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公开(公告)号：CN107742606A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201711030930.1
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/2007
Abstract: 本发明公开了一种键合晶圆的结构及其制备方法，主要解决现有技术键合强度低以及键合的空隙率高的技术问题。该键合晶圆的结构及其制备方法通过将需要键合的两块晶圆进行清洗、蒸发沉积金属Al，在任一晶圆表面旋涂光刻胶、软烘烤、UV曝光、光刻胶显影，刻蚀形成等间距通道、在氧环境下低温键合以及低温退火键合得到晶圆键合结构，该晶圆键合结构包括上下两层晶圆层，以及在该两层晶圆层之间氧化与键合同时进行，使得键合后的表面具有三氧化二铝和气体混合的气体通道的技术方案，该键合晶圆的结构及其制备方法，实现了晶圆之间空隙小、键合强度高，以及基于SOI结构制造的器件散热性好；能够用于晶圆的低温键合。
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公开(公告)号：CN104218088B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201410333042.7
申请日：2014-07-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于折叠漂移区的SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层和有源层，所述有源层内还设有叉指介质槽；该叉指介质槽由至少一个从有源层表面向下延伸的下延介质槽和至少一个从介质埋层表面向上延伸的上延介质槽构成；其中下延介质槽和上延介质槽的高度均小于有源层的厚度，且下延介质槽和上延介质槽在有源层内相互交错设置，每2个相邻的下延介质槽和/或上延介质槽之间存在间隙。本发明通过在功率器件半导体有源层和介质埋层之间设置有多个叉指介质槽来提高横向和纵向耐压，并使得器件的阻断特性获得显著改善。
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公开(公告)号：CN104269403B
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104269403A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564342.6
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明公开一种线性间距分布固定电荷岛SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置；在横向耐压方向上，每2个高浓度固定电荷区之间的间距呈线性递减或递增。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN102221684B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110066079.4
申请日：2011-03-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01S1/08
Abstract: 本发明公开了一种无线测向定位搜救装置及搜救方法，该装置包括内含通信协议的寻的主机和信标子机，寻的主机包括控制主机和与控制主机连接的人机接口、寻的信号处理电路、以及与寻的信号处理电路连接的寻的发射电路和寻的接收电路，寻的发射电路与定向天线连接；信标子机包括信标信号处理电路及与信标信号处理电路连接的信标接收电路、信标发射电路和天线；通信协议为一软件，协调寻的主机和信标子机的相互工作，寻的主机与信标子机按通信协议无线联络。本装置利用寻的主机对全部的信标子机进行扫描检测，再对察到的特定的信标子机进行无线测向、定位操作，对失踪人员实施快速准确的救援，减少伤亡；而且结构简单，可以独立工作，还可直流供电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497593A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311460353.5
申请日：2023-11-06
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种高密度倾斜沟道功率半导体器件，在现有功率半导体器件的沟道区内开设有至少一个倒V形的嵌入槽；嵌入槽纵向贯通沟道区，即嵌入槽的上表面与沟道区的上表面相平，嵌入槽的下表面与沟道区的下表面相平；嵌入槽的整个内侧表面覆有绝缘介质，嵌入槽内填充有栅极介质；填充在嵌入槽内的栅极介质形成嵌入栅，嵌入栅的上表面直接与环表面栅连接，嵌入栅的下表面通过绝缘介质与埋氧层连接。本发明利用倒V形的嵌入栅的倾斜交叉结构提高有效沟道长度以及宽度，降低器件的导通电阻，提高整体导通性能，实现沟道区的三维完全包裹。
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公开(公告)号：CN117276316A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311429491.7
申请日：2023-10-31
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 本发明公开一种褶皱环栅SOI LDMOS器件，利用环表面栅、埋栅和槽栅共同形成褶皱环栅结构，这样的褶皱环栅结构显著增加了SOI LDMOS器件沟道的有效长度以及宽度，缓解了因沟道长度和宽度的限制所导致的器件的耐压和导通电阻之间的矛盾，在耐压的前提下，有效地降低了器件的导通电阻，提高整体导通性能，同时能够增加电流通量，并提供更好的热传导和散热能力，对于器件性能的改善具有重要意义。此外，该褶皱环栅结构与传统功率集成电路工艺兼容，在一定程度上解决了沟道宽度较小的SOI LDMOS器件在工艺上的挑战，适合SOI智能功率集成电路的发展要求。
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公开(公告)号：CN107942220A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201711035073.4
申请日：2017-10-30
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。
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公开(公告)号：CN104269441B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm‑2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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公开(公告)号：CN104269441A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410564619.5
申请日：2014-10-22
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0603 , H01L29/7393
Abstract: 本发明公开一种等间距固定电荷区SOI耐压结构及功率器件，包括自下而上依次叠放的衬底层、介质埋层、有源层、以及多个浓度大于等于1×1013cm-2的高浓度固定电荷区；这些高浓度固定电荷区由介质材料形成，且电荷极性为正；这些高浓度固定电荷区均位于介质埋层上部，且相互之间呈间断设置，并呈等间距分布。本发明不仅可以大大提高介质埋层电场，从而有效提高耐压；而且工艺实现简单，与常规CMOS工艺完全兼容。
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