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公开(公告)号：CN114496885A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111245518.8
申请日：2021-10-26
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。
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公开(公告)号：CN119069342A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410654006.4
申请日：2024-05-24
Applicant: 株式会社迪思科
Abstract: 本发明提供晶片的加工方法和倒角部去除装置，能够在实施基于磨削装置的磨削加工之前有效地从晶片的外周去除倒角部。该晶片的加工方法对具有有效区域以及位于围绕该有效区域的外周的端部的倒角部的晶片进行加工，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该有效区域与该倒角部的边界部的内部而进行照射，沿着该倒角部而形成改质层；倒角部去除工序，对该晶片的有效区域进行保持，对晶片的外周赋予外力而去除倒角部；以及加工工序，对去除了该倒角部的晶片的背面进行磨削而加工成期望的厚度。
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公开(公告)号：CN109216159B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201810658962.4
申请日：2018-06-25
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/02 , H01L21/677
Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。
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公开(公告)号：CN107442952B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710341747.7
申请日：2017-05-16
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/53 , B23K26/0622
Abstract: 提供激光加工装置和GaN晶片的生成方法，能够高效地将GaN锭切断而生成GaN晶片。一种激光加工装置，从GaN锭生成GaN晶片，其中，该激光加工装置包含激光束照射单元，该激光束照射单元照射对于保持在卡盘工作台上的GaN锭具有透过性的波长的激光束。该激光束照射单元包含振荡出激光束的激光振荡器，该激光振荡器包含：激光光源，其振荡出高频的脉冲激光；间疏部，其按照规定的重复频率对该激光光源振荡出的高频脉冲进行间疏而将多个该高频脉冲作为子脉冲来生成1突发脉冲；以及放大器，其对所生成的该突发脉冲进行放大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107790898B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710734758.1
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: B23K26/402
Abstract: 提供SiC晶片的生成方法，能够容易地将SiC晶片从单晶SiC锭剥离，并且实现生产性的提高。一种SiC晶片的生成方法，其中，该SiC晶片的生成方法包含剥离面生成工序，在形成有偏离角的方向上对锭和聚光点进行相对地转位进给而多次进行形成由改质层和从改质层沿着c面延伸的裂纹构成的分离层的分离层形成加工，形成多个分离层而生成剥离面。剥离面生成工序中的加工进给包含往路移动和返路移动，该往路移动使聚光点从锭的一方的端部向另一方的端部相对地移动，该返路移动使聚光点从另一方的端部向一方的端部相对地移动而追溯已经形成的分离层。
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公开(公告)号：CN107283078B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201710220144.1
申请日：2017-04-06
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
IPC: C03B33/02
Abstract: 提供晶片生成方法和加工进给方向检测方法，实现了生产性的提高。晶片的生成方法包含加工进给方向检测工序，该加工进给方向检测工序对c轴的倾斜方向与第2定向平面是否呈直角进行确认，检测与c轴的倾斜方向呈直角的加工进给方向。加工进给方向检测工序包含如下工的序：采样工序，在与第2定向平面平行的方向和以第2定向平面为基准绕顺时针和逆时针各倾斜规定的角度的多个方向上分别实施样本照射，形成多个样本强度降低部，该样本照射对锭照射激光光线；以及确定工序，对样本强度降低部各自的每单位长度中存在的节的个数进行计测，将节的个数为0个的样本强度降低部所延伸的方向确定为加工进给方向。
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公开(公告)号：CN105862135B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201610079751.6
申请日：2016-02-04
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: C30B33/04
Abstract: 提供晶片的生成方法，从锭高效地生成晶片。晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层沿着c面伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，将形成有分离起点并且在上表面配设有保护部件的六方晶单晶锭浸渍在水中并且赋予超声波振动，而将板状物从六方晶单晶锭剥离。
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公开(公告)号：CN106945190B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201611183289.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 株式会社迪思科
IPC: H01L21/301 , B28D7/00 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供SiC晶片的生成方法，能够高效地从SiC晶锭生成SiC晶片。一种SiC晶片的生成方法，具备：分离起点形成步骤，将对于SiC晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距SiC晶锭的端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并且使该聚光点与该SiC晶锭相对地移动来对该端面照射激光束，形成与该端面平行的改质层和从该改质层起进行伸长的裂痕作为分离起点；和晶片剥离步骤，在实施了该分离起点形成步骤之后，从该分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从该SiC晶锭剥离而生成SiC晶片，在该分离起点形成步骤中，将形成聚光点的聚光透镜的数值孔径设定为0.45～0.9，并且将激光束的M2因子实质设定为5～50，将聚光点的直径设定为
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公开(公告)号：CN106064425B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201610152814.6
申请日：2016-03-17
Applicant: 株式会社迪思科
Inventor： 平田和也
Abstract: 提供晶片的生成方法，抑制磨削磨具的消耗量并缩短磨削时间。晶片的生成方法从具有第一端面以及位于该第一端面的相反侧的第二端面的化合物单晶锭生成晶片，包含分离面形成步骤，由卡盘工作台对化合物单晶锭的第二端面进行保持，将对于化合物单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距第一端面相当于要生成的晶片的厚度的深度，使该聚光点与化合物单晶锭相对地移动而对该第一端面照射该激光束，形成由与该第一端面平行的改质层和从该改质层伸长的裂痕构成的分离面。将构成化合物单晶锭的原子量大的原子和原子量小的原子之中原子量小的原子排列的极性面作为该第一端面，在平坦化步骤中对原子量小的原子排列的极性面即第一端面进行磨削。
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