率高。有效的发挥了配料的作用，降低了原料的使用成本。解决了在一次装料较多情况下(4Kg以上)，燃烧合成氮化铝粉体中不同位置氮化反应发生程度不同的问题。
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公开(公告)号：CN1421418A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN03100287.0
申请日：2003-01-10
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/581 , C04B35/582 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种高热导率氮化铝陶瓷，属陶瓷材料技术领域。该陶瓷由AlN粉和混合助烧结剂制成，所述混合助烧结剂为碱土金属氧化物和碱土金属氟化物中的任何一种，稀土金属氧化物和稀土金属氟化物中的任何一种，其配比为AlN∶混合助烧结剂＝(91－97.5)wt％∶(9－2.5)wt％，其中两种混合助烧结剂比例为(0.5－4)wt％∶(2－5)wt％；本发明的另一种配方中所述混合助烧结剂为碱土金属氧化物和碱土金属氟化物中的任何一种，稀土金属氧化物和稀土金属氟化物中的任何一种，第III族氧化物，其配比为AlN∶混合助烧结剂＝(89.5－97)wt％∶(10.5－3)wt％，三种混合助烧结剂A∶B∶C＝(0.5－4)wt％∶(2－4)wt％∶(0.5－2.5)wt％。本发明所提供的氮化铝陶瓷烧结温度低、易于与金属共烧，热导率可达140－200W/m·K，抗弯强度≥300MPa，介电常数为8.5－9.5，介质损耗为3－4×10－4。
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公开(公告)号：CN1362358A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN02100183.9
申请日：2002-01-22
Applicant: 清华大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种低压燃烧合成高α相氮化硅粉体的方法,属无机非金属材料技术领域。首先对原料金属硅粉进行预处理,然后按比例加入活性剂、稀释剂和添加剂,将各原料粉末球磨,使其充分混合,将混合后的原料烘干,放入低压燃烧合成反应装置内,抽真空后,从粉料底部吹入氮气,同时诱发原料粉体燃烧,达到在低压下硅的悬浮氮化。本发明提出的方法,通过对原料粉末的预处理和添加活性剂,提高初始燃烧反应物活性;加入稀释剂,提高硅的氮化率和产物中α相的含量,采用悬浮氮化技术,在较低氮气压力实现硅粉的完全氮化。本发明具有生产效率高、节约能源、设备简单、制备的氮化硅粉体纯度高、α相含量高、烧结活性好、成本低等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1203209A
公开(公告)日：1998-12-30
申请号：CN98103409.8
申请日：1998-07-24
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/581
Abstract: 本发明设计一种氮化铝晶须的制备方法,该方法是以Al2O3与石墨粉或活性炭按比例相混合,再加入一定比例的矿化剂,然后用乙醇为介质,在球磨机中混匀,用干压法制成坯片,将坯片置于氮气气氛中加热至1500℃以上,保温一段时间,合成氮化铝晶须,最后在600～700℃保温,排除残余碳,得到纯净氮化铝晶须。本发明的制备方法工艺简单,成本低廉,AlN晶须合成产率高,质量好。
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公开(公告)号：CN1088709A
公开(公告)日：1994-06-29
申请号：CN93120338.4
申请日：1993-12-04
Applicant: 清华大学
IPC: H01C7/02
Abstract: 本发明涉及一种多层并联叠片结构热敏电阻器的材料及制备工艺。热敏电阻片的材料可以是以BaTiO3为主成分，加入适量Pb(Li0.25Nb0.75)O3、Li2CO3和适量MnO作受主掺杂，最后加入SiO2和Bi2O3。将上述粉料磨细制成薄片，在薄片两面涂上电极，然后将奇数片PTC薄片相叠，端部涂上电极，最后在1150℃～1350℃下烧成热敏电阻器。也可以用聚合物和导电粒子相混合后，热压成薄片，在该薄片的二面粘贴金属铝箔作电极，整片复合PTC薄片相叠后热压成热敏电阻器。
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公开(公告)号：CN101386539A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810224311.0
申请日：2008-10-16
Applicant: 清华大学
IPC: C04B35/581
Abstract: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷材料及其制备方法。该方法是在现有常用制备方法的原料中添加纳米氧化铝，再按照常规制备工艺进行制备。可通过直接添加纳米氧化铝或通过添加有机铝，如仲丁醇铝、异丙醇铝或乙酰丙酮铝，并借助有机铝的低温分解间接获得原位生长的纳米氧化铝。该方法可应用于干压成型和流延成型，采用常压或热压烧结等陶瓷制备工艺，可获得氮化铝和纳米氧化铝分散特性好、均匀混合的浆料，有利于提高物料的烧结活性、降低烧结温度，以及提高陶瓷基板的色泽一致性、平整度和粗糙度，降低生产成本，在氮化铝陶瓷生产领域具有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN100464901C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200610169773.8
申请日：2006-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: B22F1/00 , B22F9/24 , C22C1/04 , C04B35/622 , H01M8/10
Abstract: 本发明公开了一种掺杂氧化铈纳米粉末及其制备方法。该掺杂氧化铈纳米粉末是符合Ce1-xGdx-yYyO2-0.5x化学计量比的氧化铈、氧化钆和氧化钇的复合氧化物，其晶粒粒径为8-100nm；其中，0.1≤x≤0.2，0＜y＜x。它可按照下述方法制备(1)将硝酸铈、硝酸钆和硝酸钇按照1-x∶x-y∶y的摩尔比溶解于水中，配成金属离子混合溶液，其中，0.1≤x≤0.2，0＜y＜x；然后向所述金属离子混合溶液中加入柠檬酸，使柠檬酸与金属离子铈、钆和钇离子的总摩尔比为1∶1-2；(2)将步骤(1)得到的溶液在80-100℃加热得到干凝胶；(3)使步骤(2)获得的干凝胶自蔓延燃烧，得到粉体；(4)将步骤(3)获得的粉体在500-1000℃空气中热处理1-2h，得到不同粒径、不同比表面积的钆、钇复合掺杂氧化铈粉末。该粉末可用于中温固体氧化物燃料电池的电解质材料。
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