公开(公告)号：CN114544046B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202111581041.0

申请日：2021-12-22

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  杜琦峰 ,  陈颖

IPC: G01L1/18

Abstract: 本申请涉及一种压力传感器，包括硅片和柔性薄膜，硅片的一侧设置至少一力敏电阻，柔性薄膜包覆硅片，柔性薄膜的厚度大于或等于硅片的厚度。本申请还涉及一种压力传感器的制备方法，提供硅片，硅片的一侧设置至少一力敏电阻；形成包覆硅片的柔性薄膜，得到压力传感器。本申请将硅片制成的力敏元件包埋于柔性薄膜中，可以提高器件的柔性，减少器件本身对监测环境的压力干扰，可实现对接触界面压力的精准监测。

公开(公告)号：CN116936338A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210322576.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 汪照贤 ,  王添博 ,  陈颖

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种超薄芯片及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面沉积金属薄膜，得到超薄芯片，其中，所述金属薄膜与所述硅衬底之间的应力为α，所述功能层与所述硅衬底之间的应力β，α的取值范围为10MPa‑1000MPa，β的取值范围为负1000MPa‑负10MPa，且|α|与|β|的差的绝对值小于或等于1MPa；该制备方法能够降低超薄芯片的翘曲曲率，提高超薄芯片的封装良率和可靠性。

公开(公告)号：CN116419480A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202111644360.1

申请日：2021-12-29

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  傅棋琪 ,  陈颖

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/40 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明提供一种引线键合封装结构和方法及含该结构的柔性器件，该结构包括焊接层、补强层和防泄漏层，引线的一端被焊接在对应的焊接平台上，焊接层经由焊接形成于焊接平台上，防泄漏层、补强层和焊接层从外到内依次设置；补强层包括具有流动性和导电性的补强材料，防泄漏层包括第一柔性封装材料，第一柔性封装材料包裹在补强层外，能限制补强材料的流动范围。通过在柔性器件中，于引线键合封装结构的焊接层外设置具有流动性的补强层，本发明能在焊接层周围结构变形时，通过跟随变形或填补(因疲劳产生的)空隙的方式，达到确保封装结构的焊接可靠性，并大幅度提升引线键合的电气连接导电性和疲劳耐受性的目的。

公开(公告)号：CN114751745B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202210042597.0

申请日：2022-01-14

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  王志建 ,  陈颖 ,  潘枫

IPC: C04B35/505 ,  C04B35/622 ,  H01P7/10

Abstract: 本发明涉及一种微波介质陶瓷，所述微波介质陶瓷的组成成分包括CeO2、TiO2和金属氧化物，其中，所述金属氧化物中的金属离子的化合价低于+4价，且所述金属离子的离子半径为0.04nm‑0.09nm，所述金属氧化物不与所述CeO2以及所述TiO2发生反应，所述CeO2与所述TiO2的摩尔比为(1‑y):y，0.1≤y≤0.2，所述CeO2和所述TiO2的摩尔量之和与所述金属氧化物的摩尔比为(1‑x):x，0.005≤x≤0.05。本发明还涉及所述微波介质陶瓷的制备方法及其在微波器件中的应用。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为24至30，品质因子与频率的乘积(Q×f)为20000GHz至60000GHz，谐振频率温度系数为‑10ppm/℃至10ppm/℃，用作微波器件的原材料时，制备的微波器件的损耗更低。

公开(公告)号：CN116333207A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111604489.X

申请日：2021-12-24

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  刘兰兰 ,  陈颖

IPC: C08F220/30 ,  C08F220/18 ,  C09D133/14

Abstract: 本发明涉及一种光响应聚合物及其制备方法，所述光响应聚合物的聚合度大于或等于15000，所述光响应聚合物的结构式如式(1)或式(2)所示：式(1)中，R1选自碳链长度为3‑20的烷烃，R2选自氢原子或者甲基，n为1‑20的整数，x1为5000‑20000的整数，y1为5000‑20000的整数；式(2)中，R3选自碳链长度为2‑20的烷烃，R4选自碳链长度为3‑20的烷烃，R5选自氢原子或者甲基，x2为5000‑20000的整数，y2为5000‑20000的整数。本发明还涉及一种利用所述光响应聚合物的表面粗糙度的可逆调节方法。本发明的光响应聚合物能够快速进行光二聚及光解交联，提高了光反应速度，缩短了反应时间，所以利用本发明的光响应聚合物调节表面粗糙度时，可以快速实现表面粗糙度的调节。

