公开(公告)号：CN111357119A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074220.5

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  杉本雅裕 ,  四户孝

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，其可以减小反向的漏电流，而且例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，能够不使半导体特性恶化且实现优良的半导体特性。一种半导体装置，至少包括n型半导体层，具有刚玉结构的结晶性氧化物半导体(例如为α-Ga2O3等)作为主成分；以及电场屏蔽层和闸电极，分别直接或隔着其他层被层叠于该n型半导体层上，其中，该电场屏蔽层包含p型氧化物半导体，而且该电场屏蔽层比该闸电极更深地埋入于该n型半导体层中。

公开(公告)号：CN111357116A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074216.9

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 松田时宜 ,  高桥勋 ,  四户孝

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种半导体装置，例如在使用介质击穿(dielectric breakdown)电场强度比SiC高得多的高电压下为低损耗的n型半导体(例如氧化镓等)等的情况下，其可以不使半导体特性恶化，且使用了能够适用于p井层的p型氧化物半导体膜。一种半导体装置，至少包括n型半导体层和p+型半导体层，其中所述n型半导体层包含含有周期表第13族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化镓等)作为主成分，并且，p+型半导体层包含含有周期表第9族金属的结晶性氧化物半导体(例如氧化铱等)作为主成分。

公开(公告)号：CN111356793A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074297.2

申请日：2018-11-15

Applicant: 株式会社FLOSFIA

Inventor： 高桥勋 ,  松田时宜 ,  四户孝

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/06 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L21/365 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872

Abstract: 提供一种能够有用于工业且半导体特性优良的p型氧化物半导体膜；以及其形成方法。使用金属氧化物(例如氧化铱)的气体作为原料，以在具有金刚石结构的基体(例如蓝宝石基板等)上进行结晶成长，直至膜厚为50nm以上。由此，形成具有金刚石结构的p型氧化物半导体膜，其膜厚为50nm以上且其表面粗糙度为10nm以下。