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公开(公告)号：CN117947507A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311371635.8
申请日：2023-10-23
Abstract: 在碳化硅晶片的制造装置中，搭载部(50)构成为具备具有载置晶种基板(10)的背面(10b)侧的载置面(61a)的基座部(60)、以及以包围晶种基板的周围的状态配置于基座部的引导部(70)。在使外延层(11)生长时，使台阶流动生长方向的上游侧的晶种基板与引导部的第一间隔(L1)，比台阶流动生长方向的下游侧的晶种基板与引导部的第二间隔(L2)窄，引导部构成为在使外延层生长时，温度比晶种基板低。
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公开(公告)号：CN117476583A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922683.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
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公开(公告)号：CN114496885A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111245518.8
申请日：2021-10-26
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。
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公开(公告)号：CN113539808A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539808B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113539928A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539927B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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公开(公告)号：CN113539928B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539927A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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公开(公告)号：CN111630213B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201880087282.X
申请日：2018-12-21
IPC: C30B29/36 , B24B7/22 , C30B23/00 , C30B33/00 , H01L21/304
Abstract: 本发明的单晶4H‑SiC生长用籽晶是直径大于150mm，厚度为1mm以上且为所述直径的0.03倍以下的范围内的圆板状的单晶4H‑SiC生长用籽晶，生长单晶4H‑SiC的那一侧的面是镜面，另一侧的面的Ra大于10nm，并且自由变形从而内部应力分布降低了的状态下的波纹度大小的绝对值为12μm以下。
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