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公开(公告)号：CN101890605B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201010219958.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H05K3/34
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题，实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。
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公开(公告)号：CN101615602B
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN200910160951.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体器件及测试方法、测试模具。其中，一种半导体器件，包括依次层叠设置的管盖、铝合金阳极、管芯芯片、铝合金阴极、门极和管座，每层相邻构件之间电性连接且所述门极还与所述管芯芯片电连接。半导体器件测试方法，包括：将待测管芯芯片、门极组件和铝合金测试片组装入测试夹具，所述待测管芯芯片夹在所述铝合金测试片组的阳极和所述铝合金测试片组的阴极之间；执行动态测试。本发明实施例采用铝合金片组代替了现有技术中的镀铑钼片组，不仅降低了测试成本，而且减少了通态压降，改善了热阻性能，改良了与管芯芯片的表面结合。
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公开(公告)号：CN101890605A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010219958.1
申请日：2010-07-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置，应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括：底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架，绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位，绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上，半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题，实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。
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公开(公告)号：CN100557768C
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200710035981.3
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 半导体芯片梳条修理方法及装置，通过一套模拟手工修理方法的梳条修理机构对有问题的梳条进行修理。所述的模拟手工修理方法是通过一套定位装置将半导体器件芯片固定在显微工作台上，再由一套模拟手工修理芯片梳条的剔梳条机构完成芯片梳条的修理。其中，所述的模拟手动修理芯片梳条的剔梳条机构是通过一微动定位机构将修理梳条的刀具刀口调至待剔梳条的根部及对准梳条的长度方向，准备剔条；再由与刀具安装在一起的拴导机构使刀口产生所需的直线运动，完成剔除梳条的动作。所述的梳条修理机构由芯片定位座、刀具、微动定位机构及拴导机构几部分构成，整个结构置于“显微工作台”内。
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公开(公告)号：CN100490105C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101355072A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810215654.0
申请日：2008-09-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L29/74
Abstract: 一种门极换流晶闸管，包括阳极端(103)、阴极端(101)、所述阳极端(103)和阴极端(101)之间的管壳(105)以及由所述管壳(105)外壁引出的门极引线(111)；所述门极引线(111)具有与印刷电路板连接的安装面(112)；其特征在于，还包括由所述管壳(105)外壁引出的且与所述阴极端(101)电连接的阴极引线(109)；所述阴极引线(109)具有与印刷电路板连接的安装面(110)；且在所述门极换流晶闸管安装于印刷电路板上时，所述阴极引线(109)的安装面(110)与所述门极引线(111)的安装面(112)位于印刷电路板的同侧。本发明的门极换流晶闸管易于与印刷电路板组装，且使得门控晶闸管与印刷电路板组成的器件易于维护。
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公开(公告)号：CN1937245A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610032431.1
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种直列插入式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、门电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述门电极和阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后布置于壳体的外侧形成插头。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的直列插入式半导体器件。
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公开(公告)号：CN1873918A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610031478.6
申请日：2006-04-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/332
Abstract: 一种用于门极可关断晶闸管离子注入扩散工艺方法，采用离子注入扩散技术，在门极可关断晶闸管(GTO)制作中芯片阴极面的杂质分布中，要求交界(标20um处)的PN结电压设计值VGK精确到20～21V，据此可计算交界处的杂质浓度的V/I值应控制在10～11，其均匀度为±5％。p型杂质采用硼、铝双杂质分布，铝决定了总的结深，硼决定了硅片表面及次表面处的浓度及均匀度。靠外面为高浓度N型磷杂质，采用离子注入扩散法将掺杂原子电离化后，用电子枪将其高速打到硅片上，先将硼离子注入扩散，然后再将铝离子注入扩散。
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公开(公告)号：CN105679750B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN106856180A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510900654.4
申请日：2015-12-08
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法，其包括以下步骤：步骤一：将拱形的基板展平并固定在平板上，所述基板的凸出面抵接于平板；步骤二：在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层；步骤三：将衬板覆盖在所述衬板焊料层上；步骤四：将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化，然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化，使模块封装后达到规定的基板拱度值，在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数，基板拱度合格率提高。
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