公开(公告)号：CN100363299C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200610022007.9

申请日：2006-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  刘心宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明将公开一种新型低烧玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该复合材料的成分包括氮化铝和堇青石基玻璃，两者的重量比例为35～57∶65～43；所述堇青石基玻璃包括下述以重量百分比计的成分：SiO250～53%，Al2O320～26%，MgO 15～23%，B2O31.5～5%，P2O50～2.5%，1～6.5%RxOy；其中所述RxOy中的R为Bi、Ce和Zn中的之一；x＝1～2；y＝1～3。本发明用于先进电子封装的氮化铝/堇青石基玻璃陶瓷复合材料的相对密度达97.2%以上，热导率最高可达7.5W/m.K，热膨胀系数为3.2～3.8×10-6K-1，抗折强度不低于168MPa，断裂韧性不低于2.38MPa.m1/2，介电常数比现有报道的材料低，有利于提高信号的传输速度，且其还具有较高的室温热导率，热膨胀系数与硅匹配，力学性能也大大提高。

公开(公告)号：CN1935739A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610022007.9

申请日：2006-09-28

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  刘心宇

IPC: C04B35/195 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明将公开一种新型低烧玻璃陶瓷复合材料及其制备方法，该复合材料的成份包括氮化铝和堇青石基玻璃，两者的重量比例为35～57∶65～43；所述堇青石基玻璃包括下述以重量百分比计的成份：SiO250～53％，Al2O320～26％，MgO 15～23％，B2O31.5～5％，P2O50～2.5％，1～6.5％RxOy；其中所述RxOy中的R为Bi、Ce和Zn中的之一；x＝1～2；y＝1～3。本发明用于先进电子封装的氮化铝/堇青石基玻璃陶瓷复合材料的相对密度达97.2％以上，热导率最高可达7.5W/m.K，热膨胀系数为3.2～3.8×10－6K－1，抗折强度不低于168MPa，断裂韧性不低于2.38MPa.m1/2，介电常数比现有报道的材料低，有利于提高信号的传输速度，且其还具有较高的室温热导率，热膨胀系数与硅匹配，力学性能也大大提高。

公开(公告)号：CN109400154B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201811333250.1

申请日：2018-11-09

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  许亚萍 ,  金琦 ,  严亚飞 ,  韩胜男 ,  李德东 ,  李林 ,  饶光辉 ,  顾正飞 ,  成钢 ,  刘心宇

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种双铌源碱金属铌酸盐微纳米线材料，以K2CO3、Na2CO3、Nb2O5、C10H5NbO20、BaCO3、Bi2O3为原料，按照化学式(1‑y)KzNa1‑zNb(C)xNb(N)1‑xO3‑yBaBiO3进行配料，其中Nb(C)是指来自铌源C10H5NbO20的Nb元素；Nb(N)是指来自铌源Nb2O5的Nb元素；0＜x≤0.1，0＜y＜0.1,0.4≤z≤0.6，经传统陶瓷固相烧结工艺合成的微纳米线材料。其制备方法包括以下步骤：1）原料烘干；2）原料称取，进行球磨；3）球磨之后粉料的预烧；4）预烧后粉料的第二次球磨；5）压制成圆坯；6）圆坯的保温处理。本发明的优点是，采用双铌源后，可以提高压坯粉料的结晶度和微纳米线的生长速度；同时球磨介质可使用纯净水，无需使用无水乙醇，极大节约成本、减小对环境的污染和烘干过程中的安全隐患。

公开(公告)号：CN106521627B

公开(公告)日：2019-01-08

申请号：CN201610989699.8

申请日：2016-11-10

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  宋嘉庚 ,  郝崇琰 ,  严亚飞 ,  饶光辉 ,  成钢 ,  顾正飞 ,  刘心宇

IPC: C30B29/30 ,  C30B1/10

Abstract: 本发明提供一种铌酸钾钠基压电单晶，以CaCO3、ZrO2、Li2CO3和Bi2O3作为掺杂原料，以K0.5Na0.5NbO3为主体材料组成，化学式为：xCaZrO3‑(1–x)(99.6K0.5Na0.5NbO3‑0.4LiBiO3)，式中x表示体系中摩尔含量，其中0﹤x≤0.005。其制备方法包括：（1）所用原料均置于烘箱中烘干；（2）按化学式称量原料，球磨；（3）将产物烘干，预烧；（4）再以无水乙醇为介质球磨后烘干；（5）将烘干的粉料过筛后，压制成圆坯；（6）将压制好的圆坯烧结获得单晶。本发明的优点是显著地提高了铌酸钾钠基单晶的压电性能，其压电常数d33最高达到488 pC/N。

公开(公告)号：CN102964119B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201210470746.X

申请日：2012-11-20

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  冯琴 ,  刘心宇 ,  陈国华 ,  洛颖 ,  周昌荣

