一种功率半导体芯片焊接装置

    公开(公告)号:CN101890605B

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201010219958.1

    申请日:2010-07-08

    CPC classification number: H01L24/97 H01L2924/13055 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置,应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括:底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架,绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位,绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上,半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上,半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题,实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。

    一种功率半导体芯片焊接装置

    公开(公告)号:CN101890605A

    公开(公告)日:2010-11-24

    申请号:CN201010219958.1

    申请日:2010-07-08

    CPC classification number: H01L24/97 H01L2924/13055 H01L2924/00

    Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片焊接装置,应用于大功率高压半导体模块焊接。功率半导体芯片焊接装置包括:底板、绝缘元件固定框架、绝缘元件和半导体芯片固定框架,绝缘元件固定框架固定在底板上方形成绝缘元件固定工位,绝缘元件放置在绝缘元件固定框架上,半导体芯片固定框架固定在绝缘元件固定框架上,半导体芯片固定框架上分布有用于元件焊接的位置。该发明可以很好地解决现有技术存在的因半导体芯片、片状焊料及绝缘元件的相对位置移动造成的半导体芯片焊接位置不准确问题以及贴片电阻、片状焊料及绝缘元件相对位置移动而造成开路的技术问题,实现功率半导体芯片焊接封装准确定位。

    一种焊接IGBT模块的方法

    公开(公告)号:CN106856180B

    公开(公告)日:2019-06-07

    申请号:CN201510900654.4

    申请日:2015-12-08

    Abstract: 本发明提出了一种焊接IGBT模块的方法,其包括以下步骤:步骤一:将拱形的基板展平并固定在平板上,所述基板的凸出面抵接于平板;步骤二:在所述基板的凹陷面上设置焊料以形成厚度均匀的衬板焊料层;步骤三:将衬板覆盖在所述衬板焊料层上;步骤四:将所述平板放置在水平的加热板上加热以使得所述衬板焊料层熔化,然后冷却所述衬板焊料层。采用本方法后能有效的控制基板拱度不规则变化,使模块封装后达到规定的基板拱度值,在焊接时不需要考虑焊接材料与封装工艺参数,基板拱度合格率提高。

    一种IGBT模块母排抛光方法及抛光工装

    公开(公告)号:CN104942687B

    公开(公告)日:2017-11-14

    申请号:CN201410113323.1

    申请日:2014-03-25

    Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块母排抛光的方法及抛光工装,该方法的步骤为:(1)通过计算得到模块上各个母排的抛光面面积大小和分布,同时利用模块上母排弯折后其抛光面与模块管盖间的距离;(2)依据步骤(1)的数据得到抛光工装;(3)直接将步骤(2)得到的抛光工装固定于母排上,将模块固定在支架上,利用抛光机对所有母排进行抛光作业。该工装是用来实施上述方法。本发明具有原理简单、操作简便等优点,大大简化了IGBT模块的母排抛光作业,降低了劳动强度。

    一种功率半导体模块
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104465549B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201410779614.4

    申请日:2014-12-15

    Abstract: 本申请公开了一种功率半导体模块,包括:相对设置的外壳上盖和外壳底座,所述外壳底座设置有多个定位凸台;设置在所述外壳上盖和所述外壳底座之间的整体定位装置,所述整体定位装置设置有与所述定位凸台的数目相同且位置相同的定位方格。本申请所公开的一种功率半导体模块的整体定位装置和定位凸台配合定位,就能保证将每个芯片置于合适的位置,因此可以利用机器,自动化地向定位方格中放置芯片,从而使得生产效率大为提高。

    一种芯片焊接方法
    17.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104134614B

    公开(公告)日:2017-10-03

    申请号:CN201410317374.6

    申请日:2014-07-04

    Abstract: 本发明公开了一种芯片焊接方法,该方法包括:根据芯片的焊接位置,在衬板的相应位置处设置键合引线,以在衬板上确定出焊片和芯片的定位区域;将焊片放入定位区域中;将芯片放入定位区域中,使得芯片覆盖在相应的焊片上;采用预设焊接工艺进行焊接处理,使得芯片与衬板之间通过焊片形成的焊层实现电路互连。本发明通过键合引线来实现对焊片和芯片的定位,不再需要使用焊接工装,简化了芯片焊接流程,降低了芯片焊接的成本。

    一种IGBT器件及其形成方法

    公开(公告)号:CN105428407A

    公开(公告)日:2016-03-23

    申请号:CN201510786049.9

    申请日:2015-11-16

    Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件,包括:半导体结构,所述半导体结构包括漂移区,阱区、发射区,所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面,且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0~1μm;位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极,位于所述发射极两侧的栅区,所述栅区具有台阶部分和水平部分,所述台阶部分和所述水平部分为一体结构,所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区,所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响,同时,缩短了关断电流在阱区的路径,减少了损耗,且最大程度的避免了闩锁效应。

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