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    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法
    13.
    发明授权
    一种无铅反铁电高储能密度陶瓷材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710172B

    公开(公告)日：2017-03-29

    申请号：CN201510103499.3

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种室温高压反铁电高储能密度无铅陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(BixNay)AgzTi0.98-mO3-mBaTiO3-0.02SrZrO3+n(0.5MnO2-0.3La2O3-0.2Nb2O5)来表示，其中x、y、z、m、n表示摩尔分数，x=0.48，0.49；y=(0.46-z)，(0.44-z)，(0.46-z)，(0.42-z)；x与y分别取值：x/y=0.48/(0.46-z),0.48/(0.44-z),0.49/(0.46-z),0.49/(0.44-z),0.49/(0.42-z)；0.005≤z≤0.01；0.04≤m≤0.09；0.001≤n≤0.02。本发明采用纳米单晶颗粒BaTiO3粉体，通过两歩烧结，获得了多层芯壳结构，通过高场诱发反铁电相变，获得很高的储能密度及储能效率。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的陶瓷组成是一种绿色环保型储能陶瓷介质，耐压性好，损耗低，在脉冲高压电源领域具有很好的应用前景。

    一种高温无铅压电与介电储能陶瓷及其制备方法
    14.
    发明授权
    一种高温无铅压电与介电储能陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104671766B

    公开(公告)日：2017-01-11

    申请号：CN201510103536.0

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  黎清宁 ,  许积文 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: H01L41/187 ,  C04B35/26 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

    Abstract: 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)或(1-x-y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeSbO3+0.005(0.5MnO2-0.3CuO-0.2CeO2)来表示，其中Me为碱金属元素Li、Na、K中的一种或两种，x、y表示摩尔分数，0.1≤x≤0.5，0.05≤y≤0.3。本发明采用分步合成结合两歩烧结，获得成分结构梯度可控的均匀致密陶瓷。本发明的高温压电、高储能密度陶瓷具有优异的储能密度、高压电常数及高居里温度，储能密度可达1.1J/cm3，压电常数d33可达282pm/V、应变可达0.22%，居里温度可达501oC，绿色环保，实用性好。

    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法
    15.
    发明授权
    一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104710171B

    公开(公告)日：2017-01-04

    申请号：CN201510103056.4

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  杨玲 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种高储能密度钛酸锶铋基复相陶瓷介质材料及其制备方法，成分以通式(1-x-y)Sr1-1.5z(Bi0.8La0.2)zTiO3-x(Bi0.5Na0.5)1-mMgmTiO3-yBi0.5Li0.5(Ti0.92Mn0.08)O3来表示，其中x、y、z、m表示摩尔分数，0.2≤x≤0.7；0.01≤y≤0.2；0.05≤z≤0.3；0.02≤m≤0.2。本发明通过成分调节，形成复相组成，采用微波烧结形成均匀细小晶粒的致密结构，即保持高的介电常数，有获得高的耐压。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高储能密度复相陶瓷介质材料，具有优异的储能特性及储能效率，储能密度可达1.9J/cm3，储能效率可达65%，环境友好、损耗低、实用性好。

    一种高场大应变及高储能密度无铅陶瓷及其制备方法
    16.
    发明授权
    一种高场大应变及高储能密度无铅陶瓷及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN104671778B

    公开(公告)日：2017-01-04

    申请号：CN201510103530.3

    申请日：2015-03-10

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 周昌荣 ,  许积文 ,  黎清宁 ,  袁昌来 ,  曾卫东 ,  陈国华

    IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

    Abstract: 本发明公开了一种高场致应变、高储能密度无 铅 陶 瓷 介 质 材 料 ，成 分 以 通 式[(Bi0.95La0.05)0.5Na0.5]1-x-y(Bi0.5K0.5)x(Ba0.85Sr0.10Mg0.05)yTi1-u-vCu(A1/2B1/2)vO3来表示，其中A为三价金属元素，选自Al、Fe、Cr、Mn、Co、Y、与Ga的一种或两种，B为五价金属元素，选自Nb、Sb、Ta与V的一种或两种，C为四价金属元素，选自Zr、Mn、Hf与Sn的一种。x、y、u、v表示摩尔分数，0.005≤x≤0.2，0.005≤y≤0.2，x+y≤0.3，0.005≤u≤0.3，0.005≤v≤0.3，u+v≤0.4。本发明采用冷等静压成型，可获得均匀致密的陶瓷组织。本发明制备工艺简单、稳定，适合工业推广应用。本发明的高场致应变、高储能陶瓷具有优异的储能密度、储能效率及高场应变，储能密度可达1.2J/cm3，储能效率可达59%，高场应变可达0.28%，环境友好、损耗低、实用性好。

    一种可高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法
    18.
    发明授权
    一种可高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法 失效

    公开(公告)号：CN103553338B

    公开(公告)日：2016-02-24

    申请号：CN201310473495.5

    申请日：2013-10-12

    Applicant: 桂林电子科技大学

    Inventor： 陈国华 ,  宋俊 ,  康晓玲 ,  袁昌来

    IPC: C03C10/02

    Abstract: 本发明涉及一种高储能的硼酸盐微晶玻璃介质材料及其制备方法，其制备方法是以SrCO3、BaCO3、Nb2O5、H3BO3为主要起始原料，掺杂不同含量SrF2和Gd2O3，按照设定的组成配料，配合料经湿法球磨混匀、烘干，然后在1350℃熔化保温30-60min熔化成均匀的玻璃液，再经快速成型、退火得到高致密度、无气孔的均匀基础玻璃，然后基础玻璃在一定温度下晶化热处理得到微晶玻璃电介质材料。由该方法制备微晶玻璃材料的介电常数30-136可调，直流击穿强度879-1210kV/cm可调，储能密度最高达6.94J/cm3，可用于各种高储能密度及超高压电容器的制造。

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