公开(公告)号：CN110858564B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201910782502.7

申请日：2019-08-23

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  长冈健辅

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及加工基板(W)的方法。基板(W)具有一个面(1)和与该面(1)相反的面(6)。基板(W)在所述面(1)上或者在与该面(1)相反的面(6)上具有至少一个凹部(7)。该方法包括：提供保护膜(4)，并将保护膜(4)施加至基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面上，使得保护膜(4)的正表面(4a)的至少中央区域与基板(W)的具有至少一个凹部(7)的面直接接触。该方法还包括：向保护膜(4)施加压力，使得保护膜(4)沿所述至少一个凹部(7)的深度的至少一部分进入凹部(7)中；以及对基板(W)的所述面(1)和/或与该面(1)相反的面(6)进行加工。

公开(公告)号：CN116230635A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310227412.8

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/362

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN113921447A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202111181023.3

申请日：2014-12-29

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/268 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及保护片、保护片布置、半导体尺寸晶片的处理系统和方法。本发明涉及在处理半导体尺寸晶片中使用的保护片。保护片包括：大致圆形的基片，和大致环形的粘合剂层，该大致环形的粘合剂层涂敷至基片的第一表面的周围部分。粘合剂层的内径小于半导体尺寸晶片的直径。而且，粘合剂层的外径大于用于保持半导体尺寸晶片的半导体尺寸环形框的内径。本发明还涉及半导体尺寸晶片处理方法，该方法包括以下步骤：经由基片的第一表面上的粘合剂层将保护片附接至半导体尺寸晶片的前侧或背侧，使得粘合剂层的内周部分粘合至晶片的前侧或背侧的外围部分，并且在保护片已经附接至晶片的前侧或背侧之后，处理晶片。

公开(公告)号：CN110047745A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910030538.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  D·迈尔

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304

Abstract: 处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆(W)在一侧(1)上具有器件区域(2)，器件区域(2)具有多个器件(27)。特别地，该发明涉及一种方法，其包括：提供保护膜(4)，以及将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，使得保护膜(4)的前表面(4a)的至少中心区域与晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)直接接触。该方法还包括：在将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)期间和/或之后，向保护膜(4)施加外部刺激，使得保护膜(4)附接到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，以及处理晶圆(W)的一侧(1)和/或晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)。

公开(公告)号：CN109309047A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810826147.4

申请日：2018-07-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  古田健次

IPC: H01L21/78

Abstract: 处理衬底的方法。本发明涉及一种处理衬底(2)的方法，该衬底具有第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)，其中，衬底(2)在第一表面(2a)上具有器件区域(20)，该器件区域具有通过多条分割线(22)分隔开的多个器件(21)。方法包括以下步骤：从第一表面(2a)的一侧向具有100μm或更大的厚度的衬底(2)施加用脉冲激光束(LB)，其中，在脉冲激光束(LB)的焦点(P)被定位成沿从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)的方向与第一表面(2a)隔开距离的情况下，脉冲激光束(LB)至少在沿着各个分割线(22)的多个位置被施加于衬底(2)。

公开(公告)号：CN108933098A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810477901.8

申请日：2018-05-18

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L21/02013

Abstract: 处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆的方法，该晶圆在一侧具有器件区域，该器件区域具有多个器件。该方法包括提供保护膜并且将用于覆盖晶圆上的器件的保护膜施加到晶圆的所述一侧，使得保护膜的前表面与晶圆的所述一侧直接接触。该方法还包括在将保护膜施加到晶圆的所述一侧期间和/或之后对保护膜加热，使得保护膜附接到晶圆的所述一侧，并且处理晶圆的与所述一侧相反的侧。此外，本发明涉及一种处理这种晶圆的方法，其中液体粘合剂仅被分配到保护膜的周边部分上和/或仅被分配到晶圆的周边部分上。

公开(公告)号：CN118352440A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410535287.1

申请日：2020-02-03

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/04 ,  H01S5/02 ,  B23K26/53

Abstract: 生产衬底的方法以及生产衬底的系统。本发明涉及一种生产具有功能层的衬底的方法。该方法包括提供具有第一表面和与第一表面相反的第二表面的工件，以及在工件的内部形成改性层，该改性层包括多个改性部位。此外，该方法包括，在工件的内部形成改性层之后，在工件的第一表面上形成功能层，以及在工件的第一表面上形成功能层之后，沿着改性层分割工件，从而获得具有功能层的衬底，其中，沿着改性层分割工件包括向工件施加外部刺激，其中，所述改性层被形成为被外围工件部分环绕，并且其中，所述方法还包括：在所述工件的所述第一表面上形成所述功能层之后，在所述外围工件部分中形成改性部位。此外，本发明还涉及用于执行该方法的衬底生产系统。

公开(公告)号：CN108335974B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201810038835.4

申请日：2018-01-16

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森数洋司 ,  服部奈绪 ,  卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/78

Abstract: 基板处理方法。本发明涉及一种处理基板(2)的方法，该基板具有其上形成有至少一条分割线(22)的第一表面(2a)和与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)。该方法包括至少在沿着至少一条分割线(22)的多个位置处从第一表面(2a)一侧向基板(2)施加脉冲激光束(LB)，以在基板(2)中形成多个改性区域(23)，每个改性区域(23)至少从第一表面(2a)朝向第二表面(2b)延伸。通过利用脉冲激光束(LB)熔化基板材料并允许熔融基板材料再固化来形成每个改性区域(23)。该方法进一步包括沿着其中已经形成有多个改性区域(23)的至少一条分割线(22)去除基板材料。

公开(公告)号：CN110047745B

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN201910030538.X

申请日：2019-01-14

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔 ,  星野仁志 ,  D·迈尔

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/304

Abstract: 处理晶圆的方法。本发明涉及一种处理晶圆(W)的方法，晶圆(W)在一侧(1)上具有器件区域(2)，器件区域(2)具有多个器件(27)。特别地，该发明涉及一种方法，其包括：提供保护膜(4)，以及将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，使得保护膜(4)的前表面(4a)的至少中心区域与晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)直接接触。该方法还包括：在将保护膜(4)贴到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)期间和/或之后，向保护膜(4)施加外部刺激，使得保护膜(4)附接到晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)，以及处理晶圆(W)的一侧(1)和/或晶圆(W)的与一侧(1)相反的侧(6)。

公开(公告)号：CN109417049B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201780039824.1

申请日：2017-06-27

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 卡尔·海因茨·普利瓦西尔

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明涉及一种处理晶片(W)的方法，该晶片具有包含器件区域的第一面(1)和具有多个突出物(14)的第二面(6)。该方法包括：提供保护膜(4)；提供具有贴在其正面(17)上的缓冲层(13)的基片(7)；将保护膜(4)的正面贴附到晶片(W)的第二面(6)，并且将保护膜(4)的与其正面相反的背面贴附到缓冲层(13)。突出物(14)嵌入缓冲层(13)中，并且基片(7)的背面(18)与晶片(W)的第一面(1)大致平行。