研磨方法及研磨装置
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117581336A

    公开(公告)日:2024-02-20

    申请号:CN202280044190.X

    申请日:2022-06-14

    Abstract: 本发明关于一种研磨晶片等的基板的研磨方法和研磨装置。本方法具备如下工序:研磨基板(W);一边研磨基板(W),一边生成转矩波形;及从基板(W)研磨前所存储的多个参考转矩波形选择一个参考转矩波形。研磨基板(W)的工序包含阶差研磨工序和平坦研磨工序,阶差研磨工序包含如下工序:基于利用第一关系式算出的参考膜数据的膜厚,决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚;及比较转矩波形与选出的参考转矩波形,判断是否应结束阶差研磨工序;平坦研磨工序包含基于利用第二关系式算出的参考膜数据的膜厚,决定在基板(W)上多个测定点的多个膜厚的工序。

    基板处理系统
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113853275A

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN202080037700.1

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 可使基板处理装置省人力、节能、及/或低成本化。具备:传感器,该传感器设置于基板处理装置,检测对象基板处理中的对象物理量;及预测部,该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型,从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻,该机器学习模型是如下模型:使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习。

    基板处理系统
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113853275B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202080037700.1

    申请日:2020-05-20

    Abstract: 可使基板处理装置省人力、节能、及/或低成本化。具备:传感器,该传感器设置于基板处理装置,检测对象基板处理中的对象物理量;及预测部,该预测部将通过该传感器检测的物理量的时间序列数据或以时间对该物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据输入完成学习的机器学习模型,从而输出作为结束研磨的时刻的研磨终点时刻,该机器学习模型是如下模型:使用将过去的该物理量的时间序列数据或以时间对该过去的物理量的时间序列数据进行微分而得到的时间序列数据作为输入、并将过去的研磨终点时刻作为输出的学习用的数据集进行机器学习。

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