公开(公告)号：CN110268107A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201880010712.8

申请日：2018-09-28

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C30B29/46 ,  C30B33/02 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]MyV1-ySnxSb2Tex+3在上式1中，V为空位，M为碱金属，x≥6，以及0＜y≤0.4。

公开(公告)号：CN110088924A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201880004598.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1-2xSn4Bi2-xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0

公开(公告)号：CN110178233B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201780083182.5

申请日：2017-12-20

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 高京门 ,  朴哲熙 ,  金玟冏 ,  朴致成 ,  郑明珍 ,  闵裕镐

IPC: H10N10/85 ,  H10N10/853 ,  H10N10/852 ,  H10N10/01 ,  H01L31/0272 ,  C01G51/00

Abstract: 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12‑y‑zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。

公开(公告)号：CN110088924B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880004598.8

申请日：2018-06-05

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H10N10/851 ,  H10N10/852 ,  H10N10/853 ,  H10N10/01

Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1‑2xSn4Bi2‑xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0

公开(公告)号：CN109415208B

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN201880002728.4

申请日：2018-03-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 闵裕镐 ,  金玟冏 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明涉及新的含有硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含有硫属元素的化合物即使在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且具有高的输出因子和热电优值。

公开(公告)号：CN107408618B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201680012741.9

申请日：2016-07-21

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 权五贞 ,  崔铉祐 ,  林炳圭 ,  郑明珍 ,  朴哲熙

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 提供了化合物半导体热电材料，其制造方法以及使用其的热电模块、热电发电机或热电冷却装置，所述化合物半导体热电材料通过具有优异的功率因数和ZT值而具有优异的热电转换性能，并且特别地，在低温下具有优异的热电转换性能。根据本发明的化合物半导体热电材料包含：n型化合物半导体基体；和分散在基体中的n型颗粒，所述n型颗粒是与基体不同的化合物半导体并且平均颗粒尺寸为1μm至100μm。

公开(公告)号：CN111247092A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201980005259.6

申请日：2019-08-23

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  C30B29/46 ,  H01L35/16

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物具有降低的热导率和低温区域内的改善的功率因数，并因此表现出优异的热电优值：[化学式1]V1Sna-xInxSb2Tea+3，其中，在化学式1中，V、a、和x如说明书中所限定。

公开(公告)号：CN107112406B

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201580068585.3

申请日：2015-12-16

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李载骑 ,  高京门 ,  金兑训 ,  朴哲熙 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/18 ,  H01L35/28

Abstract: 公开了一种经表面处理的热电粉末，其可以用于制造具有改善的热电性能的基于方钴矿的热电材料。所述热电粉末可以包括具有一个或更多个方钴矿颗粒的芯部分以及具有含Ni材料且涂覆在所述芯部分的至少一部分表面上的涂层部分。

公开(公告)号：CN110177759A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201880006756.3

申请日：2018-05-11

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  金宰贤 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1-xMxSn4-yPbyBi2Se7-zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。

公开(公告)号：CN110114305A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201880005390.8

申请日：2018-05-30

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金玟冏 ,  闵裕镐 ,  朴哲熙 ,  高京门 ,  朴致成 ,  郑明珍

IPC: C01B19/00 ,  H01L35/14

Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1-xMxSn4Bi2Se7-yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。