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公开(公告)号：CN116974142A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310853645.9
申请日：2023-07-12
Applicant: 河南大学
IPC: G03F7/00 , H01L21/67 , H01L21/027 , H10K59/12 , H10K71/00
Abstract: 本发明属于光刻胶纳米薄膜制备以及显示与发光器件领域，具体涉及一种液桥刷印制备超薄光刻胶纳米薄膜的方法、装置及其应用。本发明将毛细管供墨与液桥刷印模组化进行集成，并且首次采用细刚性毛细管构筑刚性液桥以引导光刻胶的刷印，能够实现大面积、高效率、低成本且厚度均匀的光刻胶纳米薄膜的成功制备。试验证实，本发明采用上述装置制备所得光刻胶纳米薄膜，仅基于可见光光刻即能够极大地满足高分辨率QLED器件的使用需求，是未来产业化低成本、大面积、高效率制备高分辨VR/AR显示屏及QLED高端照明应用的基础。因此，本发明能够为大面积、低成本、高效率构筑高分辨器件提供一套新颖的可行途径与研发方向。
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公开(公告)号：CN114300630B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202111598097.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 河南大学
IPC: H10K50/16 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本发明提供了一种ZnO基复合材料及其制备方法和QLED器件，属于光电材料技术领域。本发明提供的ZnO基复合层材料的电阻高于ZnO，降低了电子传输层的电子迁移率，减小了电子注入与传输的效率，有效调控了ZnO层的电子注入能力；其中，胺基修饰的SiO2包覆层的NH2‑封端可在发光层/电子传输层的界面形成偶极层，构成界面间的逆向电场，改变电子注入的方式，进一步调控了界面的电子传输，使QLED的电荷注入趋近完全平衡，降低了由于载流子注入不平衡引起的非辐射复合；SiO2壳层隔绝了ZnO与量子点的直接接触，有效削弱了ZnO表面的缺陷态对量子点的荧光猝灭，最终提高了QLED器件的外量子效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN115746844A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211509253.2
申请日：2022-11-29
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于半导体量子点合成技术领域，具体而言，涉及一种钙钛矿量子点的电流体动力自动化合成方法。本发明提供的自动化合成方法，包括如下步骤：(1)制备铯前驱体溶液、卤化铅前驱体溶液、稳定液；(2)控制铯前驱体溶液与卤化铅前驱体溶液的流速，使两路前驱体溶液在同轴针头尾端交汇并通过高压电场下电流体形成的泰勒锥的锥射流完成混合，然后采用气泡流使初形成的钙钛矿量子点与稳定液充分混合，即得。本发明通过简单的微机械系统与流体流动实现钙钛矿量子点的大规模自动化制备，在节约人力成本的同时能够保证钙钛矿量子点的质量，赋予钙钛矿量子点高的荧光量子效率，适合照明与显示器用半导体发光材料的合成应用。
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公开(公告)号：CN109698636A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201910074568.0
申请日：2019-01-25
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明公开了一种基于褶皱图案化PDMS层的摩擦纳米发电机-太阳能电池复合能量的收集系统，包括太阳能电池收集组件和摩擦纳米发电机组件，所述的太阳能电池收集组件包括图案化褶皱结构的PDMS层和太阳能电池，PDMS层设置在太阳能电池的透明电极上，所述的太阳能电池的闭合回路上连接负载和反向截止二极管；所述摩擦纳米发电机组件包括太阳能电池的透明电极、图案化褶皱结构的PDMS层和整流桥，PDMS层摩擦感应电荷，使透明电极带电荷，经过整流桥，连接负载，与大地形成闭合回路。本发明将摩擦纳米发电机与太阳能电池结合实现晴天太阳能和雨天雨滴机械能向电能的转化，增加能量的收集和储存效率。
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公开(公告)号：CN101845669B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010187296.4
申请日：2010-05-31
Applicant: 河南大学
