公开(公告)号：CN103222061A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201180054334.1

申请日：2011-10-11

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线构造，在有机EL显示器、液晶显示器等显示装置中，即使不设置蚀刻阻挡层，湿法蚀刻时的加工性也优异。本发明涉及一种布线构造，其依次具有基板、薄膜晶体管的半导体层、和金属布线膜，并且在所述半导体层与所述金属布线膜之间具有阻挡层，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述阻挡层具有高熔点金属系薄膜和Si薄膜的层叠构造，所述Si薄膜与所述半导体层直接连接。

公开(公告)号：CN103098220A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180044003.X

申请日：2011-09-30

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53238 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种布线结构，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使氧化物半导体层与构成例如源电极、漏电极的金属膜形成稳定的界面。本发明涉及一种布线结构，其是在基板上从基板侧起依次具有薄膜晶体管的半导体层和金属布线膜、并且在半导体层与金属布线膜之间具有阻挡层的布线结构，其中，上述半导体层包含氧化物半导体，上述阻挡层包含含有TiOx(x为1.0以上且2.0以下)的Ti氧化膜，且上述Ti氧化膜与上述半导体层直接连接，上述氧化物半导体包含含有选自In、Ga、Zn及Sn中的至少一种元素的氧化物。

公开(公告)号：CN102473730A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031806.7

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种布线构造，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使半导体层与构成例如源极电极、漏极电极的Al系膜稳定地直接连接，并且在湿法工艺所使用的电解质液中，所述半导体层和Al系膜之间难以产生电化腐蚀，能够抑制Al系膜的剥离。布线构造在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的半导体层、和与所述半导体层直接连接的Al合金膜，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一种。

公开(公告)号：CN103493210B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280019704.2

申请日：2012-04-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1222 ,  H01L29/78693

Abstract: 提供一种在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，形成保护膜等时不需要氧化处理层，也能够使薄膜晶体管的电特性稳定的氧化物半导体层。本发明的薄膜晶体管构造在基板上至少从基板侧开始依次具备氧化物半导体层、源／漏电极和保护膜，该薄膜晶体管构造的主旨在于，所述氧化物半导体层是Zn占金属元素整体的含有量在50原子％以上、且形成在源／漏电极及保护膜侧的第1氧化物半导体层、和包含从由In、Ga及Zn构成的组中选择的至少1种元素、且形成在基板侧的第2氧化物半导体层的层叠体，并且所述第1氧化物半导体层和所述源／漏电极及保护膜直接接触。

公开(公告)号：CN103534789B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201280022035.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  横田嘉宏 ,  前田刚彰

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：CN102473730B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201080031806.7

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/45

Abstract: 本发明提供一种布线构造，其在有机EL显示器或液晶显示器等显示装置中，能够使半导体层与构成例如源极电极、漏极电极的Al系膜稳定地直接连接，并且在湿法工艺所使用的电解质液中，所述半导体层和Al系膜之间难以产生电化腐蚀，能够抑制Al系膜的剥离。布线构造在基板上从基板侧依次具备薄膜晶体管的半导体层、和与所述半导体层直接连接的Al合金膜，所述半导体层由氧化物半导体构成，所述Al合金膜包含Ni以及Co中的至少一种。

公开(公告)号：CN103733310A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280035317.8

申请日：2012-07-19

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 前田刚彰 ,  奥野博行 ,  横田嘉宏

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L21/76867 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/401 ,  H01L29/456 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，即使在制造工序等中暴露于高温下的情况下，也能抑制半导体区与电极之间的原子的相互扩散，并且抑制界面电阻上升。本发明的半导体元件具备包含硅的半导体区、包含铝的电极、以及介于所述半导体区与电极之间并且含有锗的防扩散层，所述防扩散层的至少一部分的锗含量为4原子％以上。

公开(公告)号：CN103534789A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201280022035.4

申请日：2012-05-16

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 奥野博行 ,  钉宫敏洋 ,  横田嘉宏 ,  前田刚彰

IPC: H01L21/28 ,  C22C21/00 ,  C22F1/00 ,  C22F1/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/53219 ,  C22C21/00 ,  C22C21/02 ,  C22C21/12 ,  C22C21/14 ,  C22F1/04 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/2855 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/12431 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体装置用Al合金膜，其即使被曝露在高温下时，小丘的发生也得到抑制而耐热性优异，且膜自身的电阻率抑制得很低。本发明涉及半导体装置用Al合金膜，其特征在于，在进行以500℃保持30分钟的加热处理之后，全部满足下述（a）～（c），且膜厚为500nm～5μm：（a）Al基体的最大粒径为800nm以下；（b）小丘密度低于1×109个/m2；（c）电阻率为10μΩcm以下。

公开(公告)号：CN102792451A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012956.8

申请日：2011-04-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 森田晋也 ,  钉宫敏洋 ,  前田刚彰 ,  安野聪 ,  寺尾泰昭 ,  三木绫

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

Abstract: 本发明提供一种在薄膜晶体管的半导体层使用氧化物半导体时，薄膜晶体管的开关特性及应力耐受性良好的薄膜晶体管的半导体层用氧化物。本发明的薄膜晶体管的半导体层用氧化物是用于薄膜晶体管的半导体层的氧化物，所述氧化物包含：选自由In、Ga及Zn构成的组中的至少一种元素；以及选自由Al、Si、Ni、Ge、Sn、Hf、Ta及W构成的X组中的至少一种元素。

公开(公告)号：CN102473732A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033080.0

申请日：2010-07-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  前田刚彰 ,  岩成裕美 ,  平野贵之

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。