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公开(公告)号：CN118053810A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311493826.1
申请日：2023-11-10
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个元件构造；沿相邻的元件构造的边界将按压部件向半导体晶圆的位于第一表面的背侧的第二表面进行推抵，从而在半导体晶圆中形成沿着边界并且沿半导体晶圆的厚度方向延伸的裂纹；以及从第一表面侧沿着边界将分割部件向半导体晶圆进行推抵，从而沿边界分割半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN117198871A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310654810.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。
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公开(公告)号：CN117476740A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922674.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/304
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底在从上方观察时是四边形，具有表面、位于表面的相反侧的背面、和将表面及背面连接的4个侧面。各侧面具有沿着半导体衬底的表面的周缘所延伸的方向交替地反复出现凸部和凹部的阶差部。
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公开(公告)号：CN117476583A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922683.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
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公开(公告)号：CN112740365A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980062177.5
申请日：2019-08-26
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/301 , B26F3/00 , B28D1/24 , B28D5/00
Abstract: 本发明提供一种能够较好地分断附金属膜衬底的方法。分断附金属膜衬底的方法包括如下：切割工序，通过在规定的分断预定位置对设置有薄膜层的基材的第1主面侧进行切割，而使基材露出；刻划工序，通过刻划所露出的基材而形成划线，从划线起，沿分断预定位置，向基材的内部延展垂直裂纹；第1裂断工序，通过使裂断棒从设置有金属膜的第2主面侧与衬底抵接，而进一步延展垂直裂纹，由此，在分断预定位置将衬底中除金属膜以外的部分分断；以及第2裂断工序，通过使裂断棒从第1主面侧与衬底抵接，而在分断预定位置将金属膜分断。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309971A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010629260.0
申请日：2020-07-02
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/78 , C03B33/023 , C03B33/033
Abstract: 本发明提供能够将脆性材料基板适当地切断为不同的尺寸的单片的脆性材料基板的切断方法。该方法具备：刻划工序，在刻划工序中，在基板的一主面侧，沿着切断预定位置形成刻划线，该切断预定位置确定于包括在切断后成为小尺寸单片的区域和成为大尺寸单片的区域在内的全部区域的周围；以及断开工序，在断开工序中，对全部断开棒抵接位置进行从基板的另一主面侧在断开棒抵接位置以规定的压入量压入断开棒的断开动作，该断开棒抵接位置至少包含刻划线的上方位置，在断开工序中，(a)将刀尖角(θ)设为50°～90°，(b)将刀尖前端的曲率半径(R)设为100μm～300μm，(c)将压入量设为60μm～100μm，(d)将断开棒下降速度设为10mm/s～100mm/s。
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公开(公告)号：CN104942859B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201410800462.1
申请日：2014-12-19
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: B26D3/00
Abstract: 本发明涉及树脂片的分断方法及分断装置，课题为准确地分断树脂片。在伸展保持于切割环(31)的胶带(32)上保持树脂片(33)。在分断装置(10)的平台(11)上设置弹性支撑板(40)，并在其上方固定切割环(31)。然后，使断裂杆(21)垂直地下降至树脂片(33)的表面，使树脂片(33)断裂。这样，弹性支撑板(40)略微变形而使龟裂沿着断裂线伸展，从而可高精度地分断树脂片(33)。
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公开(公告)号：CN105365060B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201510409122.0
申请日：2015-07-13
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: B28D5/00
Abstract: 本发明的分断方法能够在将已刻划的基板分断成芯片的情形时，在芯片的角不产生缺欠的情况下进行分断。在环构件(41)黏贴黏着性膜(42)，将脆性材料基板(40)形成有刻划线的面压接于黏着性膜(42)而保持在环构件(41)上。以保护膜(43)覆盖脆性材料基板(40)的另一面，以刻划线位于中央的方式在承受刃之间保持脆性材料基板(40)，从保护膜(43)的上面以配合刻划线的方式以裂断杆(23)按压而进行裂断。
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公开(公告)号：CN106182152B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201510280256.7
申请日：2015-05-27
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: B26D7/08
Abstract: 本发明提供一种能够将复合基板以无分断残留的状态确实且有效率地分割的复合基板的分割方法及分割装置。复合基板(W)是在包含脆性材料的基板主体(1)的单面隔着接着层(2)而形成有树脂层(3)且在基板主体(1)的表面形成有多条划线(S)，分割方法包括：第一分割步骤，通过将复合基板(W)的基板主体(1)设为下侧而贴附在胶带(5)上，并将分割杆(8)从树脂层(3)的上表面压抵于划线(S)，而将分割杆(8)的刀尖一边切入树脂层(3)及接着层(2)一边压入，并且使基板主体(1)向下方弯曲而沿划线(S)将基板主体(1)分割；及第二分割步骤，通过将胶带(5)设为上侧，并使辊(13)在复合基板(W)的上表面的整个宽度上進行按压滚动，而使在第一分割步骤中经分割的分断线(L)再次弯曲而将分断残留部分分割。
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公开(公告)号：CN110039668A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910041487.0
申请日：2013-08-02
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
Abstract: 本发明是有关于一种积层陶瓷基板的分断方法及刻划装置，将在陶瓷基板上积层有金属膜的积层陶瓷基板进行分断。使用图案化工具沿刻划预定线对积层陶瓷基板的金属膜进行槽加工。其次，利用刻划装置自金属膜或的槽或于陶瓷基板形成刻划线。其次，使积层陶瓷基板反转而沿刻划线进行断裂。如此，可使积层陶瓷基板完全地分断。
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