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公开(公告)号：CN118053810A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311493826.1
申请日：2023-11-10
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个元件构造；沿相邻的元件构造的边界将按压部件向半导体晶圆的位于第一表面的背侧的第二表面进行推抵，从而在半导体晶圆中形成沿着边界并且沿半导体晶圆的厚度方向延伸的裂纹；以及从第一表面侧沿着边界将分割部件向半导体晶圆进行推抵，从而沿边界分割半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN117476583A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922683.5
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
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公开(公告)号：CN117198871A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310654810.8
申请日：2023-06-05
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L21/304 , H01L21/78
Abstract: 半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。
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公开(公告)号：CN117476740A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922674.6
申请日：2023-07-26
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/304
Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底在从上方观察时是四边形，具有表面、位于表面的相反侧的背面、和将表面及背面连接的4个侧面。各侧面具有沿着半导体衬底的表面的周缘所延伸的方向交替地反复出现凸部和凹部的阶差部。
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公开(公告)号：CN105366928A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510360049.2
申请日：2015-06-26
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: C03B33/02
Abstract: 本发明是关于一种在密封材料的正上及正下的位置形成刻划线的情况下，提供一种能够在基板形成足够深度的裂纹的刻划方法及刻划装置。在将2个玻璃基板(G1、G2)藉由密封材料(SL)黏合而成的母基板(G)形成刻划线时，在与玻璃基板(G1)的表面的密封材料(SL)相对方向的位置一面将刻划轮(301)压抵，一面使刻划轮(301)沿着密封材料(SL)移动，且藉此并行而在玻璃基板(G2)表面的自刻划轮(301)沿着密封材料(SL)的方向位移(W1)的位置一面将刻划轮(401)压抵，一面使刻划轮(401)沿着密封材料(SL)移动。本发明在密封材料的正上以及正下的位置形成刻划线的情形，能够在基板形成充分深度的裂纹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105366932B
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201510355575.X
申请日：2015-06-24
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: C03B33/07
Abstract: 本发明是有关于一种刻划工具。在密封材的正上及正下的位置形成刻划线的情况下，提供一种能够在基板形成足够的深度的裂纹的刻划工具。刻划工具30、40具备：保持具303、403；槽303a、403a，形成于保持具303、403与保持具303a、403a的下面；一对槽303b、403b，以夹持槽303a、403a的方式形成于保持具304、404的下面；刻划轮301、401，在槽303a、403a可旋转地装设；一对辊302、402，在一对槽303b、403b分别可旋转地装设；刻划轮301、401的轴301a、401a与辊302、402的轴302a、402a在刻划方向仅互相分离既定距离。本发明提供的技术方案可在密封材的正上以及正下的位置形成刻划线的情形，能够在基板形成充分的深度的裂纹。
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公开(公告)号：CN105366928B
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201510360049.2
申请日：2015-06-26
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: C03B33/02
Abstract: 本发明是关于一种在密封材料的正上及正下的位置形成刻划线的情况下，提供一种能够在基板形成足够深度的裂纹的刻划方法及刻划装置。在将2个玻璃基板(G1、G2)借由密封材料(SL)黏合而成的母基板(G)形成刻划线时，在与玻璃基板(G1)的表面的密封材料(SL)相对方向的位置一面将刻划轮(301)压抵，一面使刻划轮(301)沿着密封材料(SL)移动，且借此并行而在玻璃基板(G2)表面的自刻划轮(301)沿着密封材料(SL)的方向位移(W1)的位置一面将刻划轮(401)压抵，一面使刻划轮(401)沿着密封材料(SL)移动。本发明在密封材料的正上以及正下的位置形成刻划线的情形，能够在基板形成充分深度的裂纹。
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公开(公告)号：CN103030265A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210357123.1
申请日：2012-09-21
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: C03B33/02
Abstract: 一种玻璃基板刻划方法。其课题在于，能够容易地对强化玻璃进行内切刻划。该刻划方法包含第1工序、第2工序和第3工序。在第1工序中将刻划轮（32）压接在玻璃基板（W）上的离开刻划预定线（SL）的开始位置。在第2工序中，使刻划轮（32）与玻璃基板（W）压接的同时从开始位置（S0）朝着刻划预定线（SL）移动。在第3工序中，在刻划轮（32）到达刻划预定线（SL）的时间点，使刻划轮（32）的相对于玻璃基板（W）的移动方向变更为沿着刻划预定线（SL）的方向，使刻划轮（32）与玻璃基板（W）压接的同时沿着刻划预定线（SL）移动。
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公开(公告)号：CN105523711B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201510582200.7
申请日：2015-09-14
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种划线方法及划线装置。即便于在密封材料的正上方及正下方的位置形成划线的情况下，也可遍及划线的全长而在基板顺利地形成充分深度的凹槽。使上下的划线轮(301、401)向划线方向相互移位，并沿着密封材料(SL)移动，而在母基板(G)的上下表面形成划线。以划线轮(301、401)大致同时通过其他划线(LV1、LV2)上的方式，调整划线轮(301、401)的移动。在通过其他划线(LV1、LV2)之后，使划线轮(301、401)向划线方向相互移位，并沿着密封材料移动，而在母基板(G)的上下表面形成划线。
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公开(公告)号：CN105523710A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201510578090.7
申请日：2015-09-11
Applicant: 三星钻石工业股份有限公司
IPC: C03B33/02
Abstract: 本发明涉及一种划线方法及划线装置。即便于在密封材料的正上方及正下方的位置形成划线的情况下，也可遍及划线的全长而在基板形成充分深度的凹槽。以母基板(G)的两表面的划线的开始位置在俯视下相互一致的方式，分别将划线轮(301、401)抵压在母基板(G)上表面的与密封材料对向的位置、及母基板(G)下表面的与密封材料对向的位置。而且，以划线轮(301)相对于划线轮(401)延迟的方式使划线轮(301、401)分别移动而形成划线。然后，相对于划线轮(401)而推进划线轮(301)的移动，在划线的结束位置使划线轮(301、401)的位置一致。
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