公开(公告)号：CN107112241A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070212.X

申请日：2015-12-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小山和博 ,  樋口安史 ,  大泽青吾 ,  松井正树 ,  阴泳信

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备横式开关器件，该横式开关器件具有基板(1)、在基板上具有由GaN层(3)和AlGaN层(4)形成的异质结构造且形成有凹部(5)的沟道形成层、构成为具有形成在凹部内的栅极绝缘膜(6)和栅极电极(7)的栅极构造部、以及在沟道形成层上配置在夹着栅极构造部的两侧的源极电极(8)和漏极电极(9)，在GaN层与AlGaN层的界面中的GaN层侧引起二维电子气载流子，并且在对栅极电极施加了电压时在凹部的底部中的GaN层的表面部形成沟道，从而在源极电极与漏极电极之间流过电流。AlGaN层具有：第一AlGaN层(4a)，被设定为二维电子气浓度被确定的Al混晶比；以及第二AlGaN层(4b)，Al混晶比小于第一AlGaN层的Al混晶比，从而引起负的固定电荷，设置成与栅极构造部接触且与源极电极和漏极电极分离。

公开(公告)号：CN104937720A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201380070729.X

申请日：2013-12-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 大泽青吾 ,  户松裕 ,  荻野诚裕 ,  大林友视

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/6634 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/4236

Abstract: 在半导体装置中，形成：第1导电型的第1半导体区域(15a)，与接触用沟槽(16)中的开口部侧的侧面接触，与第2半导体层(15)相比为高杂质浓度；第2导电型的第2半导体区域(11a)，与接触用沟槽(16)的底面及底面侧的侧面接触，与第1半导体层(11)相比为高杂质浓度。并且，将与第1半导体区域(15a)及第2半导体区域(11a)电连接的第1电极(18)配置到接触用沟槽(16)。即使通过使接触用沟槽的宽度变短而进行微细化，也能够抑制半导体装置在从开启状态变化为截止状态时被破坏。