IPC: H01C7/04 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法，它是先合成(1-x)BiFeO3-xMeMO3粉体，再不掺入或掺入少量SiO2，经压制成型、烧结制成掺SiO2的(1-x)BiFeO3-xMeMO3热敏陶瓷材料。本发明制备的可低温烧结BiFeO3基高性能负温度系数热敏陶瓷材料，烧结温度低于950℃且性能稳定，性能测试表明能够获得较好的综合热敏性能：热敏常数β25/85大于5000K，室温电阻率ρ25小于106Ω·cm，老化率η低于5%。制备过程采用传统的陶瓷固相烧结制备工艺，采用工艺相对简单、稳定，因而具有较高的实用性和推广应用前景。

公开(公告)号：CN102260044B

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201110112607.5

申请日：2011-04-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 陈国华 ,  张文俊 ,  刘心宇

IPC: C03C10/02

Abstract: 本发明涉及一种储能铌酸盐微晶玻璃电介质材料及其制备方法，其制备方法是以BaCO3、SrCO3、Na2CO3、Nb2O5、SiO2、B2O3、TiO2、BaF2为起始原料，按照aNa2O.bSrO.cBaO.dNb2O5.eSiO2.f B2O3.g XY2(X＝Ti，Ba；Y＝O，F)的比例配料，经球磨混料6h后烘干，在1530-1550℃高温熔化2-3h，再经快速冷却、退火得到高致密度的均匀玻璃，在一定温度下进行可控晶化得到微晶玻璃电介质材料。由该方法得到的微晶玻璃电介质的相对介电常数在30-100范围内可调，直流击穿场强最高达1500kV/cm。

公开(公告)号：CN102005273B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN201010297410.9

申请日：2010-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 袁昌来 ,  刘心宇 ,  马家峰 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01C7/04 ,  H01C17/065

Abstract: 本发明公开了一种高性能无铅负温度系数热敏厚膜及其制备方法，主要复合成分有两种组合方式：无机相Ⅰ组合方式为：(1-t)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+tBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3，0.4≤t≤0.95(t为摩尔比率)；无机相Ⅱ组合方式为：(1-m-l)Ba1-yMyFe1-xSnxO3+mBaCoⅡzCoⅢ2zBi1-3zO3+l/2Ag2O，0.3≤m≤0.65，0.05≤l≤0.3，m、l为摩尔比率，将上述复合成分与有机载体按质量比75∶25混合均匀，形成厚膜电阻浆料。将浆料通过丝网印刷工艺印刷到基片上，经过放平，烘烤，预烧并重复印刷得到所需厚度的厚膜素坯。将素坯在750～850℃下烧结，保温40～80分钟即可得到无铅负温度系数热敏厚膜。本发明制备工艺简单，成膜温度低，膜厚度在10～100μm内，热敏常数值介于2500～5500K之间，室温电阻率处于150Ω·cm～10MΩ·cm范围内，耐老化时间超过800小时。

公开(公告)号：CN101659545B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910114388.7

申请日：2009-09-11

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/622 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为(Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。

公开(公告)号：CN101826377A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010137147.7

申请日：2010-03-31

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李旭琼 ,  骆颖 ,  刘心宇 ,  周昌荣 ,  陈国华

IPC: H01B1/20 ,  H01B13/00 ,  H01C7/04

Abstract: 本发明涉及负温度系数热敏电阻材料技术领域，具体涉及以铋酸钡基材料为功能相的厚膜热敏电阻浆料、其制备方法以及用该厚膜热敏电阻浆料制备的厚膜热敏电阻。所述电阻浆料由功能相和有机载体溶剂组成，功能相和有机载体溶剂的重量比为60～80∶20～40，其中功能相是化学通式为(Ba1-xAx)BiO3的化合物，式中0≤x＜0.01，A为稀土金属元素，选自Y、La、Nd、Sm、Dy和Er元素中的一种。其制备方法为：1)制备功能相；2)制备有机载体；3)制备浆料。与现有技术相比，本发明所述厚膜热敏电阻浆料具有不需加入粘结剂，可实现低温烧结厚膜电阻，电阻性能优异，制备工艺简单的优点。

公开(公告)号：CN101747038A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910114460.6

申请日：2009-09-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 江民红 ,  刘心宇 ,  邓满姣 ,  唐焕丽

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种高性能的K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3－BiScO3无铅压电陶瓷，它是在K0.5Na0.5NbO3－LiSbO3中添加BiScO3经传统陶瓷烧结工艺制成，组成通式为(1-x-y)(K0.5Na0.5)NbO3－xLiSbO3－yBiScO3，式中x、y表示陶瓷体系中摩尔含量，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.01。通过选择适当的x、y值及在烧结时，以120℃/h的升温速度到500℃保温2h，再以120℃/h的升温速度到1060～1150℃保温1～9h烧结。烧结后，随炉冷却至室温。得到的无铅压电陶瓷的压电常数d33突破300pC/N，平面机电耦合系数kp可达0.52以上，机械品质因素Qm可达54.00，常温下介电常数εr可达1742，介电损耗(tan θ)低于2.5％。