公开(公告)号：CN116330826A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202111602975.8

申请日：2021-12-24

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  刘兰兰 ,  陈颖

IPC: B41F16/00 ,  B41M5/00

Abstract: 本发明涉及一种可控转印设备和可控转印方法，所述可控转印设备包括转印机械手、光响应聚合物的薄膜、加热模块以及紫外照射模块，其中，光响应聚合物含有香豆素基团，薄膜设置于转印机械手上，转印机械手的弹性模量小于薄膜的弹性模量，薄膜用于拾取和释放目标转印物；加热模块设置于转印机械手上，用于对转印机械手进行加热；紫外照射模块能够发射紫外光，用于照射薄膜，使薄膜进行光二聚反应或者光解交联反应。采用本发明的可控转印设备进行转印时，整个过程不依赖于目标转印物与目标衬底的粘附力及转印机械手的撕起速度，不会对目标转印物造成损坏，而且通过温度和紫外光照可以实现可控转印，进而可以提高转印效率和成功率。

公开(公告)号：CN116315570A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202211372866.6

申请日：2022-11-03

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  潘枫 ,  王志建 ,  陈颖 ,  吴堃

IPC: H01Q1/08 ,  H01Q1/38

Abstract: 本发明公开了一种柔性超宽带天线及其制作方法，该柔性超宽带天线包括柔性基板以及设于柔性基板上且相互绝缘的辐射体和接地体，辐射体和接地体之间具有绝缘间隙区，绝缘间隙区从柔性基板的第一侧边延伸至与第一侧边相邻的第二侧边，且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化。通过采用柔性基板作为载体，便于弯曲共形，实现与柔性弯曲设备集成化设计；而且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化，使得辐射体与接地体之间具有能量耦合量的渐变，实现电抗性储能的降低，带来带宽的增加以及良好的匹配特性，可实现UWB设备全频段覆盖的宽通带，还具有共形后易于修正阻抗的特点。

公开(公告)号：CN109521512B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201811251388.7

申请日：2018-10-25

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  叶柳顺 ,  陈颖

IPC: G02B6/00

Abstract: 本发明涉及一种柔性光波导及其制备方法，包括：提供基板，并在基板上形成牺牲层；在牺牲层上依次形成第一光限制层、光传输层；在光传输层上形成光刻胶层，对光刻胶层进行曝光、显影、刻蚀，得到光传输单元；在光传输单元上覆盖第二光限制层，得到预制体；提供柔性衬底，将预制体转印于柔性衬底上，得到柔性光波导。该柔性光波导包括柔性衬底以及依次形成于柔性衬底上的第一光限制层和第二光限制层，第一光限制层和第二光限制层之间包埋有光传输单元。本发明的柔性光波导是一种类皮肤超薄光波导，与人体皮肤贴合度很好，可以实现柔性电子器件的高度集成且微型化，用于柔性可穿戴医疗电子器件时可以提高人体舒适感。

公开(公告)号：CN115734697A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202110990879.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院

Inventor： 冯雪 ,  唐瑞涛 ,  陈颖 ,  刘兰兰

IPC: H10N30/045 ,  H10N30/30

Abstract: 本申请公开了一种压电薄膜局部极化方法，包括如下步骤：在薄膜两侧的目标极化区域均制备金属电极；对制备金属电极后的薄膜的目标极化区域进行极化，其中，极化时，选取极化装置的极化压头的面积小于所述目标极化区域的面积。所述制备金属电极时，首先制备铬金属层，再在铬金属层上制备金金属层。本申请的有益效果：通过在薄膜上先制备贴合的金属电极，再进行极化的方法；结合通过设置极化压头略小于目标极化区域的设置，提高了极化区域的面积控制精度，使PVDF薄膜在压电传感、拾音应用以及热敏反应等领域的应用测量更加精准，拓宽PVDF的应用领域。

公开(公告)号：CN110890443B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN201811049971.X

申请日：2018-09-10

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  清华大学

Inventor： 冯雪 ,  蒋晔 ,  陈颖 ,  付浩然 ,  张柏诚 ,  刘兰兰 ,  王志建 ,  邰艳龙 ,  彭祖军

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/225 ,  H01L31/068

Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。