公开(公告)号：CN110226235A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008427.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  铃木优 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。

公开(公告)号：CN109417090A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780041600.4

申请日：2017-06-29

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 竹内有一 ,  宫原真一朗 ,  秋叶敦也 ,  铃木克己 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

Abstract: 在p型连接层(30)的前端连结p型扩张区域(40)。通过形成这样的p型扩张区域(40)，能够消除在p型连接层(30)与p型保护环(21)之间间隔变大的区域。因此，在台面部中，能够抑制等电位线过度隆起，能够确保耐压。

公开(公告)号：CN107615492A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201680030119.0

申请日：2016-04-05

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 远藤刚 ,  秋叶敦也 ,  竹内有一 ,  高谷秀史 ,  青井佐智子

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 半导体装置具有：基板(1)，其包括外周区域和具有半导体元件的单元区域；以及所述基板上的漂移层(2)。半导体元件具备基极区域(3)、源极区域(4)、沟槽栅构造、比栅极沟槽深的深层(5)、源极电极(11)、以及漏极电极(12)。外周区域具有使所述漂移层露出的凹部(20)、以及保护环层(21)，保护环层具有在露出了的所述漂移层的表面包围所述单元区域的多个框形状的保护环沟槽(21c)、以及配置于保护环沟槽内的第1保护环(21a)。所述深沟槽的宽度和所述保护环沟槽的宽度。

公开(公告)号：CN1327528C

公开(公告)日：2007-07-18

申请号：CN03152590.3

申请日：2003-08-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 片冈光浩 ,  竹内有一 ,  内藤正美 ,  拉杰什·库马尔 ,  松波弘之 ,  木本恒畅

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8083

Abstract: 一种碳化硅(SiC)衬底，设有偏转的{0001}表面，该偏转的{0001}表面的偏轴方向是 。沟槽形成在碳化硅上，以具有朝向 方向延伸的条形结构。在沟槽的内表面上形成碳化硅外延层。

公开(公告)号：CN1790735A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510116265.9

申请日：2005-11-04

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 马尔汉·拉杰什·库马尔 ,  竹内有一

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅半导体装置，包括：具有碳化硅基片(1，61)、第一半导体层(2)、第二半导体层(3)和第三半导体层(4)的半导体基片；贯穿第二和第三半导体层(3，4)并到达第一半导体层(2)的沟槽(5)；位于沟槽(5)侧壁和底部上的沟道层(6)；沟道层(6)上的氧化物膜(8)；氧化物膜(8)上的栅极(9)；与第三半导体层(4)相连的第一电极(14)；与碳化硅基片(1，61)相连的第二电极(19)。第一半导体层(2)和第二半导体层(3)间的边界位置低于氧化物膜(8)的最低位置。

公开(公告)号：CN113302719B

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN201980088935.0

申请日：2019-12-18

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 藤林裕明 ,  竹内有一

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

Abstract: 半导体制造装置具有：薄膜形成部(10)，具有腔室(11)，该腔室具备设置基板(17)的设置台之上生长的供给气体；以及供给气体单元(20，30)，向腔室内导入供给气体。供给气体单元具有：供给配管(100a～100e，110a～110c)，供给来自气体导入源(21a～21e，31a～31c)的气体；原料用的流量控制器(22a～22e，32a～32c)；集合配管(101，111)，在比流量控制器靠下游侧生成混合气体；分配配管(102a～102e，112a～112c)，连接到集合配管的下游侧；压力控制器(24，34)，调整混合气体压力；以及分配用的流量控制器(23a，23b，33a，33b)，控制混合气体的流量。(13)并将基板加热、并且导入使薄膜(18)在基板

公开(公告)号：CN113498544B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202080016354.9

申请日：2020-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木克己 ,  山下侑佑 ,  加藤武宽

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 将源极区域(8)做成具有由形成在基体区域(6)侧的外延生长层构成的第1源极区域(8a)、以及由与源极电极相接并且第1导电型杂质浓度比第1源极区域高的离子注入层构成的第2源极区域(8b)的结构。

公开(公告)号：CN114072922B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202080049387.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  竹内有一 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置(1)的半导体衬底(10)的终端区域(102)具有p型的多个保护环(16)和多个第1扩散区域(17)。在对上述半导体衬底进行平面观察时，与上述多个保护环的1个对应而配置有上述多个第1扩散区域的1个。在对上述半导体衬底进行平面观察时，上述多个保护环分别位于对应的上述第1扩散区域内。上述多个保护环各自的宽度比对应的上述第1扩散区域的宽度小。

公开(公告)号：CN110226235B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201880008427.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 竹内有一 ,  铃木优 ,  杉本雅裕 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 具备元件分离层(14)以将主单元区域(Rm)与感测单元区域(Rs)之间电分离，在元件分离层(14)的底部具备电场缓和层(15)以缓和电场集中。此外，将电场缓和层(15)以直线状构成，将相邻的电场缓和层(15)以与相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)相同的间隔形成，抑制电场的进入。进而，在从主单元区域(Rm)侧突出的电场缓和层(15)与从感测单元区域(Rs)侧突出的电场缓和层(15)之间，也使两者的间隔(Wp)为相邻的p型深层(5)的间隔(Wd)以下，抑制电场的进入。

公开(公告)号：CN114072922A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202080049387.3

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 高谷秀史 ,  竹内有一 ,  渡边行彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置的半导体衬底的终端区域具有p型的多个保护环和多个第1扩散区域。在对上述半导体衬底进行平面观察时，与上述多个保护环的1个对应而配置有上述多个第1扩散区域的1个。在对上述半导体衬底进行平面观察时，上述多个保护环分别位于对应的上述第1扩散区域内。上述多个保护环各自的宽度比对应的上述第1扩散区域的宽度小。