公开(公告)号：CN119390439A

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202411551338.6

申请日：2024-11-01

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 程帅 ,  方娟 ,  毛素文 ,  马垒 ,  于宏宝 ,  韩缙 ,  饶光辉

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H10N30/853 ,  H10N30/092

Abstract: 本发明提供了一种具有异质结构的铁酸铋‑钛酸钡压电陶瓷及其制备方法，该陶瓷由A层、B层和A层依次叠层压制而成；所述A层的结构通式：BaTi(1‑x)SnxO3；所述B层的结构通式:0.75BiFeO3‑0.25BaTiO3‑y％MnO2；0＜x≤0.16，且0＜y≤1。其制备方法为：将A层原料、B层原料按照A、B、A依次叠层压制成片，得到素片，然后将素片排胶、电镀、极化制得。本发明的压电陶瓷同时兼具压电性能和热稳定性。

公开(公告)号：CN115229144A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210935793.0

申请日：2022-08-05

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 马垒 ,  朱伟豪 ,  饶光辉 ,  何木芬 ,  袁昌来 ,  王治群 ,  程帅 ,  赵景泰

IPC: B22D11/06 ,  C22C1/02 ,  C22C28/00 ,  H01F1/01 ,  H01F1/147 ,  H01F41/02

Abstract: 本发明提供了一种TbDyHoEr薄带及其制备方法和应用，涉及磁性功能材料技术领域。本发明提供的TbDyHoEr薄带的制备方法，包括以下步骤：将Tb、Dy、Ho和Er混合，进行熔炼，得到合金铸锭；将所述合金铸锭进行加热，得到液态合金；将所述液态合金进行甩带处理，得到TbDyHoEr薄带。本发明制备的TbDyHoEr薄带具有极宽工作温度区间，制冷能力优异。

公开(公告)号：CN110937886A

公开(公告)日：2020-03-31

申请号：CN201911336343.4

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  韩飞 ,  刘笑 ,  刘飞 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/26

Abstract: 本发明公开了一种具有光伏效应的K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：K1-xLnxNb1-xFexO3，其中Ln为Ba、Sr、Mg、Zn中的一种，0.01≤x≤0.2；该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(0.5-0.5x)：(0.5-0.5x)：0.5x：x的摩尔比例称取高纯度的K2CO3、Nb2O5、Fe2O、LnO/LnCO3粉体原料，将原料混合均匀，于在高能球磨机中充分球磨，取出烘干，过筛，再煅烧合成K1-xLnxNb1-xFexO3粉体；2）将K1-xLnxNb1-xFexO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体置于马弗炉中，经过600℃保温2h排除PVA，再高温烧结，冷却至室温后，制得K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷。K1-xLnxNb1-xFexO3稀磁铁电半导体陶瓷具有优良的宏观铁电特征、低的光学带隙和稀磁特性，且具有显著光伏效应的稀磁铁电半导体特征的功能。

公开(公告)号：CN110877978A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201911336342.X

申请日：2019-12-23

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  陈泽星 ,  蒙柳方 ,  刘笑 ,  朱保华 ,  周昌荣 ,  许积文 ,  程帅 ,  王江 ,  饶光辉

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷及其制备方法，其组成通式为：(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3，其中0.02≤x≤0.1，Me为Ni、Co、Fe、Mn中的一种，该陶瓷的制备方法步骤为：1）按(1-x)/2：(1-x)/2：x：1的摩尔比例称取高纯度的Bi2O3：Na2CO3：MeO：TiO2粉体原料，以无水乙醇为介质置于行星球磨机中充分混合后取出干燥、研磨，再煅烧合成(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体；2）将(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3粉体与质量浓度为5%的PVA溶液混合均匀，烘干，研磨成粉末，将粉末压制成陶瓷坯体；3）将陶瓷坯体高温烧结，即得到氧化物(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷。该(Na0.5Bi0.5)1-xMexTiO3稀磁铁电半导体陶瓷可用于制造光电器件、光传感器、光探测器、光伏器件和多功能电磁器件等领域中。

公开(公告)号：CN117534961A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311234850.3

申请日：2023-09-22

Applicant: 上海大学 ,  桂林电子科技大学

Inventor： 李乾利 ,  陈靖坤 ,  程帅 ,  张泽青 ,  陈家璇 ,  郝书童 ,  李育成 ,  黎乃鑫 ,  徐明辉 ,  杨雪纯 ,  赵景泰

IPC: C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08K9/00 ,  C08K3/22 ,  C08K3/08 ,  G21K4/00 ,  B01F21/10 ,  B01J19/00 ,  G01T1/202

Abstract: 本发明提供了一种ZnO：Sc微米晶及其聚合物闪烁屏的制备方法和应用，属于辐射探测与成像技术领域技术领域，它解决了现有技术中制备闪烁屏的过程复杂、成本高昂、制备周期长等技术问题。本发明利用水热反应法制备ZnO：Sc微米晶，通过添加聚乙烯吡咯烷酮(polyvinyl pyrrolidone，PVP)控制ZnO：Sc形态，首次制备出呈双层饼状的ZnO：Sc微米晶，然后将制备的微米晶与PDMS或RTV复合制备成ZnO：Sc大尺寸聚合物柔性闪烁屏，或者与EP复合成超厚硬性闪烁屏，不仅可降低ZnO：Sc自身的自吸收问题提高发光效率，而且可以制备成任意形状与尺寸。ZnO：Sc聚合物闪烁转换屏不仅制备过程简单、成本低廉、制备周期短，而且具有良好的闪烁发光性能以及制备出大尺寸和超厚的闪烁转换屏的优势。