Abstract: 单晶多层片状WO3的水热合成法，属于光电材料领域，步骤包括：(1)制备CTAB/WO3前驱体：将CTAB溶液加入到Na2WO4溶液中，搅拌，然后加HCl调节pH值为3.6～4.2，抽滤并用蒸馏水洗涤抽滤所得固体，干燥，即得CTAB/WO3前驱体；(2)取CTAB/WO3前驱体，充分分散到HCl溶液中，然后倒入密闭的反应釜中，150～200℃下反应2～120h，反应结束后冷却、分离出固体、干燥，即得单晶多层片状WO3。本发明利用CTAB做模板剂形成有序的孔道，作为钨源的WO42-代替了CTAB中的溴离子位置，在pH值为4左右时生成具有有序结构的CTAB/WO3复合前驱体，进一步使前躯体在盐酸介质进行水热反应，便可获得高结晶度的晶体，操作简单，且无需添加水溶性高分子做辅助剂，产物易清洗，节约化学药剂的同时也减少了污染。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113848600B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202111106317.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于显示照明技术领域，尤其涉及微透镜阵列模板及制备方法、散射型微透镜、衬底及制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明提供的凹形微透镜阵列模板，所述凹形为透明阵列模板为聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板、聚二甲基硅氧烷凹形微透镜阵列模板或耐冲击聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板，所述凹形微透镜阵列模板的表面为类半球形阵列，所述类半球形的直径独立的≥5μm，所述类半球形的顶点高度独立的≥2μm。以本发明提供的凹形微透镜阵列模板得到的散射型微透镜单使用能够有效提高QLED的出高效率，QLED结构简单。
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公开(公告)号：CN111816794B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910284885.5
申请日：2019-04-10
Applicant: 河南大学
Abstract: 一种PEIE介入标准倒置QLED器件及其制备方法，包括如下步骤：（1）在柔性衬底上沉积ZnO电子注入层；（2）在ZnO电子注入层上旋涂PEIE溶液，制得界面修饰层A；（3）在界面修饰层A上沉积量子点发光层，所述量子点发光层的材料为ZnCdSeS/ZnS绿光量子点；（4）在量子点发光层上沉积PEIE溶液，制得界面修饰层B；（5）在界面修饰层B上沉积空穴传输层和空穴注入层，所述的空穴传输层为PVK、TFB、poly‑TPD、TCTA、CBP中的一种或多种，所述的空穴注入层为PEDOT:PSS；（5）蒸镀顶电极，所述顶电极为Al、Ag、Cu、Au或合金电极；待器件蒸镀完成后，对其进行封装即可。
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公开(公告)号：CN113848600A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111106317.X
申请日：2021-09-22
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于显示照明技术领域，尤其涉及微透镜阵列模板及制备方法、散射型微透镜、衬底及制备方法和应用、量子点发光二极管。本发明提供的凹形微透镜阵列模板，所述凹形为透明阵列模板为聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板、聚二甲基硅氧烷凹形微透镜阵列模板或耐冲击聚苯乙烯凹形微透镜阵列模板，所述凹形微透镜阵列模板的表面为类半球形阵列，所述类半球形的直径独立的≥5μm，所述类半球形的顶点高度独立的≥2μm。以本发明提供的凹形微透镜阵列模板得到的散射型微透镜单使用能够有效提高QLED的出高效率，QLED结构简单。
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公开(公告)号：CN111740023A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010690255.0
申请日：2020-07-17
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明涉及一种新型量子点发光二极管器件及其制备方法，所述制备方法包括：准备衬底，所述衬底作为阳极电极层；在所述衬底上旋涂空穴注入层；在所述空穴注入层上旋涂TFB/Au NPS/TFB叠层结构；在所述TFB/Au NPS/TFB叠层结构上旋涂量子点发光层；在所述量子点发光层上旋涂电子传输层；在所述电子传输层上制作阴极电极。本发明引入新型叠层结构TFB/Au NPs/TFB，利用Au NPs和量子点的等离子体相互作用，加快了QDs的辐射复合速率，增强了量子点的荧光发射，提升了器件的外量子效率。
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公开(公告)号：CN101559921A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200910065097.3
申请日：2009-06-02
Applicant: 河南大学
Abstract: 本发明属于低维纳米材料和纳米技术领域，特别公开了一种气相沉积制备二氧化锡纳米带的方法和装置。本发明是将锡盐、柠檬酸、乙二醇三者以一定的比例混合溶解在水中搅拌形成溶胶，加热形成凝胶，裂解形成复合前驱体，研成粉末，移入陶瓷舟中，在管式电阻炉中升温，加热，反应，用惰性气作为输运气体，冷却，用硅片作为基底收集产物即得二氧化锡纳米带。本发明方法因其工艺步骤少，所以工艺简单、操作简便，可控性高；本发明方法对实验装置要求低，成本低，工业化价值高；本发明方法制备的二氧化锡纳米带为四方金红石型结构，结晶性好。
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